小試階段/n本發明解決單相α-Si3N4超細粉體制備技術存在的問題,如原料價格高、工藝過程復雜、不易控制、能耗高和工業化程度低,所制備的產品純度低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和Alpha相含量低。本發明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產率高和產業化前景大的特點;所制備的單相α-Si3N4超細粉體粒度為100~500nm,無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。本發明處于待轉化階段,應用范圍廣闊,市場前景可觀,預期經濟效益優異。