一種芯片連晶缺陷識(shí)別方法

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本發(fā)明公開(kāi)了一種芯片連晶缺陷識(shí)別方法，該發(fā)明主要用于在 芯片制造過(guò)程中識(shí)別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個(gè)步驟：步驟 一，對(duì)采集到的芯片圖片進(jìn)行模板匹配，定位出芯片的位置，根據(jù)芯 片的位置，對(duì)圖片進(jìn)行截取；步驟二，對(duì)截取獲得的圖片進(jìn)行預(yù)處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對(duì)經(jīng)過(guò)預(yù)處理的圖片進(jìn)行分割， 獲取 blob 塊，對(duì) blob 塊進(jìn)行特征分析：首先以面積為基準(zhǔn)判斷出是否 含連晶缺陷；對(duì)面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點(diǎn)以及四邊中點(diǎn)的位置，以中心點(diǎn)以及四邊

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