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1、成果簡(jiǎn)介 超聲振動(dòng)紅外熱像（熱波）無(wú)損檢測(cè)設(shè)備以超聲激振被檢測(cè)對(duì)象，以紅外熱成像方式檢測(cè)物體的內(nèi)部缺陷，具有單次檢測(cè)面積大、速度快、可單面檢測(cè)、不必拆下總裝后的部件、可在外場(chǎng)使用等優(yōu)點(diǎn)。是一種適合于任何固體材料結(jié)構(gòu)內(nèi)部裂紋、分層或脫粘缺陷檢測(cè)的可視化檢測(cè)設(shè)備。主要檢測(cè)對(duì)象有：材料內(nèi)部微裂紋，復(fù)合材料的分層、脫粘和撞擊損傷，熱障涂層和陶瓷部件上的微裂紋，管道內(nèi)壁的裂紋和腐蝕坑，C/C復(fù)合材料上的裂紋，固體發(fā)動(dòng)機(jī)絕熱層脫粘，航天膠接結(jié)構(gòu)脫粘，焊縫內(nèi)部裂紋。該設(shè)備和技術(shù)是2001年以來(lái)4.5次國(guó)家自然科學(xué)基金、3次航空科學(xué)基金、2次航天支撐技術(shù)基金共同資助下的自主創(chuàng)新研究成果，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，有廣闊的應(yīng)用前景。 典型技術(shù)指標(biāo)： 最大激振功率：50-2600W； 圖像分辨率：320*240～620*480； 檢測(cè)時(shí)間：5s； 單次檢測(cè)面積：500mm*375mm及以上。 具體指標(biāo)可根據(jù)實(shí)際需要的技術(shù)、經(jīng)濟(jì)性能合理調(diào)整。2、應(yīng)用說(shuō)明 用于各類材料、結(jié)構(gòu)內(nèi)部缺陷的無(wú)損檢測(cè)，如：材料內(nèi)部微裂紋，復(fù)合材料的分層、脫粘和撞擊損傷，熱障涂層和陶瓷部件上的微裂紋、脫粘，管道內(nèi)壁的裂紋和腐蝕坑，C/C復(fù)合材料上的裂紋，固體發(fā)動(dòng)機(jī)絕熱層脫粘，航天膠接結(jié)構(gòu)脫粘，焊縫內(nèi)部裂紋。應(yīng)用單位有航天二院201所、北京衛(wèi)星制造廠，技術(shù)合作單位有航天6院389廠、北京航空材料研究院。3、效益分析該設(shè)備和技術(shù)是自2001年以來(lái)4.5次國(guó)家自然科學(xué)基金、3次航空科學(xué)基金、2次航天支撐技術(shù)基金共同資助下積累的自主創(chuàng)新研究成果，具有國(guó)際先進(jìn)的技術(shù)水平，有臺(tái)式、移動(dòng)、便攜形式，有廣闊的應(yīng)用前景。

項(xiàng)目處于研發(fā)熟化階段。申請(qǐng)發(fā)明專利70余項(xiàng)，授權(quán)40余項(xiàng)（含美國(guó)專利2項(xiàng)），初步建立了一套自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系。發(fā)明了多種用于檢測(cè)有毒氣體的聚合物氣敏材料及其低毒合成方法，其中PHFA的靈敏度是美國(guó)PNNL的BSP3的3倍；提出了雙端諧振型樂(lè)甫波傳感器，發(fā)明了聚合物波導(dǎo)薄膜和叉指電極的優(yōu)化制備工藝方法，與法國(guó)ENSEIRB的器件相比，將傳感功能結(jié)構(gòu)的靈敏度提高了12倍；發(fā)明了SAW氣體傳感器的溫濕度補(bǔ)償技術(shù)、快速解吸方法和電磁屏蔽方法。研制的手持式SAW氣體傳感器能對(duì)0.1mg/m3

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于波矢測(cè)量的紅外成像探測(cè)芯片，包括面陣紅外折射微透鏡、面陣非制冷紅外探測(cè)器和驅(qū)控預(yù)處理模塊；其中，面陣非制冷紅外探測(cè)器位于所述面陣紅外折射微透鏡的焦面處，被劃分成多個(gè)陣列分布的子面陣非制冷紅外探測(cè)器，每個(gè)子面陣非制冷紅外探測(cè)器包括數(shù)量和排布方式相同的多個(gè)陣列分布的光敏元；面陣紅外折射微透鏡包括多個(gè)陣列分布的單元紅外折射微透鏡，每單元紅外折射微透鏡與一個(gè)子面陣非制冷紅外探測(cè)器對(duì)應(yīng)。本發(fā)明的紅外成像

針對(duì)爆破振動(dòng)波、沖擊波對(duì)周邊環(huán)境和建筑物影響，本團(tuán)隊(duì)組織開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)，主要成果包括： 1.首次基于現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，驗(yàn)證了多次鉆爆沖擊波作用下，單層鋼化玻璃的疲勞破壞現(xiàn)象；制定臨建建筑物多次爆破沖擊波破壞效應(yīng)的控制標(biāo)準(zhǔn)。 2.總結(jié)與圍巖等級(jí)相匹配的量產(chǎn)常用炸藥類型、水封爆破技術(shù)；建立了炸藥、巖石不同匹配值與爆破塊度之關(guān)系：對(duì)強(qiáng)度大于30MPa的III級(jí)及以上硬質(zhì)圍巖，應(yīng)采用2號(hào)巖石乳化炸藥；對(duì)強(qiáng)度介于5-30MPa的IV級(jí)軟巖，應(yīng)采用二級(jí)煤礦許用炸藥。對(duì)強(qiáng)度小于5MPa的V圍巖，應(yīng)采用三級(jí)煤礦許用炸藥，最優(yōu)阻抗匹配系數(shù)為2.53-3.30。另?yè)?jù)試驗(yàn)結(jié)果知，為滿足隧道施工中裝運(yùn)碴土要求，炸藥巖石阻抗匹配并非在匹配系數(shù)為1.0時(shí)最優(yōu)，而在1.98-3.30之間，且圍巖強(qiáng)度越低，其對(duì)應(yīng)最優(yōu)阻抗匹配值越大。發(fā)現(xiàn)在藥量相同的情況下，水封爆破的振速小于常規(guī)爆破振速的非慣性推測(cè)現(xiàn)象，水封爆破有明顯的減振作用。初步分析認(rèn)為，一是水封不同于水介質(zhì)爆破；二是“水袋+炮泥”的可靠堵塞比常規(guī)堵塞和不堵塞工況，使爆破振動(dòng)的各向分布均勻化所致。隧道水封爆破相比常規(guī)爆破工藝，具有降低炸藥單耗，提高能量利用率，提高循環(huán)進(jìn)尺，降低振速，減小粉塵濃度等優(yōu)勢(shì)，具有良好的技術(shù)經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效應(yīng)。 圖1 測(cè)點(diǎn)布置示意圖 圖2 玻璃前后沖擊波超壓峰值變化曲線 圖3 爆破沖擊波反復(fù)作用下鋼化玻璃現(xiàn)場(chǎng)發(fā)生破裂

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于毫米波通信天線差速旋轉(zhuǎn)方式的毫米波天線對(duì)中控制系統(tǒng)。本發(fā)明的對(duì)中控制系統(tǒng)由多個(gè)相同的對(duì)中控制裝置組成，對(duì)中控制裝置分別設(shè)置在不同的毫米波天線通信站點(diǎn)中；每個(gè)對(duì)中控制裝置包括天線轉(zhuǎn)動(dòng)模塊、位置信息檢測(cè)模塊、天線信息采集傳感器和對(duì)中控制模塊；天線轉(zhuǎn)動(dòng)模塊、位置信息檢測(cè)模塊和天線信息采集傳感器分別與對(duì)中控制模塊。本發(fā)明能有效提高毫米波天線對(duì)中精度，實(shí)現(xiàn)天線自動(dòng)化對(duì)中通信，減少對(duì)中前的準(zhǔn)備工作和數(shù)據(jù)交換工作，增加毫米波的通信保密性，實(shí)現(xiàn)毫米波通信機(jī)動(dòng)性、可靠性及野外自適應(yīng)特性。

由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過(guò)了中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的現(xiàn)場(chǎng)鑒定。 由中國(guó)工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國(guó)杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來(lái)自中國(guó)移動(dòng)、信通院、華為、中興、大唐電信和國(guó)內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)鑒定并給予了高度評(píng)價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問(wèn)題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國(guó)際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過(guò)250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來(lái)無(wú)線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問(wèn)題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來(lái)一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢(shì)，但其輸出功率相對(duì)較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問(wèn)題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無(wú)需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問(wèn)題。

本發(fā)明公開(kāi)了提供的一種用于復(fù)合波片光軸對(duì)準(zhǔn)的裝夾裝置，該裝置包括電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)、固定波片卡盤和旋轉(zhuǎn)波片卡盤；波片支架安裝在電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)，固定波片卡盤與電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)基座連在一起，旋轉(zhuǎn)波片卡盤與電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)盤連在一起，使用時(shí)，將安裝有晶片的波片支架安裝在固定波片卡盤和旋轉(zhuǎn)波片卡盤上。本發(fā)明提供的裝夾裝置可以實(shí)現(xiàn)在對(duì)復(fù)合波片光軸進(jìn)行高精度對(duì)準(zhǔn)時(shí)，對(duì)組成復(fù)合波片的各晶片進(jìn)行夾持，并保證不同晶片間能產(chǎn)生高精度高分辨率的相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)。與現(xiàn)有波片夾具相比，本發(fā)明所提供的裝夾裝置不僅能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)兩片晶片的夾持和精確定位，而且能夠使兩片晶片間產(chǎn)生高精度高分辨率地相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)，更適合用于復(fù)合波片光軸的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。

本發(fā)明公開(kāi)了一種具有良好吸波性能的納米晶稀土鐵基吸波材料及其制備方法，該材料的特征在于 將配比為重量百分比為2％～70％稀土元素與5％～98％的鐵以及少量摻雜元素熔煉成稀土-鐵基合金，再在 0-700℃的溫度范圍內(nèi)與氫氣反應(yīng)(氫爆方法)破碎成細(xì)小粉末或球磨成細(xì)小粉末，然后在100℃-1000℃ 溫度范圍內(nèi)與氫氣反應(yīng)生成主相為稀土氫化物(RHx)和α-Fe的復(fù)合材料，最后將上述復(fù)合材料在低溫 氧化或氮化或氮化加氧化，制備出稀土氧化物或氮化物/α-Fe為主的復(fù)合材料。這種材料具有吸波性能好， 屏蔽波段寬，耐腐蝕，抗氧化以及價(jià)格低廉的特點(diǎn)，可用于建筑電磁屏蔽、信息及通訊技術(shù)保密、軍事隱 身技術(shù)等領(lǐng)域。

本發(fā)明公開(kāi)了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設(shè)有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實(shí)現(xiàn)高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內(nèi)，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對(duì)應(yīng)毫米波天線輻射單元的位置處設(shè)有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發(fā)明通過(guò)在封裝罩上設(shè)計(jì)喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。