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本成果基于高效微流體芯片、“電子掩膜”（PLC，F(xiàn)PGA和LabVIEW構(gòu)建）與光掩模相結(jié)合及高性能手性miniPEG-γPNA探針搭建診斷型肽核酸芯片制備平臺(tái)。 設(shè)計(jì)并應(yīng)用了高效單體活化裝置；“電子掩膜”可降低芯片制備成本，光掩模技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片密度的調(diào)整；自行制備了miniPEG-γPNA單體，并應(yīng)用到微流體芯片上；手性探針通過miniPEG修飾提高水溶性，可預(yù)組織成右手螺旋結(jié)構(gòu)，與DNA雜交結(jié)合特異性更好，穩(wěn)定性更高，能識(shí)別入侵混合序列雙鏈DNA(dsDNA)，實(shí)現(xiàn)對(duì)靶標(biāo)的直接檢測(cè)。 基于微流體混合器的光導(dǎo)向原位合成系統(tǒng)設(shè)計(jì)示意圖和實(shí)物圖

本發(fā)明公開了一種基于電控液晶紅外匯聚平面微透鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外匯聚平面微透鏡陣列；電控液晶紅外匯聚平面微透鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由其上布有 m×n

本發(fā)明公開了一種面向芯片級(jí)器件的焊點(diǎn)制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設(shè)置有陣列布置的多個(gè)噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點(diǎn)的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發(fā)生器相連，兩者之間形成高壓電場(chǎng)；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個(gè)管芯，且各管芯一一對(duì)應(yīng)配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內(nèi)形成容納焊料溶液的空間，在電場(chǎng)的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進(jìn)行流量分配后噴出形成噴點(diǎn)或噴絲，滴落于器件

本發(fā)明公開了一種用于芯片倒裝的多自由度鍵合頭，包括安裝立板、對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)和調(diào)平機(jī)構(gòu)，其中對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)包括縱向設(shè)置在安裝立板上部的 Z 向模組和橫向設(shè)置在 Z 向模組上的支架，并在 Z 向電機(jī)和旋轉(zhuǎn)電機(jī)的配合驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)鍵合頭相對(duì)于 Z 軸方向的對(duì)準(zhǔn)運(yùn)動(dòng)；調(diào)平機(jī)構(gòu)包括固定設(shè)置在支架下側(cè)的上平臺(tái)、帶有吸嘴的下平臺(tái)和設(shè)置在上下平臺(tái)之間的三個(gè)支鏈結(jié)構(gòu)，其中調(diào)平中心鏈的兩端分別通過轉(zhuǎn)動(dòng)副與上下平臺(tái)相連，分布在中心鏈兩側(cè)的兩個(gè)調(diào)平側(cè)鏈各自配備有作為調(diào)節(jié)動(dòng)力輸入的移動(dòng)副，且其上下端分布通過多個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)副與上下平臺(tái)相連。通過本發(fā)

本發(fā)明公開了一種面向柔性芯片的多頂針剝離裝置，包括固定 座、雙真空腔室、多頂針機(jī)構(gòu)和凸輪旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其中：雙真空腔 室由分設(shè)在內(nèi)、外側(cè)的真空內(nèi)腔室和真空外腔室共同組成，并且真空 內(nèi)腔室還可獨(dú)立發(fā)生上下滑動(dòng)；多頂針機(jī)構(gòu)由同軸安裝且彼此獨(dú)立操 控的內(nèi)外圈頂針機(jī)構(gòu)共同組成，它們沿著豎直方向整體設(shè)置在真空內(nèi) 腔室下部，并各自包括頂針、支撐架和從動(dòng)子；凸輪旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用 于實(shí)現(xiàn)內(nèi)外圈頂針機(jī)構(gòu)上下動(dòng)作時(shí)序的控制，同時(shí)實(shí)現(xiàn)單頂針與多頂 針之間的靈活切換。本發(fā)明還公開了相應(yīng)的剝離工藝方法。通過本發(fā) 明，能夠顯著提

本發(fā)明屬于芯片貼裝工藝相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種適用于芯片 轉(zhuǎn)移的倒裝鍵合控制方法，主要包括：基于大轉(zhuǎn)盤仰視相機(jī)和晶元盤 斜視相機(jī)的觀測(cè)和配合，對(duì)芯片從晶元盤至大轉(zhuǎn)盤單元的吸附轉(zhuǎn)移執(zhí) 行角度及位置控制；基于大轉(zhuǎn)盤俯視相機(jī)和小轉(zhuǎn)盤側(cè)視相機(jī)的觀測(cè)和 配合，對(duì)芯片從大轉(zhuǎn)盤單元至小轉(zhuǎn)盤單元的拾取轉(zhuǎn)移執(zhí)行角度及位置·108·控制；以及基于小轉(zhuǎn)盤仰視相機(jī)和小轉(zhuǎn)盤俯視相機(jī)的觀測(cè)和配合，對(duì) 芯片至基板的貼合過程執(zhí)行相應(yīng)控制。通過本發(fā)明，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)芯 片高效倒裝鍵合整個(gè)過程中芯片在位置及角度

一種用于承載芯片的定位平臺(tái)的旋轉(zhuǎn)中心標(biāo)定方法本發(fā)明公開了一種基于 LED 芯片掃描的旋轉(zhuǎn)中心標(biāo)定方法，具 體包括以下步驟:步驟一，芯片掃描，獲取同一次裝夾后不同旋轉(zhuǎn)角 度下的兩組掃描坐標(biāo)數(shù)據(jù);步驟二，掃描數(shù)據(jù)預(yù)處理，去除兩組數(shù)據(jù) 中僅被識(shí)別一次的芯片坐標(biāo);步驟三，獲取初步旋轉(zhuǎn)中心;步驟四， 以旋轉(zhuǎn)中心為參考，規(guī)劃兩個(gè)的區(qū)域 A、B，旋轉(zhuǎn)前其芯片序列為 PA、 PB，旋轉(zhuǎn)后為 P′A、P′B;步驟五，求 PAP′A，P

本成果功能全面，一機(jī)在手可實(shí)現(xiàn)電路板上常見的各類貼插焊點(diǎn)及QFP、BGA等芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測(cè)，確保出廠焊點(diǎn)完美無缺。QFP及貼插焊點(diǎn)可編程掃描檢測(cè)；BGA芯片焊點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)紅外成像檢測(cè)，智能篩選，無需逐個(gè)焊點(diǎn)比對(duì)（一塊BGA芯片焊點(diǎn)通常在幾十至幾千個(gè)）。 一、項(xiàng)目分類 顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡(jiǎn)介 成果依據(jù)熱傳導(dǎo)學(xué)原理，開創(chuàng)性地將紅外無損檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于電路板焊點(diǎn)虛焊檢測(cè)領(lǐng)域，基于先進(jìn)的檢測(cè)原理和方法，本產(chǎn)品可準(zhǔn)確檢測(cè)出以往無論是AOI還是最高端的5aDAXI皆無法判明的焊點(diǎn)內(nèi)部缺陷，且可定性定量。 歷經(jīng)十余年潛心研究，本成果不僅可對(duì)電路板上“可視“（看得見）類焊點(diǎn)（常規(guī)貼插焊點(diǎn)、DIP、QFP芯片等）進(jìn)行檢測(cè)，更一舉突破了非可視（焊點(diǎn)在芯片下面）類BGA芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測(cè)難題。 BGA類芯片由于不可替代的先進(jìn)性，正在得到廣泛應(yīng)用，但由于其焊點(diǎn)隱藏于芯片與電路板之間，焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè)問題也同時(shí)成為電子行業(yè)的痛點(diǎn)。廠家即使擁有價(jià)值幾百萬的3D-5DAXI也只能用來數(shù)焊點(diǎn)里的氣孔，無法確定是否有虛焊（X光適用于檢測(cè)氣孔等體積類缺陷，對(duì)裂紋、虛焊無效）。 本成果功能全面，一機(jī)在手可實(shí)現(xiàn)電路板上常見的各類貼插焊點(diǎn)及QFP、BGA等芯片焊點(diǎn)的質(zhì)量檢測(cè)，確保出廠焊點(diǎn)完美無缺。QFP及貼插焊點(diǎn)可編程掃描檢測(cè)；BGA芯片焊點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)紅外成像檢測(cè)，智能篩選，無需逐個(gè)焊點(diǎn)比對(duì)（一塊BGA芯片焊點(diǎn)通常在幾十至幾千個(gè)）。 本成果還有操作簡(jiǎn)單，無需操作者專業(yè)背景，檢測(cè)過程快速安全無輻射，實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品原位無損檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn)。 毫無疑問，本成果可填補(bǔ)市場(chǎng)空白，技術(shù)水平處于國(guó)際領(lǐng)先地位。

本發(fā)明公開了一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由其上布有 m×n

研究團(tuán)隊(duì)通過設(shè)計(jì)金屬—分布式布拉格反射器優(yōu)化單光子探測(cè)器芯片的光學(xué)性能，完成低本征暗計(jì)數(shù)的單光子探測(cè)器芯片的全自主化設(shè)計(jì)與制備，實(shí)現(xiàn)了單光子探測(cè)器芯片的全國(guó)產(chǎn)化，為解決國(guó)家亟需的前沿科技問題邁進(jìn)了重要一步。