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研制出了多個具有自主知識產(chǎn)權(quán)的鐵磁性非晶、納米晶軟磁合金材料，具有優(yōu)異的力學(xué)性能、軟磁性能、耐蝕性能及對染料廢水高效降解性能，具體研究成果包括：（1）高飽和磁感低損耗納米晶軟磁合金：研制了FeSiBPCu系列納米晶軟磁合金，飽和磁感應(yīng)強度達1.8T以上，1.5T/50Hz條件下的鐵損僅為0.29W/kg，是高級取向硅鋼鐵損的1/2，技術(shù)性能遠優(yōu)于日本主要生產(chǎn)和大力推廣的FINEMET納米晶合金系列產(chǎn)品，在高效節(jié)能電機、無線充電系統(tǒng)、新能源汽車等技術(shù)領(lǐng)域具有廣闊市場前景；（2）鐵磁性非晶合金構(gòu)件涂層：制備了厚度達9mm的非晶合金構(gòu)件涂層，非晶度90%以上，孔隙率低于1%，平均硬度達976HV，內(nèi)聚強度為237MPa；利用激光熔覆技術(shù)進一步改善其力學(xué)性能，斷裂強度達1800Mpa，具有優(yōu)異的耐蝕性能和耐摩擦磨損性能，適用于各種功能構(gòu)件的在線修復(fù)；（3）鐵基非晶合金化學(xué)性能研究：研究了FePC(Cu)、FeSiBPCu、FeBC、FeCrNbYB等非晶/納米晶合金在對染料廢水的高效降解，發(fā)現(xiàn)合金表面的“自更新”行為可有效提高合金的重復(fù)利用性，同時良好的熱磁調(diào)諧性使合金便于降解后的自動回收，對于實現(xiàn)高效、低成本處理印染廢水，解決水污染問題具有重要的應(yīng)用價值。

1 成果簡介硫酸鈣晶須具有機械強度大、熱穩(wěn)定性好、價格低廉等特點，是塑料、橡膠、陶瓷、水泥等材料的理想增強材料。 目前我國化工、冶金、電力等國民經(jīng)濟支撐行業(yè)在生產(chǎn)過程中均副產(chǎn)大量含鈣副產(chǎn)物（如脫硫石膏、磷石膏、電石渣、石灰石、氯化鈣等），年產(chǎn)量高達數(shù)億噸。受技術(shù)經(jīng)濟條件限制，這些含鈣副產(chǎn)物大多處于露天堆放和閑置狀態(tài)，既浪費資源、污染環(huán)境又占用大量土地。 如何實現(xiàn)資源的高度綜合利用，變廢為寶，將其轉(zhuǎn)化為國民經(jīng)濟發(fā)展急需的量大面廣、附加值高的硫酸鈣晶須產(chǎn)品是一項十分有意義的工作。2 應(yīng)用說明清華大學(xué)與國內(nèi)相關(guān)院校合作，經(jīng)過 5 年的潛心攻關(guān)，已于近期成功開發(fā)出水熱合成硫酸鈣晶須的技術(shù)。該技術(shù)的主要原料為化工副產(chǎn)物（如脫硫石膏、磷石膏、電石渣、石灰石、氯化鈣等），制備的硫酸鈣晶須形貌規(guī)則、結(jié)晶良好、長徑比大（長度 200~2000mm，直徑1~20mm，長徑比 50~200）、純度高（硫酸鈣晶須主含量>90~95%，與原料相關(guān)）。該技術(shù)工藝簡單，成本低廉（約 2000~4000 元/噸），所需設(shè)備大多為常規(guī)設(shè)備，具有較強的經(jīng)濟和社會效益。歡迎有關(guān)單位前來洽談。目前國內(nèi)類似產(chǎn)品售價為 2 萬元/噸。  圖1 硫酸鈣晶須形貌3 效益分析成本： <4000 元/噸， 保守售價： 10000 元/噸， 年創(chuàng)產(chǎn)值（萬元）： 10000′3000?10000=3000，年創(chuàng)利稅（萬元）： 3000′(10000-4000)?10000=1800。4 合作方式技術(shù)轉(zhuǎn)讓或合作開發(fā)，按年產(chǎn) 3 千噸中試規(guī)模計，技術(shù)開發(fā)費： 400 萬元，常溫反應(yīng)及配套設(shè)備： 300 萬元，水熱反應(yīng)及配套設(shè)備： 800 萬元，焙燒及配套設(shè)備： 500 萬元， 其它常規(guī)設(shè)備費（過濾、干燥、粉碎、包裝）： 300 萬元，基建： 300 萬元， 其他(管、泵、閥、控制儀表等)： 300 萬元，土地（ 30 畝）：約 500 萬元，不可預(yù)見： 200 萬元， 總投資： 3600萬元。

本實用新型一種鋁基非晶甩帶裝置，包括箱體，所述第一電機輸出端通過輸出軸轉(zhuǎn)動連接有主動帶輪，所述箱體內(nèi)腔底部位于隔離板遠離固定臺的一側(cè)固定連接有清理裝置，所述箱體內(nèi)腔正面和背面中間位置轉(zhuǎn)動連接有甩帶輪，所述從動帶輪外表面通過皮帶與主動帶輪滑動連接，所述箱體內(nèi)腔正面和背面位于高頻加熱器遠離橫板的一側(cè)轉(zhuǎn)動連接有調(diào)節(jié)輪，所述箱體內(nèi)腔頂部固定連接有進氣口，所述箱體內(nèi)腔遠離第二電機的一側(cè)內(nèi)壁頂部固定連接有進氣泵，所述箱體頂部位于進料口兩側(cè)均固定連接有導(dǎo)料裝置，本實用新型涉及鋁基非晶加工技術(shù)領(lǐng)域。該裝置可及時清理

已有樣品/n64Mb ReRAM 芯片和內(nèi)嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光國芯等單位共同設(shè)計，在實現(xiàn)基于ReRAM 存儲機理和單元特性的讀寫電路、芯片構(gòu)架、可測試性設(shè)計、冗余設(shè)計、糾錯設(shè)計和系統(tǒng)訪問管理等關(guān)鍵技術(shù)方面實現(xiàn)了突破和創(chuàng)新。兩款芯片均已經(jīng)在相關(guān)驗證系統(tǒng)完成了應(yīng)用演示等相關(guān)測試，其中64Mb ReRAM 芯片可成功實現(xiàn)數(shù)據(jù)文件、圖形文件及多媒體文件的讀寫編輯及實時播放操作，在功耗、速度和壽命等方面取得了令人滿意的效果。

北京理工大學(xué)材料學(xué)院納米光子學(xué)材料與技術(shù)實驗室在致力于開發(fā)性能優(yōu)異、綠色、實用的納米晶發(fā)光材料研究。在國家“973”計劃項目和自然基金項目的支持下，研制出一種基于銅銦硫（CuInS2）和銅銦硒（CuInSe2）的新型、綠色、低毒熒光納米晶材料，已在白光照明、發(fā)光二極管、生物標(biāo)記、太陽能電池等領(lǐng)域獲得重要的應(yīng)用，相關(guān)的材料制備和應(yīng)用技術(shù)已申請了專利。本項目所制備的新型納米晶熒光材料性能優(yōu)異，波長可在500-900 nm之間調(diào)控，熒光量子產(chǎn)率超過50%，可作為熒光材料

1. 痛點問題 目前含鋅產(chǎn)品以金屬鋅和普通氧化鋅為主，存在產(chǎn)品價廉、結(jié)構(gòu)單一、附加值低等問題。受技術(shù)經(jīng)濟條件限制，性能優(yōu)異、附加值高的先進含鋅材料如氧化鋅晶須等，至今尚未得到大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用。在晶須氧化鋅制備方面，前人雖已做大量工作，但多以鋅鹽或鋅為原料，存在原料利用率和晶須制備效率低、副產(chǎn)物和廢水需處理等環(huán)境和經(jīng)濟效益問題，制約了相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。 2. 解決方案 以普通鋅鹽為原料、無機堿水溶液為溶劑，在室溫條件下進行活化堿溶, 制得含活性氧化鋅的懸浮液，然后加入促溶劑和晶型控制劑, 在低溫水熱條件下, 通過溶解-定向結(jié)晶途徑制得純度大于98%、長徑比大于10的氧化鋅晶須。 合作需求 資金需求： 1）中試項目，100噸/年氧化鋅晶須，需投資1000-1500萬元； 2）示范生產(chǎn)項目，2000噸/年氧化鋅晶須，需投資1億元。 目標(biāo)企業(yè)： 1）原料端，地方鋅冶煉廠、化工廠等企業(yè)； 2）市場端，塑料/橡膠/涂料/紡織公司、合金企業(yè)、新能源公司、精密器件、醫(yī)療企業(yè)等。

合作的企業(yè)類型等。簡介請圖文并茂，字數(shù)1000字以內(nèi)。） 近年來，在國家自然基金、江蘇省自然基金、航空基金以及國防預(yù)研、國家新能源產(chǎn)業(yè)化專項、江蘇省科技成果轉(zhuǎn)化等項目資助下，本課題組進行了在半導(dǎo)體晶體材料加工上實現(xiàn)了大尺寸（600mm）、高尺寸精度（5μm）、定晶向（0.3分）、低損耗、低成本的集成技術(shù)優(yōu)勢，成為國內(nèi)外首個在半導(dǎo)體晶體放電切割上實現(xiàn)重大突破和技術(shù)應(yīng)用的研究團隊，多項研究成果已經(jīng)獲得或即將獲得重要應(yīng)用。 本課題組在特種加工、微細加工、激光加工、再制造等方面開

本發(fā)明公開了一種表面改性的非晶合金復(fù)合粉末，其特征在于， 通過表面改性技術(shù)在所述非晶合金粉末表面包覆一層抗氧化的金屬鍍 層。本發(fā)明還公開了該粉末的制備方法，以及利用該粉末制備的非晶 復(fù)合涂層及其制備方法。本發(fā)明非晶復(fù)合涂層具有優(yōu)異的抗氧化性能、 高結(jié)合力以及良好的抗磨損性能，克服了以往單相非晶涂層/金屬基體 之間界面結(jié)合力較差、高溫抗氧化性能不足的問題，可以有效降低非 晶粉末在高溫?zé)釃娡窟^程中的表面氧化。該復(fù)合涂層在

本發(fā)明公開了一種芯片連晶缺陷識別方法，該發(fā)明主要用于在 芯片制造過程中識別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個步驟：步驟 一，對采集到的芯片圖片進行模板匹配，定位出芯片的位置，根據(jù)芯 片的位置，對圖片進行截取；步驟二，對截取獲得的圖片進行預(yù)處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對經(jīng)過預(yù)處理的圖片進行分割， 獲取 blob 塊，對 blob 塊進行特征分析：首先以面積為基準(zhǔn)判斷出是否 含連晶缺陷；對面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點以及四邊中點的位置，以中心點以及四邊