基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器及其制備方法,包括硅襯底,在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū),以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長(zhǎng)的隧穿氧化 層、電荷存儲(chǔ)層、控制柵氧化層及金屬柵層;所述電荷存儲(chǔ)層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢(shì)壘,構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC
華中科技大學(xué)
2021-04-14