InP?基?2?微米波段半導體激光器
可以量產/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制備及器件工藝制作方面具有諸多優勢。除了具 有高質量,低成本的襯底材料,InP基激光器因其兼容傳統通訊用激光器的成熟工 藝,且易與其它器件實現集成等優勢而具有更好的工業應用前景。我們擁有采用 MOCVD制備大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半導體激光器工藝制作以及 器件測試封裝的全套技術。我們制備的激光器外延芯片波長可精確調控,其面內波 長不均勻性低至±3nm,相應的激光器件性能指達到國際先進水平。 目前市場對2微米激光器的應用需求主要
中國科學院大學
2021-01-12