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產品詳細介紹玻璃儀器氣流烘干器是使用玻璃儀器的各類實驗室、化驗室干燥玻璃儀器的適用設備。填補了國內空白，它具有快速、節能、無水漬、使用方便、維修簡單等優點.該烘干器分B、C型二種型號。B型為改進新型，有調溫自動控制裝置(可調溫40-120℃)，C型為全不銹鋼調溫型。 規格： (1)12孔 20孔 30孔可依需要任意選擇。 (2)標準管、異形管，粗細長度不等，還可根據需要另訂制作。   序號 NO. 規格 型號 Type 實用范圍 Range 風管尺寸 Air duct Dementions 調整范圍 Adjustable range 機型尺寸 Machine Dimension (mm) 重量 Weight Kg 功率 Power 工作電源 Working Pressure 長度 Length 數量 溫度 Temp. 精度 Precision W V/HZ (mm) Q ℃ ℃ 1 B 800 ～220/50 170/200 12 20 30 40/120 ±5 400×40 7 8 2 C 

山東力諾特種玻璃股份有限公司是以玻璃新材料為主導產品的高新技術企業，總部位于山東省濟南市商河縣玉皇廟鎮政府駐地，現有職工900余人。擁有自營進出口權，已通過ISO9001質量管理體系、ISO15378藥包材質量管理體系、ISO17025實驗室（CNAS）認可、ISO14001環境管理體系、OHSAS18001職業健康安全管理體系、GB/T23331能源管理體系、EICC電子行業行為準則體系認證、安全生產標準化二級企業，公司擁有山東省級企業技術中心等科技研發平臺。 公司現擁有藥用包裝玻璃、耐熱玻璃、電光源玻璃三大系列產品，產品質量達到國際先進水平。高硼硅耐熱玻璃器具、電光源硬料玻殼/玻管、藥用玻管、藥用安瓿和管制注射劑瓶被評為山東名牌產品。 公司為中國日用玻璃協會七屆理事會2016執行會長單位、中國醫藥包裝協會副會長單位、中國醫藥包裝協會標準起草委員會副 主任單位，全國玻璃儀器標準化技術委員會副主任委員單位、山東醫藥包裝協會會長單位。核心參與了5.0、7.0藥用玻璃、玻 璃儀器和耐熱玻璃器皿國家標準的起草工作。主起草微波爐玻璃托盤等多項國家標準，核心參與耐熱玻璃標識等行業管理規范 的制定，擁有三十余項專利技術。 高硼硅耐熱玻璃器具成為美的、格蘭仕、瑞典Electrolux、美國 WORLD KITCHEN、美國OXO、德國EMSA ,韓國LG電子等著名企業的核心供應商；電光源玻殼成為Philips全球、德國OSRAM、美國GE、 日本EYE等HID燈殼的戰略供應商；中硼硅藥用安瓿、管制注射劑瓶填補國內空白，為上藥集團、揚子江藥業集團、齊魯制藥、神威藥業、復星醫藥、華潤醫藥集團等著名企業的核心供應商。 公司榮獲中國工業行業排頭兵企業、全國“十二五”科技創新先進集體、中國耐熱玻璃龍頭企業、中國輕工業日用玻璃行 業十強企業、全國日用玻璃行業功勛企業、中國醫藥包裝事業突出貢獻單位、全國工人先鋒號、十一五科技創新先進集體、山 東省總工會富民興魯勞動獎章、山東省現場管理樣板企業、山東省兩化融合優秀企業、山東省首批企業文化試點單位、山東省 管理體系認證優秀單位等榮譽稱號。 公司恪守“產業報國，追求卓越”精神，聚焦醫藥包裝、耐熱玻璃，成為細分市場的領先者,保障持續、健康、穩定發展，為實現 國家、社會、企業、員工、股東價值最大化做出新的貢獻！

由東南大學信息科學與工程學院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯合成都天銳星通科技有限公司、網絡通信與安全紫金山實驗室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規模集成陣列天線技術”項目成果通過了中國電子學會組織的現場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動、信通院、華為、中興、大唐電信和國內5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會對該項成果進行了現場鑒定并給予了高度評價，一致認為：該項目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規模推廣應用的核心技術瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規模集成陣列天線低成本解決方案，多項關鍵技術屬首創；在硅基CMOS毫米波技術路線取得重大突破，在大規模相控陣天線集成度方面國際領先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛星通信等領域具有廣闊的應用前景，在該領域“卡脖子”技術上取得關鍵突破，已在相關應用部門得以成功推廣應用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術的突破，將帶來無線通信行業的一次變革，解決相控陣系統“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優勢，但其輸出功率相對較低，器件本身寄生效應較大。項目組經過長達6年的技術探索與創新，克服了毫米波CMOS芯片技術的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數為3dB，發射通道效率達到15%，無需校準便可實現精確幅相調控；基于大規模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。

本發明公開了提供的一種用于復合波片光軸對準的裝夾裝置，該裝置包括電控旋轉臺、固定波片卡盤和旋轉波片卡盤；波片支架安裝在電控旋轉臺，固定波片卡盤與電控旋轉臺基座連在一起，旋轉波片卡盤與電控旋轉臺轉盤連在一起，使用時，將安裝有晶片的波片支架安裝在固定波片卡盤和旋轉波片卡盤上。本發明提供的裝夾裝置可以實現在對復合波片光軸進行高精度對準時，對組成復合波片的各晶片進行夾持，并保證不同晶片間能產生高精度高分辨率的相對轉動。與現有波片夾具相比，本發明所提供的裝夾裝置不僅能夠實現對兩片晶片的夾持和精確定位，而且能夠使兩片晶片間產生高精度高分辨率地相對轉動，更適合用于復合波片光軸的對準過程。

本發明公開了一種具有良好吸波性能的納米晶稀土鐵基吸波材料及其制備方法，該材料的特征在于 將配比為重量百分比為2％～70％稀土元素與5％～98％的鐵以及少量摻雜元素熔煉成稀土-鐵基合金，再在 0-700℃的溫度范圍內與氫氣反應(氫爆方法)破碎成細小粉末或球磨成細小粉末，然后在100℃-1000℃ 溫度范圍內與氫氣反應生成主相為稀土氫化物(RHx)和α-Fe的復合材料，最后將上述復合材料在低溫 氧化或氮化或氮化加氧化，制備出稀土氧化物或氮化物/α-Fe為主的復合材料。這種材料具有吸波性能好， 屏蔽波段寬，耐腐蝕，抗氧化以及價格低廉的特點，可用于建筑電磁屏蔽、信息及通訊技術保密、軍事隱 身技術等領域。

本發明公開了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實現高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對應毫米波天線輻射單元的位置處設有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發明通過在封裝罩上設計喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠實現小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。

本發明公開了一種電力系統故障錄波回放方法，采用雙 Picturebox 交互繪圖，其中畫布 Picturebox1 用于繪制波形圖， Picturebox2 用于繪制放大矩形框和定位光標，并且采用雙緩沖技術， 在繪制多面板、多通道時，先將所有面板繪制在緩沖區里，然后一次 性在 Picturebox 上繪制；顯示全局圖時，減小采樣率；查看局部時， 按真實采樣點數繪制；波形放大平移后，只繪制用戶可見時間區間內 的點。這樣可以避免在繪制放大矩形框或拖動光標時不斷重繪波形圖， 提高流暢度。 

基于磁致伸縮扭轉波檢測導磁構件缺陷的裝置，屬于超聲波無損檢測裝置，目的在于克服縱向模式導波衰減較大，存在明顯頻散效應的不足，檢測時無須對構件表面進行處理。本發明包括脈沖信號發生器、功率放大器、磁致伸縮扭轉波傳感器、信號預處理器、A/D 轉換器以及計算機；磁致伸縮扭轉波傳感器包括激勵單元和接收單元。計算機控制脈沖信號的產生，經功率放大器放大，通過激勵單元在構件中產生扭轉波，接收單元接收構件中傳播的扭轉波，經信號預處理器處理，通過 A/D 轉換器轉換為數字信號，通過計算機處理獲得構件的缺陷信息。本發明可

本發明公開了一種異構毫米波蜂窩網絡的速率估計方法，首先，以典型用戶終端為中心，在視距鏈路情況和非視距鏈路情況下，對小型基站與微基站對應的兩層網絡進行對應比例縮放，使之能夠視為虛擬單層網絡；然后根據典型用戶終端在網絡中所處的位置，宏基站實現信號的調度，根據虛擬單層網絡為用戶分配最近小型基站或者微基站，再由毫米波通信的小型基站和微基站為用戶提供具體服務。在此基礎上，估計網絡的平均可達速率。由于考慮到了環境因素對毫米波通信的影響，區分視距情況與非視距情況，將多層毫米波網絡歸一化為單層虛擬網絡，使之在虛擬單層網絡中距離用戶最近基站即為用戶的服務基站，提高了異構毫米波蜂窩網絡速率估計的準確性。