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本發(fā)明提供一種牙本質(zhì)底涂?沖洗底涂劑及其方法，所述的牙本質(zhì)底涂劑是用于口腔科修復(fù)牙體缺損的情況，將牙本質(zhì)底涂劑底涂?沖洗預(yù)處理牙本質(zhì)表面，再應(yīng)用自酸蝕粘接劑粘接修復(fù)體與牙本質(zhì)，口腔科底涂?沖洗牙本質(zhì)底涂劑含60%?99.4%的酒精水溶液，0.5%?30%的弱酸性功能單體和0.1%?10%基質(zhì)金屬蛋白酶抑制劑。含有弱酸性的10?MDP使牙本質(zhì)輕度脫礦；基質(zhì)金屬蛋白酶抑制劑減少膠原纖維的降解；同時(shí)用底涂?沖洗的方法預(yù)處理牙本質(zhì)，使生成的MDP?Ca更牢固地接合于羥基磷灰石，可以進(jìn)一步提高牙齒粘接強(qiáng)度和粘結(jié)持久性，使牙齒與直接或間接修復(fù)體的接合更牢固、持久，更好地保護(hù)牙體剩余組織的健康。

圖像傳感器，是一種常用的光電探測(cè)器件，它能將光子信號(hào)轉(zhuǎn)換成電子信號(hào)，被廣泛地應(yīng)用在高性能光譜儀、數(shù)碼相機(jī)以及其他的電子光學(xué)設(shè)備中。普通的CCD、CMOS硅基探測(cè)器能獲得高量子效率的光譜響應(yīng)范圍在400~900nm波段，在紫外波段，由于多晶硅柵的吸收系數(shù)很大，這就意味著紫外光子在極端淺（小于2nm）的表層被吸收，導(dǎo)致其在波長(zhǎng)小于400nm的紫外波段量子效率（QE）極低。紫外量子效率低的缺陷限制了前照式硅基探測(cè)器在航空業(yè)、工業(yè)以及制造業(yè)等領(lǐng)域中的應(yīng)用。因此，研制寬波段硅基探測(cè)器件使其響應(yīng)范圍延伸到紫外和深紫外波段是國(guó)內(nèi)外紫外探測(cè)領(lǐng)域的迫切需要。

本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)分辨監(jiān)測(cè)方法?；诠?基液晶在同樣的偏置電壓下，對(duì)不同波長(zhǎng)入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對(duì)在硅基液晶波長(zhǎng)工作范圍內(nèi)的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測(cè)，并能 在入射光波長(zhǎng)未知的條件下，對(duì)該波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長(zhǎng)的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊 湊，對(duì)光路的準(zhǔn)直要求不高，無(wú)需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長(zhǎng)的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無(wú)關(guān)的特性，在分辨出波長(zhǎng) 的同時(shí)，還能對(duì)入射光束的偏振態(tài)進(jìn)行測(cè)量，適用范圍更廣。 

采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時(shí)可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。

本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)分辨監(jiān)測(cè)方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對(duì)不同波長(zhǎng)入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對(duì)在硅基液晶波長(zhǎng)工作范圍內(nèi)的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測(cè)，并能 在入射光波長(zhǎng)未知的條件下，對(duì)該波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長(zhǎng)的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊 湊，對(duì)光路的準(zhǔn)直要求不高，無(wú)需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長(zhǎng)的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無(wú)關(guān)的特性，在分辨

一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長(zhǎng)選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問(wèn)題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對(duì)需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長(zhǎng)選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長(zhǎng)選擇開關(guān)輸出端

一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長(zhǎng)選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問(wèn)題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對(duì)需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長(zhǎng)選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長(zhǎng)選擇開關(guān)輸出端

可以量產(chǎn)/n高魚徐膜設(shè)備采用淋蠟涂膜原理，將固體食品級(jí)石蠟電加熱熔化，采用自加熱夾層泵抽取蠟液，淋到輸送鏈上的皮蛋E，自然冷卻后成膜:徐蠟機(jī)生產(chǎn)率2000枚/小時(shí)，涂膜量小于1克，并可調(diào)節(jié)，禽蛋破損率小于0.1%。鴨皮蛋涂蠟機(jī)創(chuàng)造性地解決了制約皮蛋機(jī)械涂蠟的眾多技術(shù)難題，如停機(jī)后石蠟在泵芯凝固使機(jī)器難以啟動(dòng)、石蠟在輸送裝置上凝固使工作無(wú)法連續(xù)進(jìn)行、皮蛋受高溫影響易炸裂等難題，該機(jī)成為國(guó)內(nèi)第一臺(tái)實(shí)際應(yīng)用的涂蠟機(jī)，查新顯示，該成果屬于國(guó)際領(lǐng)先。。成果研制的禽蛋涂膜設(shè)備于2009年應(yīng)用至今，累計(jì)加工皮蛋5

1、 一種具有高度可見(jiàn)光透過(guò)率與隔熱特性的陶瓷基玻璃涂層或玻璃貼膜。 玻璃改造后可見(jiàn)光透過(guò)率高于 70%，屏蔽 99%以上的致癌性紫外線，且有 效阻止通過(guò)玻璃的熱能交換過(guò)程，可用于建筑或汽車玻璃的節(jié)能改造， 提升建筑的適居度與節(jié)能效果。 2、 該項(xiàng)目各技術(shù)環(huán)節(jié)環(huán)保無(wú)毒，產(chǎn)品成本遠(yuǎn)低于市面現(xiàn)有技術(shù)，性能優(yōu)于 現(xiàn)有技術(shù)，設(shè)備投入與實(shí)施成本低。

在高技術(shù)陶瓷領(lǐng)域，先進(jìn)陶瓷占有極其重要的地位，在諸多的先進(jìn)陶瓷中，氮化硅基先進(jìn)陶瓷以其高強(qiáng)度、高韌性、高的抗熱震性、高的化學(xué)穩(wěn)定性在先進(jìn)陶瓷中占有獨(dú)特的地位，是公認(rèn)的未來(lái)陶瓷發(fā)動(dòng)機(jī)中最重要的侯選材料。并且在國(guó)際上氮化硅陶瓷刀具和氮化硅基陶瓷軸承已經(jīng)形成相當(dāng)規(guī)模的產(chǎn)業(yè)。任何一個(gè)跨國(guó)刀具公司都有氮化硅基陶瓷刀具的系列產(chǎn)品，足見(jiàn)其在機(jī)加工行業(yè)中具有不可替代的地位。 但是，影響氮化硅陶瓷推廣的一個(gè)主要因素，是氮化硅粉末價(jià)格昂貴，這是由于傳統(tǒng)的制取氮化硅粉末的方法耗能高，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，生產(chǎn)成本高。本項(xiàng)目采用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新的燃燒合成技術(shù)，制取氮化硅陶瓷粉末和氮化硅復(fù)合粉末，具有耗能低，生產(chǎn)周期短，雜質(zhì)含量低，生產(chǎn)成本低等特點(diǎn)，具有廣泛的應(yīng)用前景。 燃燒合成（Combustion Synthesis，CS）又名自蔓延高溫合成（Self- Propagating High-Temperature Synthesis，SHS），是利用化學(xué)反應(yīng)自身放熱合成材料的新技術(shù)，基本上（或部分）不需要外部熱源，通過(guò)設(shè)計(jì)和控制燃燒波自維持反應(yīng)的諸多因素獲得所需成分和結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物。 自1990年以來(lái)，本項(xiàng)目負(fù)責(zé)人等針對(duì)燃燒合成氮化硅陶瓷產(chǎn)業(yè)化的一系列關(guān)鍵問(wèn)題，在氣-固體系氮化硅基陶瓷的燃燒合成熱力學(xué)、動(dòng)力學(xué)和形成機(jī)制等方面進(jìn)行了深入研究后得到的創(chuàng)新成果。 采用本項(xiàng)目的技術(shù)，可以生產(chǎn)符合制作先進(jìn)陶瓷要求的從全α-Si3N4相到高β- Si3N4相，及不同配比的氮化硅粉末，還可根據(jù)用戶要求，用此技術(shù)生產(chǎn)α-Sialon，β-Sialon和其它各種氮化硅基的復(fù)合粉末。粉末的質(zhì)量?jī)?yōu)良而穩(wěn)定。 應(yīng)用于航天、航空及機(jī)械行業(yè)等，用于制作氮化硅陶瓷刀具、氮化硅基陶瓷軸承、耐磨耐腐陶瓷涂料等。