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本發明公開了一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片。包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測器，其中，單元電控液晶成像微透鏡用于對目標通過物鏡形成的壓縮光場執行進一步的匯聚式壓縮，通過調變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號電壓的均方幅值，調變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進而調變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標對焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標圖層，執行成像視場在深度

本發明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測的收光方法，該收光 測試方法包括如下步驟：待測試芯片被移動至積分球收光口的上方； 設置于積分球下方的積分球升降裝置向上運動，使所積分球的收光口 對準所述待測試的倒裝 LED 芯片的發光側，并且使設置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測試倒裝 LED 芯片的盤片。按照本發明設計的 收光測試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機和發光面不同側的 問題，具有高的收光精度，尤其與倒裝 LED 芯片在線檢測裝置配合使 用，能夠顯著提高性能，實現倒裝 LED 芯片的

本發明公開了一種雙模復合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，包括：芯片殼體、電控散光液晶微透鏡陣列、以及電控聚光液晶微透鏡陣列，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列級聯耦合構成雙模復合電調架構，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列均設置在芯片殼體內部，二者彼此緊密貼合并與芯片殼體連接，且二者的光軸重合，電控散光液晶微透鏡陣列的光入射面和電控聚光液晶微透鏡陣列的光出射面分別通過芯片殼體頂面和底面的開口

主要應用領域：國防以及電力部門 特點： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級電磁脈沖場測量系統 主要技術指標：能夠對上升時間、半寬均為ns量級的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 V/m到超過100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級電磁脈沖場測量系統 主要技術指標：能夠對上升時間、半寬均為μs量級的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續波電場測量系統 主要要技術指標：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達20 mV/m。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學器件，部分取代電子學集成電路中的信號處理和互聯器件，這就要求光子學器件具有像電子學集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時具有和電子學集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰，是一個世界性的難題。 光學所張家森教授團隊與信息科學學院彭練矛教授團隊合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統，該系統與現有的COMS制備工藝兼容，可以實現光子學和電子學的三維集成和互聯，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統的優點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統和存儲系統；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現三維光電混合集成，可以實現更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。 上述實驗結果近期發表于最新一期《自然 電子學》雜志。 相關文獻：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

成果描述：針對微鉆在使用過程中失效的主要形式和原因，納米粉在燒結成微鉆硬質合金的過程中，出現WC晶粒異常長大，帶來性能的明顯降低這個問題，研究了添加特種晶粒長大抑制劑的作用和燒結過程優化研究。現已能批量生產Ф3.75標準微鉆生產用納米晶硬質合金棒材，該棒材強度高、硬度高、壽命長、加工性能好、實物質量水平已達同類產品（三菱、東芝、SANDVICK）的先進水平。市場前景分析：硬質合金生產廠家生產納米硬質合金制品，特別是為國內需求量巨大的高密度印制電路板鉆孔用微鉆的硬質合金棒材的生產。 2005年消耗量超過1000萬只的PCB企業有16家，超過500萬只的企業近40家。國內PCB行業2005年消耗微鉆總量在4億只以上，采購資金超過40億元，微鉆使用壽命短和鉆機換刀頻繁已成為制約整個PCB業提升利潤空間和產出效率的瓶頸。市場迫切需要鉆孔質量好、使用壽命高、價格適中的PCB微鉆產品。目前國內PCB微鉆生產用硬質合金棒材每年需求量約200萬公斤，一半以上需要進口，需求量巨大。與同類成果相比的優勢分析：橫斷面彎曲強度 /MPa≥3500 硬度/HRA≥92.5 WC晶粒度/μｍ﹤400nm 金相組織為A02B00C00 密度 /g/cm3≥14.4 國內領先。

通過對懸浮劑制備、貯存過程中存在質量問題的研究，確定出 優化了的懸浮劑穩定配方，解決了懸浮劑貯存過程中分層、析水率不合格、奧 氏熟化、結塊等問題，并通過系統研究懸浮劑穩定體系構建、探討懸浮劑穩定 機理、加工工藝及影響因素，集成了懸浮劑的研發應用技術，為農藥懸浮劑生 產企業的產品開發和推廣應用提供指導，從而能夠應用于農業的病蟲草害防治 領域。研究成果在配方篩選方法、穩定體系構建、加工工藝以及藥效研究等方 面取得了多項創新，為開發新型環保穩定的懸浮劑產品提供了先進的指導，必青島農業大學科技成果介紹 2017 －58－ 將推動農藥懸浮劑的可持續發展。 本項目經專家鑒定達到國際先進水平。利用農藥懸浮劑穩定體系構建與集 成應用技術開發相應懸浮劑產品，對農藥制劑行業的發展以及綠色農業發展具 有重要指導意義。 

該項目是精神病學與精神衛生學臨床、軟件工程和數據工程交叉方向，探討臨床研究業務過程與數據一體化集成平臺的建設與實施，優化臨床研究數據采集、存儲、交換、可視化和分析決策，為臨床研究提供更科學更高效的支撐方法與手段。

北京大學“極端光學創新研究團隊”發展了一種高精度的暗場光學成像定位技術(位置不確定度僅21 nm)，并結合電子束套刻工藝，實現了片上量子點微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導的精確、并行、無損集成。這種微盤-銀納米線復合結構同時具有介質激光器與表面等離激元波導的優勢，因此不僅具有介質激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導的深亞波長場束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實現了片上微盤激光器與表面等離激元波導間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復雜集成，并且對量子點無任何加工損傷；進一步，通過同時集成多個片上微盤激光器與多個銀納米線表面等離激元波導，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復合光子回路中具有重要應用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來光子芯片的實現提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點報道。文章的第一作者為北京大學物理學院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國家自然科學基金委、科技部、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、量子物質科學協同創新中心和極端光學協同創新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導的精確、并行、無損集成。

本項目是基于復合礦物材料的改性，通過 CPB（陽離子）和 CSB（兩性）復合改性方法，取代原有的傳統藥劑，可以在氣浮、生物處理等領域開展應用。 技術指標包括： 1）通過 XRD、SEM、BET、FTIR、Zeta 電位等科學表征方法，驗證了改性后藥劑的微觀結構有利于后續的物化、生物過程； 2）通過 Design Expert 數據處理軟件探討改性膨潤土的二次響應曲面模型以及優化的水平值，建立的污染物指標的去除模型； 3）利用響應面 Optimal Design 建立數學模型，基于響應面法(RSM)優化復合改性膨潤土的制備條件和工藝參數，該改性復合材料（陰-陽離子、陰-陽-非等表面活性劑、PAC 基質交聯等方式）能實現市政污水穩定提標中 COD 保持在30mg/L 以下，黑臭水體治理中 TP 保持在 0.2mg/L 以下，含重金屬廢水的治理 中 Cr 的濃度保持在 1.0mg/L 以下，印染廢水中銻離子實現 95.2%的去除效果。使用該改性藥劑后，運行成本噸水投加藥劑費用為 0.5 元，該技術能解決多種難以處理的廢水。