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項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 針對(duì)設(shè)備如何正確理解人類的邏輯和時(shí)序知識(shí)，并將獲得的知識(shí)便捷的轉(zhuǎn)換為當(dāng)前計(jì)算機(jī)體系的執(zhí)行代碼的問題，設(shè)計(jì)了用于智能應(yīng)用的SOC芯片。此芯片由當(dāng)前通用微處理器和相應(yīng)的固件構(gòu)成，固件由操作系統(tǒng)、類似人腦樹突學(xué)習(xí)和推理的新型思維模型和通用通信模塊構(gòu)成，SOC系列芯片可以解決認(rèn)知人類邏輯、時(shí)序思維的問題，具備了一定的認(rèn)知智能。系列芯片可分無帶代碼編程的控制芯片，無代碼編程的總線與網(wǎng)絡(luò)通信芯片，低代碼編程的運(yùn)動(dòng)控制芯片，制造業(yè)核心控制設(shè)備本質(zhì)安全芯片等幾個(gè)系列的芯片。 技術(shù)的創(chuàng)造性與先進(jìn)性、創(chuàng)新要點(diǎn)： 01）、提出了類人思維計(jì)算理論方法 02）、有別于馮諾曼和哈弗結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)運(yùn)行架構(gòu)  a、傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)程序由程序員完成，新的框架和機(jī)制要求計(jì)算機(jī) 程序由使用者經(jīng)過簡(jiǎn)單培訓(xùn)便可完成，改變了目前程開發(fā)模 式。  b、應(yīng)用開發(fā)過程可直接認(rèn)知和理解以人類思維描述的開發(fā)目標(biāo) 幾乎無需編寫代碼，與現(xiàn)有單片機(jī)、PLC等開發(fā)模式完全不同， 具備了認(rèn)知人類知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)的高等級(jí)人工智能功。 c、與現(xiàn)有的開發(fā)模式和開發(fā)工具相比，對(duì)開發(fā)人員專業(yè)技能要求大大降低，應(yīng)用開發(fā)效率極大提高。 03）、以人類思維的視角而非二進(jìn)制運(yùn)算的模式進(jìn)行計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)的處理。 獲獎(jiǎng)情況： 獲2016年山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)

目前，國(guó)產(chǎn)集成電路“缺芯少減”的現(xiàn)象非常嚴(yán)重，特別是在編程邏輯器件被美國(guó)幾家著名大公司所壟斷.國(guó)內(nèi)與固外差距巨大，可編程器件目前廣泛應(yīng)用于通信航天航空導(dǎo)航遙感遙測(cè)。大的應(yīng)用需R和發(fā)展前展。本項(xiàng)目針對(duì)嵌入了處理器的SoPC芯片(SystemonPogrammableChip)具有該現(xiàn)狀，與成都華微公司合作,研制了完全自主可控的SoPC芯片。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途：RFID是射頻識(shí)別技術(shù)的英文(Radio Frequency Identification)的縮寫，射頻識(shí)別技術(shù)是 20 世紀(jì) 90 年代開始興起的一種自動(dòng)識(shí)別 技術(shù)，射頻識(shí)別技術(shù)是一項(xiàng)利用射頻信號(hào)通過空間耦合(交變磁場(chǎng)或電磁場(chǎng))實(shí)現(xiàn) 無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達(dá)到識(shí)別目的的技術(shù)。 RFID 系統(tǒng)通過射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識(shí)別工作無須 人工干預(yù)。作為條形碼的無線版本，RFID 技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、防 磁、耐高溫、使用壽命長(zhǎng)、讀取距離大、標(biāo)簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量更 大、存儲(chǔ)信息更改自如等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)被世界公認(rèn)為本世紀(jì)十大重要技術(shù)之一，在 生產(chǎn)、零售、物流、交通等各個(gè)行業(yè)等各個(gè)行業(yè)有著廣闊的應(yīng)用前景。 86天津大學(xué)科技成果選編 87 本項(xiàng)目主要研發(fā)了基于 ISO18000-6B 協(xié)議的無源電子標(biāo)簽芯片，其可用于物 流，貨品識(shí)別，高速公路收費(fèi)等諸多領(lǐng)域，是目前國(guó)內(nèi)外射頻電路研究領(lǐng)域的熱 點(diǎn)。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介：UHF 頻段的無源電子標(biāo)簽工作原理如下：通過標(biāo) 簽上外置的偶極子天線接收讀卡器發(fā)送的載波信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)，為 整個(gè)芯片供電；同時(shí)片上的解調(diào)模塊解調(diào)出經(jīng)調(diào)制的載波信號(hào)所攜帶的數(shù)據(jù)信息， 并傳遞給片上的基帶部分加以處理；基帶部分連同 EEPROM 部分一起完成數(shù)據(jù)的 讀寫和控制功能，再由調(diào)制模塊以反向發(fā)射的形式將上行信號(hào)返回給讀卡器完成 一次通信。 本設(shè)計(jì)的工藝流程是基于 Chartered 0.35um EEPROM 數(shù)字工藝，從芯片設(shè)計(jì)、 仿真、版圖驗(yàn)證。最終通過代工廠完成芯片制作。 技術(shù)水平及專利與獲獎(jiǎng)情況：根據(jù)測(cè)試結(jié)構(gòu)表明，各項(xiàng)指標(biāo)都達(dá)到了商用需 求，在國(guó)內(nèi)屬領(lǐng)先水平。 該項(xiàng)成果已獲得國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的集成電路布圖登記證書。 BS.06500285.7 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測(cè)：目前國(guó)內(nèi)的 UHF 頻段的 RFID 產(chǎn)品正處于高速成 長(zhǎng)期，需求量快速增長(zhǎng)，但大多數(shù)核心技術(shù)需要依賴進(jìn)口。如果本項(xiàng)目能夠?qū)崿F(xiàn) 技術(shù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，可以預(yù)計(jì)的前景和經(jīng)濟(jì)效益是相當(dāng)可觀的。有了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 UHF 頻段電子標(biāo)簽，在很多領(lǐng)域都可以加以移植，取代進(jìn)口產(chǎn)品不但可以大大節(jié)省開 支，同時(shí)也可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的自我定制及更新，最大程度的方便了國(guó)內(nèi)用戶的應(yīng)用。 應(yīng)用領(lǐng)域：貨品跟蹤和識(shí)別（代替條形碼）、高速移動(dòng)物體的識(shí)別、防偽認(rèn) 證以及電子支付等領(lǐng)域都會(huì)有廣泛的應(yīng)用。 技術(shù)轉(zhuǎn)化條件（包括：原料、設(shè)備、廠房面積的要求及投資規(guī)模）： 四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應(yīng)軟件。也可以和 RFID 天線制造單位，卡片封裝單位共同合作，將成果轉(zhuǎn)產(chǎn)。 合作方式及條件：面談。

1.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的名稱：LED 芯片高速自動(dòng)檢測(cè)機(jī)。2.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的用途：用于對(duì) LED 芯片的電性能及光學(xué)性能執(zhí)行自動(dòng)檢測(cè)的裝置。3.本外觀設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)要點(diǎn)：檢測(cè)機(jī)的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設(shè)計(jì)要點(diǎn)的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產(chǎn)品設(shè)計(jì)要點(diǎn)且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。

近年來，受到國(guó)際網(wǎng)絡(luò)安全環(huán)境的影響，網(wǎng)絡(luò)安全越來越受到關(guān)注。對(duì)于網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵設(shè)備和節(jié)點(diǎn)，需要采用高效、可靠的網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)過濾設(shè)備來消除安全隱患。傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)過濾設(shè)備為了提高性能采用了國(guó)外公司的芯片方案進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)，在提高系統(tǒng)有效性的同時(shí)卻帶來了芯片層次的安全威脅。隨著相關(guān)國(guó)產(chǎn)芯片成熟度的提高和芯片層級(jí)的安全性威脅的加大，開發(fā)基于國(guó)產(chǎn)芯片方案的網(wǎng)絡(luò)處理、過濾設(shè)備的緊迫性變的越來越大。由于國(guó)產(chǎn)芯片跟國(guó)外同類芯片比較性能還有差距，為了提高基于國(guó)產(chǎn)芯片的網(wǎng)絡(luò)過濾設(shè)備的性能需要在系統(tǒng)架構(gòu)和并行處理方面進(jìn)行更多研究，以滿足高速數(shù)據(jù)處理的需要。 本設(shè)備基于國(guó)產(chǎn)芯片方案，實(shí)現(xiàn)高性能網(wǎng)絡(luò)分流和過濾，具有和服務(wù)器平臺(tái)交互的PCIE接口，4個(gè)千兆以太網(wǎng)接口，具有向萬兆網(wǎng)絡(luò)平滑過渡的能力，設(shè)備核心芯片模塊均采用國(guó)產(chǎn)芯片，設(shè)備處理能力達(dá)到千兆以上。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:項(xiàng)目簡(jiǎn)介：針對(duì)設(shè)備如何正確理解人類的邏輯和時(shí)序知識(shí)，并將獲得的知識(shí)便捷的轉(zhuǎn)換為當(dāng)前計(jì)算機(jī)體系的執(zhí)行代碼的問題，設(shè)計(jì)了用于智能應(yīng)用的SOC芯片。此芯片由當(dāng)前通用微處理器和相應(yīng)的固件構(gòu)成，固件由操作系統(tǒng)、類似人腦樹突學(xué)習(xí)和推理的新型思維模型和通用通信模塊構(gòu)成，SOC系列芯片可以解決認(rèn)知人類邏輯、時(shí)序思維的問題，具備了一定的認(rèn)知智能。系列芯片可分無帶代碼編程的控制芯片，無代碼編程的總線與網(wǎng)絡(luò)通信芯片，低代碼編程的運(yùn)動(dòng)控制芯片，制造業(yè)核心控制設(shè)備本質(zhì)安全芯片等幾個(gè)系列的芯片。技術(shù)的創(chuàng)造性與先進(jìn)性、創(chuàng)新要點(diǎn)：01）、提出了類人思維計(jì)算理論方法02）、有別于馮諾曼和哈弗結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)運(yùn)行架構(gòu) a、傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)程序由程序員完成，新的框架和機(jī)制要求計(jì)算機(jī)程序由使用者經(jīng)過簡(jiǎn)單培訓(xùn)便可完成，改變了目前程開發(fā)模式。 b、應(yīng)用開發(fā)過程可直接認(rèn)知和理解以人類思維描述的開發(fā)目標(biāo)幾乎無需編寫代碼，與現(xiàn)有單片機(jī)、PLC等開發(fā)模式完全不同，具備了認(rèn)知人類知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)的高等級(jí)人工智能功。c、與現(xiàn)有的開發(fā)模式和開發(fā)工具相比，對(duì)開發(fā)人員專業(yè)技能要求大大降低，應(yīng)用開發(fā)效率極大提高。03）、以人類思維的視角而非二進(jìn)制運(yùn)算的模式進(jìn)行計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)的處理。獲獎(jiǎng)情況：獲2016年山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)應(yīng)用范圍:2019年工信部的報(bào)告中提到，2019年工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)值達(dá)4800億，并拉動(dòng)2萬億的增長(zhǎng)，而我們的芯片可以直接應(yīng)用于工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)物聯(lián)網(wǎng)，我們的SOC芯片是支撐物聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)。此芯片不僅能夠?yàn)橹悄苤圃臁⒏叨搜b備提供不同功能的智能SOC，又可以以此為核心生產(chǎn)智能設(shè)備，還可以提供工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的整體解決方案；方案已經(jīng)應(yīng)用于智能樓宇綜合管理系統(tǒng)，智慧建造智能管控系統(tǒng)，辦公樓宇智能節(jié)能管理系統(tǒng)，智慧氣象綜合管理系統(tǒng)等，不僅能解決客戶的智慧應(yīng)用問題，還能完全替代國(guó)外控制領(lǐng)域的核心產(chǎn)品，從而不被卡脖子。技術(shù)成熟度:可以量產(chǎn)

北京大學(xué)物理學(xué)院“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”王劍威研究員和龔旗煌院士領(lǐng)導(dǎo)的課題組，與英國(guó)、丹麥、奧地利和澳大利亞的學(xué)者合作，實(shí)現(xiàn)了硅基集成光量子芯片上的多體量子糾纏和芯片-芯片間的量子隱形傳態(tài)功能，為芯片上光量子信息處理和計(jì)算模擬的應(yīng)用，奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果于近日發(fā)表在國(guó)際頂級(jí)物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技術(shù)，結(jié)合了量子物理、量子信息和集成光子學(xué)等前沿學(xué)科，通過半導(dǎo)體微納加工制造高性能且大規(guī)模集成的光量子器件，實(shí)現(xiàn)對(duì)光量子信息的高效處理、計(jì)算和傳輸?shù)裙δ堋Ｆ渲校霉杌矫婀獠▽?dǎo)集成技術(shù)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，包括集成度高、穩(wěn)定性好、編程操控性優(yōu)越和可單片集成核心光量子器件等，因此被認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的重要手段之一。 A. 硅基量子隱形傳態(tài)和多光子量子糾纏芯片的示意圖，左上角為集成量子光源的電子顯微鏡圖；B. 量子隱形傳態(tài)的量子線路圖；C. 量子糾纏互換的量子線路圖；D. GHZ糾纏制備的量子線路圖 北京大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)與布里斯托爾大學(xué)、丹麥科技大學(xué)、奧地利科學(xué)院、赫瑞-瓦特大學(xué)和西澳大利亞大學(xué)科研人員密切合作，在硅基光量子芯片技術(shù)和應(yīng)用方面取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了一種基于微環(huán)諧振腔的高性能集成量子光源，通過硅波導(dǎo)的強(qiáng)四波混頻非線性效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了光子全同性優(yōu)于90%、無需濾波后處理的50%觸發(fā)效率的單光子對(duì)源，達(dá)到了對(duì)4組微腔量子光源陣列的相干操控，片上雙光子量子糾纏源的保真度達(dá)到了92%。團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵的可編程片上雙比特量子糾纏門，可以按照功能需要切換貝爾投影測(cè)量和量子比特焊接操作，通過量子態(tài)層析實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了高保真的雙比特糾纏操作。 研究團(tuán)隊(duì)在單一硅芯片上實(shí)現(xiàn)了高性能量子糾纏光源、可編程雙比特量子糾纏門，以及可編程單量子比特測(cè)量的全功能集成，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了三種核心量子功能模塊——芯片上四光子真糾纏、量子糾纏互換、芯片-芯片間的高保真量子隱形傳態(tài)。通過對(duì)兩對(duì)糾纏光子對(duì)進(jìn)行量子比特焊接操作，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子糾纏的存在；通過對(duì)兩對(duì)糾纏光子中各一個(gè)光子進(jìn)行貝爾投影操作，實(shí)現(xiàn)了量子糾纏互換功能，使來自不同光子源的光子間產(chǎn)生了量子糾纏；利用兩個(gè)芯片間的量子態(tài)傳輸和量子糾纏分布技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)芯片間任意單量子比特的量子隱形傳態(tài)，達(dá)到了近90%的隱形傳態(tài)保真度。 團(tuán)隊(duì)研制的硅基多光子量子芯片尺寸僅占幾平方毫米，比傳統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方法小了約5-6個(gè)數(shù)量級(jí)，不僅達(dá)到了器件的微型化，同時(shí)具備了單片全功能集成、器件編程可控、系統(tǒng)性能優(yōu)越等特點(diǎn)，其中量子隱形傳態(tài)保真度優(yōu)于已報(bào)道的其它物理實(shí)現(xiàn)方法。多體量子糾纏體系的片上制備與量子調(diào)控技術(shù)，為片上量子物理基礎(chǔ)研究和片上光量子信息處理傳輸、量子計(jì)算模擬的應(yīng)用提供了重要基礎(chǔ)。

硅芯片是當(dāng)代信息技術(shù)的核心，當(dāng)前正向“深度摩爾”（More Moore）和“超越摩爾”（More than Moore）兩個(gè)方向發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用是“超越摩爾”技術(shù)路線中相當(dāng)重要的一環(huán)，需要數(shù)量巨大的集成電路芯片來分析處理來自外部傳感器件的海量信號(hào)。目前，大多數(shù)傳感信號(hào)采集器件和信號(hào)處理單元均為分離設(shè)計(jì)，將在整體上產(chǎn)生更大功耗并占據(jù)更大的空間。由此，復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系教授梅永豐課題組提出了將信號(hào)檢測(cè)和分析功能集成于同一個(gè)芯片器件中的全新概念。作為演示，研究團(tuán)隊(duì)將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材料相結(jié)合和組裝，構(gòu)造了對(duì)不同環(huán)境變量進(jìn)行檢測(cè)和分析的柔性硅芯片傳感器及其系統(tǒng)。這一思路不僅具有優(yōu)異的可擴(kuò)展性，還可與當(dāng)前集成電路先進(jìn)制造工藝相兼容。5月2日，相關(guān)研究結(jié)果以《面向智能數(shù)字灰塵的硅納米薄膜光電晶體管多功能集成傳感器研究》（“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”）為題發(fā)表在《科學(xué)進(jìn)展》（Science Advances）上。研究團(tuán)隊(duì)從器件的傳感機(jī)理入手，利用柔性薄膜組裝集成芯片傳感器，實(shí)現(xiàn)了多種環(huán)境參數(shù)探測(cè)功能的集成。圖1：(A) 器件主要功能層示意圖；(B) 貼附于曲面上的柔性傳感器件陣列；(C) 智能傳感器件功能區(qū)的光學(xué)顯微照片；(D)用于濕度傳感的集成系統(tǒng)構(gòu)造圖；(E) 氫氣通入前后參比器件與檢測(cè)器件的電流變化，紅色為參比電流，藍(lán)色為檢測(cè)電流。智能材料在環(huán)境刺激中可以發(fā)生折射率、顏色、晶體結(jié)構(gòu)等方面的光學(xué)性質(zhì)變化，但一般需要光譜設(shè)備或比色卡才能進(jìn)行比對(duì)。而翻轉(zhuǎn)的硅薄膜光電晶體管由于沒有柵極金屬阻擋功能區(qū)域的光信號(hào)吸收，可以更容易獲得高靈敏的傳感特性。利用這一點(diǎn)，研究團(tuán)隊(duì)將多種智能薄膜材料貼合在器件功能區(qū)，智能材料內(nèi)部物理性質(zhì)變化引起了微小光學(xué)性能改變，從而表現(xiàn)在輸出的光電流上，因此可以在同一個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)對(duì)多種不同信號(hào)的同時(shí)檢測(cè)。圖1A展示了傳感器件典型的功能層結(jié)構(gòu)，頂層的智能薄膜材料對(duì)環(huán)境刺激發(fā)生響應(yīng)，進(jìn)而改變下方硅單晶薄膜光電晶體管的輸出信號(hào)。具有2微米厚的熱氧化二氧化硅層則作為光電晶體管的封裝，對(duì)下方器件進(jìn)行保護(hù)。硅薄膜光電晶體管完全由晶圓級(jí)先進(jìn)集成電路工藝方法制備而成，結(jié)合了傳統(tǒng)硅基光電子器件的高性能和硅納米薄膜超薄厚度下的優(yōu)良柔性。圖1B是貼附于半徑僅為2毫米直徑玻璃管上的柔性器件陣列，表現(xiàn)出良好的彎曲性能。圖1C是單個(gè)器件功能區(qū)域的特寫，在藍(lán)色虛框部分集成不同智能材料即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不同環(huán)境信號(hào)的檢測(cè)。圖1D是具有完備傳感與數(shù)據(jù)處理功能的柔性系統(tǒng)合成圖，包括傳感與參比器件、邏輯與存儲(chǔ)單元、信號(hào)放大器和電源。研究團(tuán)隊(duì)利用該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了對(duì)環(huán)境中濕度的實(shí)時(shí)、快速檢測(cè)，演示的信號(hào)為依次減小的三個(gè)濕度脈沖。整個(gè)過程中直接對(duì)環(huán)境變化做出響應(yīng)的信號(hào)，即參比器件與傳感器件輸出電流隨時(shí)間的變化如圖1E中所示。當(dāng)環(huán)境發(fā)生變化（如圖所示通入氫氣），傳感器件的輸出電流大幅增加，而參比電流保持平穩(wěn)，再利用差分電路處理，即可給出所檢測(cè)的環(huán)境參數(shù)的值。研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了將智能材料與光電傳感結(jié)合的新穎傳感機(jī)制，并將傳感模塊與后續(xù)信號(hào)處理等模塊集成在一起，展示了其在氣體濃度、濕度、溫度等多種環(huán)境參數(shù)檢測(cè)方面的能力，已經(jīng)初步具備了未來的“智能數(shù)字灰塵”的雛形。該策略也可以應(yīng)用于其他的數(shù)字傳感系統(tǒng)，在后摩爾時(shí)代中將具有巨大的應(yīng)用潛力。論文主要由李恭謹(jǐn)博士，博士研究生馬喆和尤淳瑜合作完成，并獲得韓國(guó)延世大學(xué)Taeyoon Lee教授和中科院微系統(tǒng)所狄增峰研究員的合作支持。該工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金委、上海市科委、復(fù)旦大學(xué)和專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等大力支持。

（ (A) 器件主要功能層示意圖；(B) 貼附于曲面上的柔性傳感器件陣列；(C) 智能傳感器件功能區(qū)的光學(xué)顯微照片；(D)用于濕度傳感的集成系統(tǒng)構(gòu)造圖；(E) 氫氣通入前后參比器件與檢測(cè)器件的電流變化，紅色為參比電流，藍(lán)色為檢測(cè)電流 ）