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該技術(shù)涉及一項(xiàng)基于聚苯乙烯基的載體高分子微球的生產(chǎn)技術(shù)。產(chǎn)品經(jīng)改性后，可獲得表面帶-Cl、-NH3等功能性基團(tuán)的微球。 

以機(jī)械混合、擴(kuò)散、化學(xué)反應(yīng)速率、成核速率、長(zhǎng)大速率等諸因素為變量，建立“液相化學(xué)反應(yīng)膠粒析出相變過(guò)程的數(shù)學(xué)方程組及邊界條件”，提出 “連續(xù)有序液相沉淀納米粉體制備技術(shù)”。該技術(shù)可以制備粒度在10-200nm高分散的氧化物納米顆粒 ，包括BaTiO3，Y3Al5O12及一系列稀土氧化物，并擁有獨(dú)立的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1.通過(guò)液相反應(yīng)膠粒析出機(jī)理分析，采用此液相沉淀技術(shù)在低溫800℃條件下制備了四方相鈦酸鋇納米粉體。通過(guò)反應(yīng)前液體鋇鈦比的精確控制，以及洗滌工藝控制，使粉體的鋇鈦比達(dá)到003比1。制備的納米粉體在40-60nm之間，粒度分布窄、分散性好、燒結(jié)活性高。目前此液相沉淀技術(shù)已經(jīng)成功延伸至牙科納米氧化鋯粉體和稀土摻雜鈦酸鋇基納米粉體的制備。 2.續(xù)有序液相沉淀技術(shù)制備Y3Al5O12納米粉體 3.稀土氧化物納米粉體的制備

中試階段/n項(xiàng)目背景:常規(guī)的塑化方法有兩輥開(kāi)煉機(jī)、密煉機(jī)、單螺桿塑化擠出機(jī)、雙螺桿塑化擠出機(jī)。常規(guī)的兩輥機(jī)塑化是非密閉式結(jié)構(gòu)，工作和操作環(huán)境差、物料容易氧化，出料為不易取用的塊狀。其優(yōu)點(diǎn)是塑化剪切作用大，故廣泛用于橡膠等高粘度材料；常規(guī)的密煉機(jī)塑化出料仍為不易取用的塊狀且取料和清料都非常困難，且塑化壓力和剪切力非常低；常規(guī)的單螺桿塑化混合效果差，且不能使用粉料，塑化質(zhì)量靠占地大且流程長(zhǎng)的大長(zhǎng)徑比螺桿改善，塑化程度難以控制。其主要優(yōu)點(diǎn)是出料方便，可連續(xù)生產(chǎn)；常規(guī)的雙螺桿塑化結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高、長(zhǎng)徑比大，

基于金屬納米粒子的局域表面等離激元因其高局域強(qiáng)度，小局域尺度，高靈敏度等特點(diǎn)，被大量應(yīng)用在不同領(lǐng)域。但是，幾個(gè)飛秒的超短模式壽命(dephasing time)大大限制了其應(yīng)用的廣泛性和實(shí)用性。該工作設(shè)計(jì)的多層結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了局域表面等離激元和傳播表面等離激元的強(qiáng)耦合(圖1(a))。動(dòng)態(tài)數(shù)值模擬結(jié)果也清晰地證明在強(qiáng)耦合下局域表面等離激元模式和傳播表面等離激元模式之間的能量交換。近場(chǎng)方面，光電子顯微鏡對(duì)表面等離激元模式進(jìn)行直接成像，大大突破了原有的遠(yuǎn)場(chǎng)探測(cè)技術(shù)的限制。并且結(jié)合不同激發(fā)光源，實(shí)現(xiàn)不同維度的探測(cè)。結(jié)合波長(zhǎng)可調(diào)的激光光源，光電子顯微鏡在頻域記錄下表面等離激元模式隨波長(zhǎng)變化的強(qiáng)度演化過(guò)程(圖1(b))。結(jié)合超快泵浦探測(cè)技術(shù)，光電子顯微鏡在時(shí)域記錄下表面等離激元模式隨時(shí)間變化的演化趨勢(shì)。該工作更加深入并直觀地探測(cè)強(qiáng)耦合體系中的能量轉(zhuǎn)換過(guò)程，并通過(guò)強(qiáng)耦合中失諧量的改變實(shí)現(xiàn)模式壽命的操控，相較于未耦合的局域表面等離模式，強(qiáng)耦合的模式壽命由6飛秒(10-15秒)提高到10飛秒。這一研究成果對(duì)進(jìn)一步發(fā)展基于表面等離激元的人工光合成、生物傳感等應(yīng)用具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。圖1、（a）光電子顯微鏡和多層結(jié)構(gòu)示意圖，（b）遠(yuǎn)場(chǎng)和近場(chǎng)探測(cè)曲線、不同波長(zhǎng)激光激發(fā)下光電子顯微鏡記錄的局域表面等離激元模式分布圖。 此研究是由北京大學(xué)和日本北海道大學(xué)共同合作完成，北京大學(xué)物理學(xué)院博士生楊京寰和重大儀器項(xiàng)目的國(guó)際合作者、北海道大學(xué)助理教授孫泉為該文章的共同第一作者，北京大學(xué)龔旗煌院士和北海道大學(xué)Misawa教授為共同通訊作者。除了自然科學(xué)基金委的國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目，該工作還得到了科技部、北京大學(xué)人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心、“2011計(jì)劃”量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心、日本文部科學(xué)省及學(xué)術(shù)振興會(huì)、北海道大學(xué)納米技術(shù)平臺(tái)等單位的支持。目前國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目“飛秒-納米時(shí)空分辨光學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)”的研制正在有序推進(jìn)中，已經(jīng)取得了一批包括此工作在內(nèi)的階段性成果。該實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的核心儀器是附帶低能電子顯微功能的光電子顯微鏡(PEEM), 其激發(fā)光的波長(zhǎng)覆蓋范圍從極紫外到近紅外(圖2)。下一步該實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)有望在二維材料、光電材料與器件、表面介觀物理等研究領(lǐng)域大顯身手、發(fā)揮積極作用。圖2、北京大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)的飛秒納米時(shí)空分辨系統(tǒng)

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于超分辨定位成像系統(tǒng)的樣品池，包括底座、壓板、蓋玻片、載玻片、第一螺栓、第二螺栓、進(jìn)穿板接頭與出穿板接頭，載玻片安裝于壓板上，蓋玻片安裝于底座上，壓板腔體外表面與底座腔體內(nèi)表面間隙配合，并通過(guò)第一螺栓連接壓板與底座，第二螺栓安裝于壓板上，通過(guò)調(diào)節(jié)第一螺栓與第二螺栓實(shí)現(xiàn)樣品空間厚度的改變，進(jìn)穿板接頭與出穿板接頭均安裝于壓板上，實(shí)現(xiàn)樣品空間與外界環(huán)境的連通，通過(guò)向進(jìn)穿板接頭注入新的液態(tài)生化試劑，從

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)分辨監(jiān)測(cè)方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對(duì)不同波長(zhǎng)入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對(duì)在硅基液晶波長(zhǎng)工作范圍內(nèi)的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測(cè)，并能 在入射光波長(zhǎng)未知的條件下，對(duì)該波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長(zhǎng)的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊 湊，對(duì)光路的準(zhǔn)直要求不高，無(wú)需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長(zhǎng)的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無(wú)關(guān)的特性，在分辨出波長(zhǎng) 的同時(shí)，還能對(duì)入射光束的偏振態(tài)進(jìn)行測(cè)量，適用范圍更廣。 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)分辨監(jiān)測(cè)方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對(duì)不同波長(zhǎng)入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對(duì)在硅基液晶波長(zhǎng)工作范圍內(nèi)的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測(cè)，并能 在入射光波長(zhǎng)未知的條件下，對(duì)該波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長(zhǎng)的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊 湊，對(duì)光路的準(zhǔn)直要求不高，無(wú)需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長(zhǎng)的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無(wú)關(guān)的特性，在分辨

一種三維像素超分辨顯微成像方法，其特征在于，沿與圖像采 集裝置傳感器平面水平方向 x、豎直方向 y 和顯微鏡的 z 軸方向各均成 非直角空間偏轉(zhuǎn)角的空間矢量掃描樣品，以能夠使每?jī)蓮埾噜彽膱D像 切片之間沿著 x,y,z 方向均有亞像素位移的步長(zhǎng)進(jìn)行掃描，通過(guò)圖像采 集裝置采集得到原始三維圖像序列 A，將原始圖像序列 A 根據(jù)無(wú)損采 樣原則分割成多組三維圖像序列 Bi，對(duì) Bi 進(jìn)行超分辨處理，生成三維 高分辨圖像 E，

本發(fā)明公開(kāi)了一種電調(diào)光反射率薄膜。包括第一光學(xué)介質(zhì)層，依次設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層上表面的第一陽(yáng)極、第二光學(xué)介質(zhì)層和第二陽(yáng)極，以及設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層下表面的陰極，陰極為勻質(zhì)導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，第一陽(yáng)極和所述第二陽(yáng)極均由其上布有 M×N 元陣列分布的納孔的導(dǎo)電膜構(gòu)成；通過(guò)調(diào)變加載在第一陽(yáng)極和陰極間的第一時(shí)序電壓信號(hào)以及加載在第二陽(yáng)極和陰極間的第二時(shí)序電壓信號(hào)，調(diào)變陰極上的陣列化電子的密度和分布形態(tài)，進(jìn)而調(diào)變電調(diào)光反射率薄膜的光