傳統上多采用Ni/Au金屬作為LED的電極,降低出光效率,因此,需要采用透明電極。針對LED對透明電極的要求,利用磁控濺射法在玻璃襯底上設計不同氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時間等參數下的實驗制備CIO和ZAO薄膜,探尋制備兩類薄膜的合適的工藝條件;并研究了退火處理對制備薄膜的結構和性能的影響。制備出高質量、高性能的CIO和ZAO薄膜,發現薄膜的透光率均在80%以上,甚至可高達91%,電阻率達到10-3Ω.cm數