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晶盛機電以技術(shù)創(chuàng)新作為持續(xù)發(fā)展的動力源泉。相繼開發(fā)出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的全自動單晶生長爐、多晶鑄錠爐、區(qū)熔硅單晶爐、藍(lán)寶石爐等晶體生長設(shè)備，同時開發(fā)并銷售晶體加工、光伏電池和組件等裝備，致力于打造光伏產(chǎn)業(yè)鏈裝備技術(shù)和規(guī)模雙領(lǐng)先的裝備龍頭企業(yè)；在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)8-12英寸大硅片制造用晶體生長及加工裝備的國產(chǎn)化，并取得半導(dǎo)體材料裝備的領(lǐng)先地位；成功掌握國際領(lǐng)先的450kg級超大尺寸泡生法藍(lán)寶石晶體生長技術(shù)，藍(lán)寶石材料業(yè)務(wù)具備較強的成本競爭力并逐步形成規(guī)模優(yōu)勢；在工業(yè)4.0方向，公司為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)和LED產(chǎn)業(yè)提供智能化工廠解決方案，滿足了客戶對“機器換人+智能制造”的生產(chǎn)模式需求。

國AA級照度 利爾達(dá)明眸護(hù)眼臺燈，完美達(dá)到國AA級標(biāo)準(zhǔn) 護(hù)眼柔光，光源均勻覆蓋，更接近自然光 照度均勻度好，緩解書桌中心和外圍的明暗過渡 不易眼疲勞，用眼更舒適 三鍵操作 觸摸控制 5檔色溫 5檔亮度 自由搭配 高亮模式 清晰明亮讀寫更專注 中亮模式 補充環(huán)境光，看屏幕不疲勞 低亮模式 睡前氛圍光，溫柔不刺眼 無可視頻閃 劣質(zhì)護(hù)眼燈在無形中會毀掉孩子的眼睛 而利爾達(dá)明眸護(hù)眼臺燈，靠實力說話 想判定你家買的臺燈是否有頻閃？ 拿出手機，打開相機對準(zhǔn)臺燈 若手機屏幕出現(xiàn)明顯的格柵，則頻閃未達(dá)標(biāo) 防藍(lán)光 三重濾光技術(shù)，從源頭防藍(lán)光 符合RG0標(biāo)準(zhǔn) 高顯指 ??近距離陪伴孩子書寫學(xué)習(xí)的護(hù)眼臺燈顯色指數(shù)越高越好，且顯色度越高就越接近自然光，利爾達(dá)明眸護(hù)眼臺燈，顯色指數(shù)＞90，忠實還原物品的色彩，在晚上也能給孩子一個真實的世界，舒緩眼睛疲勞。 權(quán)威機構(gòu)認(rèn)證 中國質(zhì)量中心CCC認(rèn)證 檢測報告完全符合標(biāo)準(zhǔn) 提供專業(yè)書寫照明環(huán)境

國AA級照度 利爾達(dá)明眸護(hù)眼臺燈，完美達(dá)到國AA級標(biāo)準(zhǔn) 護(hù)眼柔光，光源均勻覆蓋，更接近自然光 照度均勻度好，緩解書桌中心和外圍的明暗過渡 不易眼疲勞，用眼更舒適 三鍵操作 觸摸控制 5檔色溫 5檔亮度 自由搭配 高亮模式 清晰明亮讀寫更專注 中亮模式 補充環(huán)境光，看屏幕不疲勞 低亮模式 睡前氛圍光，溫柔不刺眼 無可視頻閃 劣質(zhì)護(hù)眼燈在無形中會毀掉孩子的眼睛 而利爾達(dá)明眸護(hù)眼臺燈，靠實力說話 想判定你家買的臺燈是否有頻閃？ 拿出手機，打開相機對準(zhǔn)臺燈 若手機屏幕出現(xiàn)明顯的格柵，則頻閃未達(dá)標(biāo) 防藍(lán)光 三重濾光技術(shù)，從源頭防藍(lán)光 符合RG0標(biāo)準(zhǔn) 高顯指 ??近距離陪伴孩子書寫學(xué)習(xí)的護(hù)眼臺燈顯色指數(shù)越高越好，且顯色度越高就越接近自然光，利爾達(dá)明眸護(hù)眼臺燈，顯色指數(shù)＞90，忠實還原物品的色彩，在晚上也能給孩子一個真實的世界，舒緩眼睛疲勞。 權(quán)威機構(gòu)認(rèn)證 中國質(zhì)量中心CCC認(rèn)證 檢測報告完全符合標(biāo)準(zhǔn) 提供專業(yè)書寫照明環(huán)境

光收發(fā)芯片是光收發(fā)模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)物理層的主要基礎(chǔ)芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅(qū)動器三種。它們被用于光纖傳輸?shù)那岸耍瑏韺崿F(xiàn)高速傳輸信號的光電、電光轉(zhuǎn)換，這些功能被集成在光纖收發(fā)模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發(fā)操作系統(tǒng)及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設(shè)，并致力于構(gòu)建區(qū)別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態(tài)體系 。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動器，設(shè)計用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動器，設(shè)計用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度

傳統(tǒng)上多采用Ni/Au金屬作為LED的電極，降低出光效率，因此，需要采用 透明電極。針對LED對透明電極的要求，利用磁控濺射法在玻璃襯底上設(shè)計不同 氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時間等參數(shù)下的實驗制備 CI0和ZA0薄膜，探尋制備兩類薄膜的合適的工藝條件；并研究了退火處理對制 備薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。制備出高質(zhì)量、高性能的CI0和ZA0薄膜，發(fā)現(xiàn)薄 膜的透光率均在80%以上，甚至可高達(dá)91%,電阻率達(dá)到10-3Q. cm數(shù)量級或 更低，達(dá)到了 LED用透明電極薄膜材料的性能要求。

可以量產(chǎn)/n高壓LED是多個LED單元的芯片級串聯(lián)，互連比多個小功率管芯打線互連更為可靠；且LED單元之間間距很小，光線集中，便于光學(xué)設(shè)計，可用于高光密度照明，路燈、廣場照明和舞臺聚光照明等。幾個高壓LED串聯(lián)后可直接達(dá)到市電電壓水平，變壓能耗小，驅(qū)動設(shè)計簡單，可用于各種市電照明場合，例如室內(nèi)照明、園區(qū)和工作場所照明等；高壓LED能減小驅(qū)動電路、光學(xué)設(shè)計和散熱部分的體積，因此 可采用多種燈具形式和適用多種安裝場合。

傳統(tǒng)上多采用Ni/Au金屬作為LED的電極，降低出光效率，因此，需要采用透明電極。針對LED對透明電極的要求，利用磁控濺射法在玻璃襯底上設(shè)計不同氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時間等參數(shù)下的實驗制備CIO和ZAO薄膜，探尋制備兩類薄膜的合適的工藝條件；并研究了退火處理對制備薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。制備出高質(zhì)量、高性能的CIO和ZAO薄膜，發(fā)現(xiàn)薄膜的透光率均在80%以上，甚至可高達(dá)91％，電阻率達(dá)到10－3Ω.cm數(shù)