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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
計(jì)劃生育模型計(jì)劃生育教育模型XM-N6
XM-N6高級(jí)計(jì)劃生育教育模型
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一、功能特點(diǎn)：
■ XM-N6高級(jí)計(jì)劃生育教育模型采用高分子材料制成，外形逼真，腹壁柔軟有彈性，操作真實(shí)。
■ 解剖結(jié)構(gòu)包括子宮和附件等，模型部分透明的子宮有助于觀察宮內(nèi)避孕器放置與取出全過程，操作時(shí)可觀察操作步驟是否正確。
■ 陰道可擴(kuò)張，可使用陰道窺器模擬訓(xùn)練和演示女性宮內(nèi)避孕器的放置與取出技術(shù)。
■ 使用操作杠桿模擬子宮3個(gè)不同的位置：前傾位、水平位和后傾位。
■ 可使用模擬腹壁（布套）練習(xí)雙合診技術(shù)，放置和取出陰道隔膜、宮內(nèi)避孕器和泡沫海綿避孕器。
■ 可進(jìn)行計(jì)劃生育教育和技能操作訓(xùn)練及考核。
■ 可反復(fù)進(jìn)行練習(xí)。
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二、標(biāo)準(zhǔn)配置：
■ 計(jì)劃生育教育模型：1個(gè)
■ 模擬腹壁（布套）：1個(gè)
■ 宮內(nèi)節(jié)育器：1個(gè)
■ 說(shuō)明書：1冊(cè)
?????? ■ 保修卡合格證：1張
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
KEM便攜式液體比重計(jì)DA-130N
產(chǎn)品詳細(xì)介紹KEM便攜式液體比重計(jì)DA-130N是利用U型管振蕩原理，通過測(cè)量樣品的共振頻率來(lái)測(cè)定各種液體樣品的密度。KEM便攜式液體比重計(jì)DA-130N廣泛應(yīng)用于原油及石油產(chǎn)品、化工產(chǎn)品、酒類及軟飲料、食品、食用油、醫(yī)藥產(chǎn)品、電子產(chǎn)品及半導(dǎo)體等行業(yè)。KEM便攜式液體比重計(jì)DA-130N更是得到廣泛的應(yīng)用。
KEM便攜式液體比重計(jì)DA-130N的技術(shù)參數(shù)：
測(cè)定范圍 0 ~ 2 g/cm3 (內(nèi)置式溫度控制)
測(cè)量精度 ±10-3g/cm3
溫度范圍 0~40℃
溫度精度 ±0.1℃
溫度補(bǔ)償 有
白度顯示 無(wú)
上海圖新電子有限公司
2021-08-23
DH4501N三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)儀
1、學(xué)習(xí)霍爾效應(yīng)原理，測(cè)繪霍爾元件的VH-1s，VH-ls,VH-lM曲線
2、測(cè)量單個(gè)通電圓線圈軸線上(X方向)各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度;
3、測(cè)量亥姆霍茲線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度，比較和驗(yàn)證磁場(chǎng)疊加原理;
4、測(cè)測(cè)量?jī)蓚€(gè)通電圓線圈不同間距時(shí)的線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度;
5、測(cè)量亥姆霍茲線圈Y方向和Z方向上B的分布。
杭州大華儀器制造有限公司
2021-02-01
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基于Y染色體SNP遺傳標(biāo)記的法醫(yī)學(xué)復(fù)合檢測(cè)試劑盒
授權(quán)發(fā)明專利。本發(fā)明屬于法醫(yī)遺傳學(xué)領(lǐng)域，具體涉及一種用于法醫(yī)個(gè)體識(shí)別和親緣關(guān)系鑒定的基于Y染色體SNP遺傳標(biāo)記的法醫(yī)學(xué)復(fù)合檢測(cè)試劑盒。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是實(shí)現(xiàn)利用Y染色體SNP遺傳標(biāo)記對(duì)人類生物學(xué)檢材進(jìn)行法醫(yī)學(xué)親緣關(guān)系鑒定和個(gè)人識(shí)別。本發(fā)明解決該技術(shù)問題的方案是提供一種基于Y染色體SNP遺傳標(biāo)記的法醫(yī)學(xué)復(fù)合檢測(cè)試劑盒，由分離包裝的復(fù)合擴(kuò)增引物混合物、多重單堿基延伸反應(yīng)引物混合物、等位基因分型標(biāo)準(zhǔn)物混合物、復(fù)合擴(kuò)增反應(yīng)混合液和單堿基延伸反應(yīng)混合液構(gòu)成。本發(fā)明試劑盒可用于法醫(yī)學(xué)常見的降解檢材的檢測(cè)。
四川大學(xué)
2016-04-29
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一種單相α-Si3N4超細(xì)粉體及其制備方法
小試階段/n本發(fā)明解決單相α-Si3N4超細(xì)粉體制備技術(shù)存在的問題，如原料價(jià)格高、工藝過程復(fù)雜、不易控制、能耗高和工業(yè)化程度低，所制備的產(chǎn)品純度低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和Alpha相含量低。本發(fā)明具有反應(yīng)溫度低、成本低、合成工藝簡(jiǎn)單、過程易于控制、產(chǎn)率高和產(chǎn)業(yè)化前景大的特點(diǎn)；所制備的單相α-Si3N4超細(xì)粉體粒度為100~500nm，無(wú)雜相、活性高、顆粒團(tuán)聚小和粒度分布均勻。本發(fā)明處于待轉(zhuǎn)化階段，應(yīng)用范圍廣闊，市場(chǎng)前景可觀，預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益優(yōu)異。
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
州大學(xué).jpg){kind=logo}
H7N9亞型流感抗原快速檢測(cè)試紙條
該成果是揚(yáng)州大學(xué)江蘇省家禽疫病防控工程技術(shù)研究中心自主研發(fā)的 H7N9 亞型流感抗原檢測(cè)試劑及試劑盒產(chǎn)品。 產(chǎn)品以兩株針對(duì) H7N9 流感病毒不同抗原表位的單克隆抗體建立雙抗體夾心免疫層析快速檢測(cè)試紙條。該試紙條特異性、廣譜性強(qiáng)，與傳統(tǒng)的血凝和血凝抑制試驗(yàn)相比，靈敏度更高、耗時(shí)更短； 與國(guó)外進(jìn)口的同類產(chǎn)品有相同的檢出率，且敏感性更高，更利于臨床樣品的快速檢測(cè)，適合推廣應(yīng)用。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
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一種 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的測(cè)量系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單元和光學(xué)接收與信號(hào)檢測(cè)單 元組成。發(fā)射單元采用種子注入的固體激光器輸出極窄線寬的 354.8 nm 紫外激光照射大氣分子；光學(xué)接 收與信號(hào)檢測(cè)單元收集由 N2 分子產(chǎn)生的振轉(zhuǎn) Raman 譜信號(hào)，采用雙光柵色散系統(tǒng)將 384.9-388.6 nm 范 圍光以 8.3 mm nm-1 的線色散率在空間上色散開來(lái)，采用 32 通道的線陣探測(cè)器分辨并記錄 N2 分子振轉(zhuǎn) Ram
武漢大學(xué)
2021-04-14
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A
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XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型顯示頭部、頸部深、淺層血管和神經(jīng)，在顯示頭部、頸部的肌肉基礎(chǔ)上顯示血管、神經(jīng)的分布和走向，頭部、頸部作正中矢狀切面顯示各種器官結(jié)構(gòu)，左側(cè)半腦拆下可示腦神經(jīng)外形及腦神經(jīng)進(jìn)出腦及腦顱底部位，腦可拆下示眼外肌。
尺寸：自然大，38.5×24×50cm
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
P06/N01/PSt壓電陶瓷促動(dòng)器—芯明天科技
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 壓電陶瓷，是一種能夠?qū)C(jī)械能和電能互相轉(zhuǎn)換的功能陶瓷材料。壓電陶瓷到底是一種什么樣的材料呢？壓電陶瓷屬于無(wú)機(jī)非金屬材料。這是一種具有壓電效應(yīng)的材料。所謂壓電效應(yīng)是指某些介質(zhì)在力的作用下產(chǎn)生形變，引起介質(zhì)表面帶電，這是正壓電效應(yīng)。反之，施加激勵(lì)電場(chǎng)，介質(zhì)將產(chǎn)生機(jī)械形變，稱逆壓電效應(yīng)。這種奇妙的效應(yīng)已經(jīng)被科學(xué)家應(yīng)用在與人民生活密切相關(guān)的許多領(lǐng)域，以實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、傳感、驅(qū)動(dòng)、頻率控制等功能 特性：納米級(jí)分辨率 無(wú)摩擦，無(wú)間隙 剛度強(qiáng)，使用壽命長(zhǎng) 可選擇位置傳感功能進(jìn)行閉環(huán)控制 真空兼容，可在高溫或低溫下操作 機(jī)械接頭形式：螺紋、圓球、平頭 可根據(jù)客戶要求定制應(yīng)用：通信，光纖調(diào)節(jié) 顯微鏡微調(diào)，機(jī)械工程 微系統(tǒng)技術(shù)，你米定位技術(shù) 半導(dǎo)體設(shè)備，精密儀器 閥門（真空管） 度量衡/干涉度量學(xué) 生命科學(xué)/生物技術(shù)
哈爾濱芯明天科技有限公司
2021-08-23
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InVO4/g-C3N4復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，旨在提供InVO4/g-C3N4復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無(wú)水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無(wú)水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進(jìn)行水熱反應(yīng)；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復(fù)合材料。本發(fā)明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長(zhǎng)問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長(zhǎng)。
浙江大學(xué)
2021-04-13