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DH4501N三維亥姆霍茲線圈磁場實驗儀
1、學習霍爾效應原理，測繪霍爾元件的VH-1s，VH-ls,VH-lM曲線
2、測量單個通電圓線圈軸線上(X方向)各點的磁感應強度;
3、測量亥姆霍茲線圈軸線上各點的磁感應強度，比較和驗證磁場疊加原理;
4、測測量兩個通電圓線圈不同間距時的線圈軸線上各點的磁感應強度;
5、測量亥姆霍茲線圈Y方向和Z方向上B的分布。
杭州大華儀器制造有限公司
2021-02-01
一種單相α-Si3N4超細粉體及其制備方法
小試階段/n本發明解決單相α-Si3N4超細粉體制備技術存在的問題，如原料價格高、工藝過程復雜、不易控制、能耗高和工業化程度低，所制備的產品純度低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和Alpha相含量低。本發明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產率高和產業化前景大的特點；所制備的單相α-Si3N4超細粉體粒度為100~500nm，無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。本發明處于待轉化階段，應用范圍廣闊，市場前景可觀，預期經濟效益優異。
武漢科技大學
2021-01-12
H7N9亞型流感抗原快速檢測試紙條
該成果是揚州大學江蘇省家禽疫病防控工程技術研究中心自主研發的 H7N9 亞型流感抗原檢測試劑及試劑盒產品。 產品以兩株針對 H7N9 流感病毒不同抗原表位的單克隆抗體建立雙抗體夾心免疫層析快速檢測試紙條。該試紙條特異性、廣譜性強，與傳統的血凝和血凝抑制試驗相比，靈敏度更高、耗時更短； 與國外進口的同類產品有相同的檢出率，且敏感性更高，更利于臨床樣品的快速檢測，適合推廣應用。
揚州大學
2021-04-14
一種 N2 分子振轉 Raman 譜的測量系統
本發明公開了一種 N2 分子振轉 Raman 譜的測量系統。該系統由發射單元和光學接收與信號檢測單 元組成。發射單元采用種子注入的固體激光器輸出極窄線寬的 354.8 nm 紫外激光照射大氣分子；光學接 收與信號檢測單元收集由 N2 分子產生的振轉 Raman 譜信號，采用雙光柵色散系統將 384.9-388.6 nm 范 圍光以 8.3 mm nm-1 的線色散率在空間上色散開來，采用 32 通道的線陣探測器分辨并記錄 N2 分子振轉 Ram
武漢大學
2021-04-14
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A
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XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型顯示頭部、頸部深、淺層血管和神經，在顯示頭部、頸部的肌肉基礎上顯示血管、神經的分布和走向，頭部、頸部作正中矢狀切面顯示各種器官結構，左側半腦拆下可示腦神經外形及腦神經進出腦及腦顱底部位，腦可拆下示眼外肌。
尺寸：自然大，38.5×24×50cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
P06/N01/PSt壓電陶瓷促動器—芯明天科技
產品詳細介紹 壓電陶瓷，是一種能夠將機械能和電能互相轉換的功能陶瓷材料。壓電陶瓷到底是一種什么樣的材料呢？壓電陶瓷屬于無機非金屬材料。這是一種具有壓電效應的材料。所謂壓電效應是指某些介質在力的作用下產生形變，引起介質表面帶電，這是正壓電效應。反之，施加激勵電場，介質將產生機械形變，稱逆壓電效應。這種奇妙的效應已經被科學家應用在與人民生活密切相關的許多領域，以實現能量轉換、傳感、驅動、頻率控制等功能 特性：納米級分辨率 無摩擦，無間隙 剛度強，使用壽命長 可選擇位置傳感功能進行閉環控制 真空兼容，可在高溫或低溫下操作 機械接頭形式：螺紋、圓球、平頭 可根據客戶要求定制應用：通信，光纖調節 顯微鏡微調，機械工程 微系統技術，你米定位技術 半導體設備，精密儀器 閥門（真空管） 度量衡/干涉度量學 生命科學/生物技術
哈爾濱芯明天科技有限公司
2021-08-23
實驗室智能中控箱
智能化控制系統的核心設備，具備本地邏輯運算功能，可不依賴于服務器完成人員刷卡的身份認證及相關控制指令的下發功能。同時具備本地的數據存儲功能，當出現斷網情況時，所有數據進行本地存儲，網絡恢復后自動與服務器進行同步。
重慶步航科技有限公司
2022-09-08
置物箱
本實用新型公開了置物箱，屬于置物箱技術領域。置物箱，包括底座，底座底面上固定安裝有萬向滾輪，萬向滾輪上固定連接有鎖緊裝置，底座上方設置有封閉式置物裝置，封閉式置物裝置包括有大型置物柜和小型置物柜，大型置物柜和小型置物柜均包括有柜門和置物腔，柜門的一側豎直棱邊上固定安裝有鉸鏈，柜門通過鉸鏈與柜體活動連接，另一側豎直棱邊上固定安裝有電子鎖；封閉式置物裝置上端固定連接有置物臺，置物臺的側壁上嵌入安裝有掃碼服務裝置；本實用新型有效解決在火車站、機場等場所未設置公共置物設施，旅客臨時置物較為不便
安徽建筑大學
2021-01-12
InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法
本發明是關于半導體材料領域，旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進行水熱反應；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
浙江大學
2021-04-13
一類N-取代胺基香豆素及其除草與殺菌用途
本發明涉及25種N?取代氨基香豆素衍生物及其制備方法，以及在抑菌、除草方面的用途。25種N?取代氨基香豆素衍生物，通過6?氨基香豆素與間氟苯甲醛縮合并用NaBH4還原得中間體，再將其與不用酰氯在三乙胺存在下縮合得系列目標化合物。這些化合物可作為除草劑防治雜草馬唐及反枝莧，也可作為殺菌劑防治番茄灰霉病菌及蘋果腐爛病菌。
青島農業大學
2021-04-13