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本發(fā)明公開(kāi)了一種鐵基非晶合金磁性材料及其制備方法。該合金材料的化 學(xué)分子式為：(Fe100-aCoa)x-Dyy-Bz-Siw，式中的x，y，z，w為原子百分?jǐn)?shù)：60≤x ≤75，5≤y≤25，20≤z≤25，0≤w≤10，0≤a≤10，且x+y+z+w＝100。該合金 的制備過(guò)程如下：將工業(yè)純金屬原料以及FeB合金按合金配方配料，采用真空 感應(yīng)熔煉成母合金，然后用單輥甩帶法制得非晶薄帶。本發(fā)明具有較好的玻璃 形成能力，且軟磁性能優(yōu)良。所需的原材料大多為工業(yè)純度，從而降低了成本， 同時(shí)制備工藝簡(jiǎn)單，可廣泛應(yīng)用于結(jié)構(gòu)材料和磁性材料等方面。

基于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)概念，首次通過(guò)工藝簡(jiǎn)單，成本低廉熔融鹽法合成一系列鉭酸鈣基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料，發(fā)現(xiàn)了兩元及多元半導(dǎo)體復(fù)合物組分及其含量可通過(guò)改變前驅(qū)物比例簡(jiǎn)單調(diào)控，證明該異質(zhì)結(jié)復(fù)合物相，組分變化與光催化制氫性能有著密切關(guān)系，闡明不同鉭酸鈣晶相界面異質(zhì)結(jié)形成促進(jìn)光生電荷有效分離機(jī)制，極大地提高光催化制氫性能。

鋁合金結(jié)晶組織的微細(xì)化會(huì)顯著提高鋁材的強(qiáng)韌性、組織均勻性、致密性、 耐蝕性、加工工藝性和表面質(zhì)量等，并減少偏析和裂紋等諸多鑄造缺陷。目前， 國(guó)內(nèi)外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中間合金來(lái)細(xì)化晶粒，但 Al-Ti-B 中間合金 126 的形核襯底質(zhì)點(diǎn) TiB2 本身的直徑大小在 0.5-3.0μm，而且往往以較大的聚集團(tuán) 形式存在，如此大的顆粒團(tuán)在加入到鋁合金中后會(huì)帶來(lái)一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中間合金細(xì)化效果不穩(wěn)定，易衰退，難以滿足鋁制品產(chǎn)品質(zhì)量的要 求。 Al-Ti-C 中間合金之所以細(xì)化效果不穩(wěn)定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶體存在較多碳空位，從而使之失穩(wěn)，且隨 TiCx中碳空位數(shù)量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原來(lái)的完全共格逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌耆?格。因此，減少 TiCx中的碳空位是提高其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和生核效率的關(guān)鍵。 研究表明，無(wú)空位的 TiC 是鋁的有效生核襯底，在接近凝固點(diǎn)的鋁熔體中， Al 原子能夠依附于其周?chē)纬梢粋€(gè)完全共格的有序區(qū)，最終促進(jìn) α-Al 生核和鋁 晶粒細(xì)化。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的研究和探索發(fā)現(xiàn)，TiCx 中的碳空位可以被原子半徑較小 的 B、N 等原子填充，最終形成摻雜型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，從而降低 空位濃度并提高異質(zhì)生核能力。 B 摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金中含有大量直徑在 1μm 以下（亞微米）的 TiCxB1-x 晶核襯底粒子，且彌散分布，當(dāng)將該中間合金以微量（0.15%左右）加 入到待細(xì)化的鋁及其合金熔體中后，立即釋放出大量的亞微米級(jí)的摻雜型 TiC 晶核，從而使待細(xì)化鋁合金的晶粒組織得到顯著細(xì)化甚至超細(xì)化（指晶粒直徑 在微米級(jí)）。因此，采用摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金對(duì)鋁熔體進(jìn)行晶粒細(xì)化處理 將是鋁加工行業(yè)又一次重要的技術(shù)進(jìn)步。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種鋁基非晶薄帶收卷裝置，包括固定底座，所述支撐操作臺(tái)頂部的兩側(cè)均固定連接有限位機(jī)構(gòu)，所述支撐操作臺(tái)頂部靠近左側(cè)的位置固定連接有表面除雜裝置，所述支撐操作臺(tái)頂部且位于表面除雜裝置的右側(cè)固定連接有表面吹干裝置，所述固定底座頂部且位于支撐柱的右側(cè)固定連接有收卷固定架，所述收卷固定架的頂部轉(zhuǎn)動(dòng)連接有收卷滾輪，本實(shí)用新型涉及鋁基非晶技術(shù)領(lǐng)域。該鋁基非晶薄帶收卷裝置，達(dá)到了薄帶收卷開(kāi)始階段便于固定收卷，保證薄帶收卷傳輸過(guò)程中不出現(xiàn)偏移褶皺現(xiàn)象，保證薄帶表面的光滑度，不被劃傷，從而提高光潔度和磁

電脈沖可以顯著改變材料微觀結(jié)構(gòu)演化路徑和擴(kuò)展材料微觀結(jié)構(gòu)的特征參數(shù)范圍；為材料加工和新材料的制備提供了新的廣闊空間。電脈沖退火快速?gòu)?qiáng)化亞微米純鋁，短時(shí)間電脈沖退火降低拉錯(cuò)密度且不引起晶粒尺寸增大，液氮下電脈沖處理可以析出致密的納米析出相，提升材料性能。

基本概念：航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫薄膜傳感器技術(shù)是將溫度、壓力等敏感材料以薄膜的形式沉積在航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫結(jié)構(gòu)件（如渦輪葉片、機(jī)匣等）表面，并進(jìn)行絕緣、防護(hù)、圖形化，制成與結(jié)構(gòu)件一體化集成的薄膜傳感器。 主要功能與應(yīng)用領(lǐng)域：集成在結(jié)構(gòu)件表面的薄膜傳感器使結(jié)構(gòu)件能夠感知溫度、應(yīng)力應(yīng)變、振動(dòng)、熱流、摩擦阻力等狀態(tài)參數(shù)，能在航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫、高速、強(qiáng)氧化氣流沖刷的惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。 圖1 薄膜傳感器結(jié)構(gòu)示意圖 圖2 渦輪葉片上的薄膜傳感器 特色及先進(jìn)性：與埋入、粘貼、焊接的傳統(tǒng)傳感器相比，采用薄膜形式集成在結(jié)構(gòu)件表面的薄膜傳感器不破壞結(jié)構(gòu)件的力學(xué)強(qiáng)度，不影響結(jié)構(gòu)件的工作環(huán)境（如流場(chǎng)等），厚度僅約30μm，具有靈敏度高、響應(yīng)速度快、精度高、可靠性好的優(yōu)點(diǎn)，是當(dāng)前世界上航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫、高速、強(qiáng)氧化氣流沖刷惡劣環(huán)境下的先進(jìn)測(cè)試技術(shù)。 技術(shù)指標(biāo)：最高工作溫度1100℃，測(cè)試精度優(yōu)于5%，900℃下壽命>10hr。 能為產(chǎn)業(yè)解決的關(guān)鍵問(wèn)題和實(shí)施后可取得的效果：本成果目前主要應(yīng)用于航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片、燃燒室火焰筒、燃燒室冷卻試驗(yàn)件、燃燒室機(jī)匣、渦輪機(jī)匣、渦輪盤(pán)等高溫結(jié)構(gòu)部件表面的狀態(tài)參數(shù)測(cè)量，如溫度測(cè)量、應(yīng)力應(yīng)變監(jiān)測(cè)、強(qiáng)度疲勞評(píng)估等，解決當(dāng)前航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫結(jié)構(gòu)部件的健康監(jiān)測(cè)難題。此外，本成果能夠推廣用于核電、燃?xì)廨啓C(jī)、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)、陶瓷發(fā)動(dòng)機(jī)等高溫零部件狀態(tài)參數(shù)的測(cè)量和健康監(jiān)測(cè)，推廣應(yīng)用前景廣闊。

該項(xiàng)目為制備碲化鉛薄膜與納米顆粒的新工藝。目前，PbTe薄膜通常采用真空蒸鍍、 激光閃蒸、磁控濺射等物理方法制備，這些方法采用昂貴的鍍膜設(shè)備，成本較高；電化 學(xué)方法沉積PbTe薄膜成本相對(duì)較低，但缺點(diǎn)在于必須使用導(dǎo)電基片，適用范圍較窄。PbTe 納米顆粒大多采用水熱法或溶劑熱法、電化學(xué)法、乳液法等方法合成，這些方法在合成 過(guò)程中或者涉及了高壓設(shè)備，或者采用了復(fù)雜的儀器和涉及冗長(zhǎng)的工藝，或者由于引入 大量有機(jī)物給后處理及環(huán)境保護(hù)帶來(lái)難題。 本項(xiàng)目提出以堿性水溶液作為溶劑，以成本低廉的含鉛無(wú)機(jī)鹽和碲化物或亞碲酸鹽 作為反應(yīng)物，在常壓、室溫至 50o C 同步合成 PbTe 薄膜和納米顆粒，制備的薄膜平整致 密且對(duì)基片無(wú)特殊要求，納米顆粒尺度均一且可隨溫度調(diào)節(jié)。與其他現(xiàn)有的 PbTe 薄膜 與納米粉體制備方法相比，該方法簡(jiǎn)單易行，性?xún)r(jià)比高，幾乎無(wú)能耗，反應(yīng)介質(zhì)為容易 凈化處理的水溶液，利于環(huán)保。 

本發(fā)明屬于碲化鉛（PbTe）薄膜和納米粉體的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明公開(kāi)了一種 PbTe 薄膜和納米粉體的低溫水溶液同步合成方法，該方法以含鉛的無(wú)機(jī)鹽與二氧化碲或亞碲 酸鈉為原料，以硼氫化鉀或硼氫化鈉為還原劑，在室溫至 50 o C 堿性水溶液下同時(shí)合成 PbTe 薄膜和納米粉末。本發(fā)明首次在低于 100 o C 且常壓下合成 PbTe 薄膜與納米粉體， 制備的薄膜平整、致密、均勻；粉末產(chǎn)物粒徑小，粒度分布均勻，并可通過(guò)控制反應(yīng)溫 度來(lái)控制粒徑大小。整個(gè)工藝使用的原料便宜易得，工藝簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)， 同時(shí)反應(yīng)過(guò)程中避免使用有機(jī)溶劑，有利于環(huán)保。合成的 PbTe 薄膜和納米粉體可廣泛 應(yīng)用于熱電器件、太陽(yáng)能電池、熒光器件、紅外光學(xué)元件、紅外薄膜器件和半導(dǎo)體探測(cè) 器等，應(yīng)用前景廣闊。

本發(fā)明公開(kāi)了一種超薄抗菌水凝膠薄膜的制備方法，首先將組分A與緩沖溶液混合，得到共聚物溶液Ⅰ，將組分B與緩沖溶液混合，得到共聚物溶液Ⅱ；然后將基底依次浸入濃硫酸/過(guò)氧化氫混合溶液、硅烷偶聯(lián)劑溶液中；取出后再依次浸入共聚物溶液Ⅰ和共聚物溶液Ⅱ中，重復(fù)該步若干次得到所述的超薄抗菌水凝膠薄膜；所述的組分A為主鏈含多雙鍵的聚合物，所述的組分B為主鏈含多巰基的聚合物。本制備方法無(wú)需催化劑，在生理?xiàng)l件下即可快速進(jìn)行，具有良好的生物相容性和可操作性；制備的水凝膠薄膜在鹽溶液中結(jié)構(gòu)穩(wěn)定；厚度精確可控，膜厚可在納米和微米尺度進(jìn)行自由調(diào)控；對(duì)大腸桿菌和金黃色葡萄球菌都具有良好的抗菌作用。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： 將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能是目前各國(guó)研究的重點(diǎn), 它具有清潔、不需要燃料、能 廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域等優(yōu)點(diǎn)。由于成本低，轉(zhuǎn)化效率高，染料敏化納米晶太陽(yáng) 能電池近年來(lái)成為納米技術(shù)和光電轉(zhuǎn)換材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn), 其發(fā)展可解決硅 電池原材料緊缺的問(wèn)題，具有很廣闊的發(fā)展前景。二氧化鈦廣泛應(yīng)用于染料敏化 太陽(yáng)能電池（DSSC）的制備，但因 TiO2 薄膜結(jié)構(gòu)缺陷的存在，不利于電子的傳 輸，制約了光電轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提高，可通過(guò)制備 TiO2/ZnO 復(fù)合薄膜解決這 一問(wèn)題。采用天然色素（黑果枸杞色素和河湟紅花黃色素）或染料對(duì)光陽(yáng)極進(jìn)行 敏化處理可進(jìn)一步降低成本，簡(jiǎn)化工藝流程。該項(xiàng)目成果具有成本低，生產(chǎn)工藝 93天津大學(xué)科技成果選編 94 簡(jiǎn)單，生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)，比傳統(tǒng)硅電池具有更為廣泛的用途，可實(shí)現(xiàn)太 陽(yáng)能電池的輕量化、薄膜化，并易于設(shè)計(jì)成不同形狀以滿足不同使用環(huán)境的需要。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 染料敏化太陽(yáng)能電池主要是由納米晶半導(dǎo)體薄膜、染料敏化劑、氧化還原電 解液、導(dǎo)電基底以及對(duì)電極等幾部分組成的。染料敏化太陽(yáng)能電池的原理是源于 光合作用的啟發(fā)，其具體實(shí)現(xiàn)的方式是通過(guò)染料分子吸收太陽(yáng)光中的光能，從而 激發(fā)染料分子中的電子變成受激發(fā)的狀態(tài)，通過(guò)與之復(fù)合的多孔薄膜傳導(dǎo)出來(lái)。 本項(xiàng)目采用溶膠凝膠法制備 TiO2/ZnO 復(fù)合薄膜，染料敏化太陽(yáng)能電池的主要制 備過(guò)程如下：技術(shù)水平及專(zhuān)利與獲獎(jiǎng)情況：實(shí)驗(yàn)室成熟階段 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測(cè)： 生產(chǎn)成本較低，僅為硅太陽(yáng)能的 1/5~1/10，且使用壽命較長(zhǎng)，如進(jìn)一步提高 光電轉(zhuǎn)換效率，可逐步取代硅太陽(yáng)能電池。 應(yīng)用領(lǐng)域：太陽(yáng)能發(fā)電站、電子設(shè)備、太陽(yáng)能建筑等，逐步取代硅太陽(yáng)能電池