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本發(fā)明公開了一種基于開槽結構的四分之一模基片集成波導濾波器，包括四分之一模基片集成波導弧形腔，四分之一模基片集成波導弧形腔通過基片集成波導圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導弧形腔包括介質基片，介質基片的上表面設有上金屬層，介質基片的下表面設有下金屬層，介質基片中沿四分之一模基片集成波導弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)的基片集成波導圓形腔有效實現了小型化。并且，相對于傳統(tǒng)的多層結構，本發(fā)明結構簡單，加工方便。此外，相對于傳統(tǒng)的微帶結構，本發(fā)明的濾波器品質因數高，損耗小。

近日，上海交通大學電子系義理林教授課題組基于智能鎖模算法、時間拉伸技術和實時高速電路建立的實時光譜分析控制平臺，實現了鎖模激光器輸出飛秒脈沖的實時光譜調控，對飛秒激光器的設計具有重要的應用價值。相關成果以“Intelligent control of mode-locked femtosecond pulses by time-stretch-assisted real-time spectral analysis”為題目于2020年1月發(fā)表于國際光學頂尖期刊《Light: Science & Applications》（中科院長春光機所與Nature出版集團合辦期刊），并入選為封面文章，在“News & Views”欄目被專門評述。博士生蒲國慶為第一作者，義理林教授為通信作者。 圖說：期刊封面文章 飛秒尺度（1E-15秒）脈沖對應著原子分子、材料、生物蛋白、化學反應等豐富物質體系的眾多超快過程，有著廣泛而重要的應用。鎖模激光器作為產生飛秒脈沖的重要基礎研究工具，在物理、化學、生物、材料、信息科學等領域都有廣泛的應用。飛秒鎖模激光器自上世紀六十年代發(fā)明以來，與其相關的研究分別于1999，2005，2018年獲得過諾貝爾獎。 隨著超快光學的快速發(fā)展，越來越多的前沿應用需要對飛秒脈沖的時域和光譜進行精細控制。由于飛秒脈沖的產生涉及非常復雜的非線性和色散傳輸效應，達到特定脈沖狀態(tài)的穩(wěn)態(tài)輸出需要對激光器多個參數在高維空間進行優(yōu)化，傳統(tǒng)基于激光器光學設計和優(yōu)化的方法已被證明難以精確實現。 通過對飛秒脈沖狀態(tài)進行智能識別，結合智能算法對激光器多參數進行全局優(yōu)化，有望獲得理想的飛秒脈沖輸出，但其主要挑戰(zhàn)在于飛秒脈沖難以實時精確識別。低速時域采樣無法識別飛秒脈沖寬度和形狀，光譜儀雖可識別飛秒脈沖積分光譜但無法識別其瞬時光譜，因此傳統(tǒng)方法都無法做到實時控制飛秒脈沖精確鎖模狀態(tài)。為了解決這一難題，義理林教授課題組提出在鎖模控制環(huán)內引入時間拉伸-色散傅里葉變換（TS-DFT）技術，通過時域到光譜的轉換，采用低速時域采樣即可識別飛秒脈沖對應的瞬時光譜寬度和形狀。結合智能控制算法，實現了以1.4nm為精度對飛秒脈沖光譜寬帶從10nm到40nm進行可編程控制，光譜形狀可編程為高斯型或三角形等。這是本領域首次實現飛秒鎖模脈沖光譜寬度和形狀高精度實時編程控制，解決了飛秒鎖模脈沖鎖模狀態(tài)無法精確調控的難題。 基于實時的光譜控制，該研究還展示了從窄譜鎖模態(tài)至寬譜鎖模態(tài)以及從三角形光譜脈沖態(tài)至寬譜鎖模態(tài)的演變過程，發(fā)現兩者動力學過程具有相似性，提出了目標鎖模狀態(tài)可能決定中間動力學過程的猜想，為人們進一步探索鎖模激光器內部機理提供新視角。 圖說：基于快速光譜分析的飛秒鎖模脈沖智能控制 非線性光學著名專家John Dudley教授（歐洲物理學會主席，IEEE/OSA Fellow）在《Light: Science & Applications》的“News & Views”欄目撰文介紹此項工作，認為本工作極具創(chuàng)新性，開拓了研究鎖模動力學新的可能性，很可能應用于多種鎖模光纖激光器中。 義理林教授課題組過去六年來一直致力于解決飛秒鎖模激光器的智能控制問題，2019年發(fā)表在光學領域頂級期刊《Optica》的“智能鎖模激光器”成果入選美國光學學會旗下新聞雜志《Optics & Photonics News》2019年光學年度進展“Optics in 2019”。該方向工作部分得到國家自然科學基金（61575122）的支持。《Light: Science & Applications》論文全文https://www.nature.com/articles/s41377-020-0251-x《Light: Science & Applications》“New & Views”評述論文https://www.nature.com/articles/s41377-020-0270-7

本發(fā)明提供的具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋(DFB)半 導體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發(fā)明通過 在單個半導體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個

摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無毒環(huán)保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優(yōu)點，而后續(xù)處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導電薄膜性能的關鍵。為此我們研究 105  到  10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規(guī)律，發(fā)現：電阻率的降低集中在相對狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa  到 10 Pa  之間，電阻率陡降了 2 個數量級。電阻率在 10 Pa  退火時達到最小值，繼續(xù)提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續(xù)降低。這一研究結果不僅澄清了以往對溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續(xù)工藝處理的模糊認識，而且對實際生產工藝具有重要的指導意義，例如以此為根據，選擇合適的真空度退火，達到既滿足產品的性能指標，又能節(jié)能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS  的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+  對 Zn2+  離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用  Ar+ 離子對退火后的樣品進行反濺射清洗，能進一步提高電導率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結構，能將入射太陽光分散到各個角度。用作太陽能電池電極時，能有效增強太陽能電池內的光吸收材料對入射太陽光的捕獲，提高光能利用率。

本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學介質層的兩個外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅控，向各納電場中電場強度最強部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電

本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖

本發(fā)明公開了一種小容量薄膜電容永磁同步電機直軸電流給定控制方法，采用小容量的薄膜電容，代替?zhèn)鹘y(tǒng)功率電路中的大容量電解電容，相比傳統(tǒng)的電機驅動系統(tǒng)，小容量薄膜電容變頻系統(tǒng)體積得到減小，重量得到減輕。本發(fā)明不需要考慮波動的母線電壓對交直軸參考電流的影響，相比于傳統(tǒng)的直軸電流給定方式更簡單有效；交直軸電壓給定經過陷波器，濾除特定次諧波分量，電流控制器采用內

本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法。所述的鈣鈦礦薄膜光伏電池采用可低溫制備的 SnO2 作為電子傳輸層，用以取代傳統(tǒng)的需要高溫燒結的 TiO2 電子傳輸層。這種基于低溫制備的 SnO2 電子傳輸層的鈣鈦礦薄膜光伏電池取得了14.60%的高光電轉化效率，大大優(yōu)于基于傳統(tǒng)高溫燒結的TiO2 電子傳輸層的鈣鈦礦太陽電池。SnO2 薄膜的化學性質穩(wěn)定而且制備過程簡單，極大地簡化鈣鈦礦電池 的制備流程，有效地降低電池的制作成本，也能很好的改善鈣

目前我國開始發(fā)展單體泵燃油噴射系統(tǒng)以使發(fā)動機的排放達到歐III排放標準，這對于我國節(jié)約能源、保護環(huán)境、降低車輛運輸成本等具有重要意義。本項目開發(fā)對單體泵內的關鍵零件—柱塞進行表面改性的工業(yè)化應用技術，使表面改性處理的柱塞不僅具有優(yōu)異的耐磨壽命（顯著優(yōu)于表面覆有TiN薄膜的柱塞），同時具有很低的摩擦系數（為TiN薄膜的～1/6），使柱塞/泵體摩擦副均具有高度的壽命水平和保持長期精度。

我們已采用磁控濺射沉積方法成功地制備和研究了環(huán)境友好的鈦酸鋇和鉍鎂鋯鈦氧的復合薄膜，發(fā)現其儲能密度和儲能效率在-100~200 °C溫度區(qū)間內都表現出了良好的熱穩(wěn)定性，并且其寬溫儲能密度明顯高于鉛基材料在這個溫度區(qū)間報道的最大值，使其成為替代鉛基儲能材料的最佳選擇。為了降低生產成本，目前我們正在通過研究和調控薄膜的生長工藝來實現在成本低廉的Si、Ni等襯底上制備大面積、高質量、高性能的復合儲能薄膜。