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本發(fā)明公開了一種采用正交光功率比值的單波長型微波測頻方案。在此方案中，微波信號經(jīng)載波抑制單邊帶調(diào)制模塊加載到一個連續(xù)激光光源的輸出光信號上，僅生成單個一階光邊帶；此光邊帶同時輸入到由同一個高雙折射元件構(gòu)建的兩個梳狀濾波器中。經(jīng)濾波、檢測和對比之后，分別獲得與微波頻率成余弦函數(shù)關(guān)系和正弦函數(shù)關(guān)系的兩個光功率比值，即正交光功率比值。結(jié)合兩個正交光功率比值可以在梳狀濾波響應(yīng)的整個自由頻譜區(qū)內(nèi)解調(diào)出唯一的頻率值。本發(fā)明以單個光源、單個高雙折射元件構(gòu)建了采用正交光功率比值的微波測頻方案，以精簡的裝置在整個自由頻譜區(qū)內(nèi)實現(xiàn)測頻，并在設(shè)計組合結(jié)構(gòu)型測頻裝置中有著廣泛的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測的收光方法，該收光 測試方法包括如下步驟:待測試芯片被移動至積分球收光口的上方; 設(shè)置于積分球下方的積分球升降裝置向上運動，使所積分球的收光口 對準所述待測試的倒裝 LED 芯片的發(fā)光側(cè)，并且使設(shè)置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測試倒裝 LED 芯片的盤片。按照本發(fā)明設(shè)計的 收光測試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機和發(fā)光面不同側(cè)的 問題，具有高的收光精度，尤其與倒裝

本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測的收光測試組件，該 收光測試組件包括積分球組件和光學(xué)測試組件，其中積分球組件包括 積分球模塊、積分球夾具、積分球升降裝置;其中積分球模塊包括積 分球、積分球 90°轉(zhuǎn)接頭，積分球的開口設(shè)置有石英玻璃，其設(shè)置方 式是采用石英玻璃夾具套設(shè)在積分球的收光口處，其中石英玻璃夾具呈圓筒狀，其內(nèi)側(cè)在略高于收光口的上方設(shè)置有凸臺，用于放置固定 石英玻璃。按照本發(fā)明設(shè)計的收光測試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片測試探針

本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進一步開發(fā)，實現(xiàn)簡便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進一步提升器件的光溢出效率。 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 成果源于國家自然科學(xué)基金“異價摻雜量子點的合成、聚合物基復(fù)合塊體3D打印制造與性能研究”，項目編號51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進一步開發(fā)，實現(xiàn)簡便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進一步提升器件的光溢出效率。傳統(tǒng)發(fā)光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內(nèi)部向空氣傳播時，部分光會在器件的內(nèi)表面發(fā)生全反射，從而無法實現(xiàn)高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報道的塊體熒光器件內(nèi)部發(fā)出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內(nèi)部微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑為基礎(chǔ)，通過微結(jié)構(gòu)在器件內(nèi)部的全反射界面構(gòu)筑，改變光在材料內(nèi)部的傳輸路徑，實現(xiàn)器件正面的光溢出效果增強。 本專利的高光溢出效果可以廣泛的應(yīng)用于激光器、LED照明領(lǐng)域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側(cè)約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計將此技術(shù)用于實際器件中，可以實現(xiàn)2倍以上的提升，這就意味著對于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據(jù)統(tǒng)計2021年，全球照明市場總市值達到8089億元。照明技術(shù)是任何一個國家與地區(qū)都不可或缺的，高效的照明技術(shù)不僅可以為解決全球的能源危機提供有效解決途徑，同時為減少碳排放作出巨大貢獻，產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟效益。

本發(fā)明屬于光纖通信技術(shù)領(lǐng)域，并公開了一種基于多通道并行 光信號的分光監(jiān)測裝置，包括光信號發(fā)射模塊、分光模塊、耦合透鏡 陣列、光信號接收傳輸模塊和光信號檢測單元，其中光信號發(fā)射模塊 用于發(fā)射并行的多路光信號，并對其執(zhí)行準直處理后輸送至分光模塊； 分光模塊將各路光信號執(zhí)行分光，由此獲得沿著不同方向輸送的兩類 并行多路光信號：其中一類繼續(xù)發(fā)射至光信號檢測單元，并在此執(zhí)行 狀態(tài)檢測；另外一類依次經(jīng)過耦合透鏡陣列和光信號接收傳

本發(fā)明公開了一種高功率光纖激光器包層光濾除裝置，該裝置 包括一段或多段雙包層光纖，其中此雙包層光纖沿激光輸出方向按剝 除面積由小到大而間隔地對保護層和外包層進行部分剝除，使內(nèi)包層 裸露出來，將濾光材料涂在裸露內(nèi)包層上，并且將上述濾光裝置固定 在散熱金屬材料及水冷板上。本發(fā)明對光纖結(jié)構(gòu)破壞較小，濾光均勻， 避免了非均勻濾除時，某些濾除點溫度過高的現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的穩(wěn) 定性。

本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測的收光方法，該收光 測試方法包括如下步驟：待測試芯片被移動至積分球收光口的上方； 設(shè)置于積分球下方的積分球升降裝置向上運動，使所積分球的收光口 對準所述待測試的倒裝 LED 芯片的發(fā)光側(cè)，并且使設(shè)置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測試倒裝 LED 芯片的盤片。按照本發(fā)明設(shè)計的 收光測試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機和發(fā)光面不同側(cè)的 問題，具有高的收光精度，尤其與倒裝 LED 芯片在線檢測裝置配合使 用，能夠顯著提高性能，實現(xiàn)倒裝 LED 芯片的

FCP磁場控制平臺產(chǎn)品概述： FCP磁場控制平臺是根據(jù)磁控原理設(shè)計的理想磁測量系統(tǒng)，磁場范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計穩(wěn)定磁場控制，適合各系列電磁鐵配置，連續(xù)可變的電磁氣隙，實心的和光學(xué)入口極帽，線型雙極，真實四象限電磁鐵電源。 FCP磁場控制平臺磁測量系統(tǒng)磁光測量儀器 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度，用戶輸入的控制設(shè)定點，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺，可以被獨立的被利用或做為用戶設(shè)計的測量系統(tǒng)的一個基礎(chǔ)。FCP磁場控制平臺磁測量系統(tǒng)磁光測量儀器 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ FCP磁場控制平臺標準配置： TESTIK475有1個計算機接口：RS-232串口:。這個接口可以設(shè)置所有儀器參數(shù)和測量值得讀回。在磁場控制期間，接口的讀數(shù)率是額定每秒30個讀數(shù)。475的LabVIEW驅(qū)動是提供的（選配）。磁場控制平臺不含應(yīng)用軟件。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對外以商務(wù)平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。    

磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于諸如磁性納米技術(shù)、自旋電子學(xué)、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學(xué)領(lǐng)域。 可測試材料：記錄磁頭，磁性薄膜，特殊磁介質(zhì)，磁場傳感器  您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 技術(shù)指標: 1· 樣品尺寸：大Φ10mm的圓 2· 克爾角分辨率（δ）：0.001度； 3·橢偏率分辨率（ε）：0.1%； 4·小光斑（Φ）：10微米； 5· 大磁場：單維0.26特斯拉； 6· 樣品電動角度步進0.1度，手動位移步進10微米； 7·噪音：1%。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 技術(shù)參數(shù)： 1·光學(xué)平臺：    剛性隔震，不銹鋼貼面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm陣距，150mm臺板厚度，帶腳輪。臺面平整度0.1/1000mm，平臺載荷300Kg，固有頻率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。 2·矢量電磁鐵： 錦正茂二維矢量電磁鐵，每維大磁場0.26T，極面直徑30mm，磁場間隙40mm，中心10mm正方體內(nèi)均勻區(qū)1%。 3·電磁鐵電源： 錦正茂單相雙極性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，穩(wěn)定性50ppm/h，對應(yīng)小分辨率0.1Gauss。 4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%穩(wěn)定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通過聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。 5·起偏/檢偏器：格蘭-湯普森棱鏡，外徑25.4mm，通光孔徑10mm，消光比<5*10^-5，角度范圍14~16°，波長范圍350~2300nm。 6·聚焦透鏡：K9雙凸，設(shè)計波長633nm，外徑25.4mm，焦距150mm，焦距誤差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。 7·四分之一波片：Ø25.4mm，波長632.8nm，投射波前畸變λ/8，相位延遲精度λ/100。 8·光電傳感器：15mm²感應(yīng)面積，0.21A/W響應(yīng)度，暗電流1nA，對430~900nm波長光敏感，分流電阻200Mohm。 9·電流放大器：1pA/V大增益，1MHz帶寬，大輸入±5mA，大輸出±5V，增益精度為輸出的±0.05% 10·高精度電壓表：六位半，小分辨率0.1μV，90天準確度達到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second 11·手動位移和電動旋轉(zhuǎn)樣品桿：   XYZ三維位移，XY行程25mm，Z行程13mm，轉(zhuǎn)動360度，樣品座為直徑11mm的圓，上有電接頭。 12·計算機：聯(lián)想商用，集成多串口卡。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 作為北京高科技企業(yè)，錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對外以商務(wù)平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售  各類型超低溫測試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。 錦正茂始終秉承“誠信、合作、創(chuàng)造、共贏”的經(jīng)營理念，將現(xiàn)代化管理技術(shù)引入到產(chǎn)品生產(chǎn)與管理中，通過新的軍民融合平臺建設(shè)，形成具有一定市場競爭優(yōu)勢的高科技企業(yè)；其次，公司逐步形成以現(xiàn)代化高科技產(chǎn)業(yè)化帶動企業(yè)價值增張的商業(yè)模式，堅持“與時俱進，科技創(chuàng)新”的思路，彰顯業(yè)務(wù)的核心優(yōu)勢，共創(chuàng)新的戰(zhàn)略制高點。