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利用大規模集成硅基納米光量子芯片技術，實現對高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調控和量子測量。 （圖一）基于硅納米光波導的大規模集成光量子芯片(可實現對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量)       集成光學量子芯片技術，基于量子力學基本物理原理，使用半導體微納加工工藝實現單片集成光波導量子器件（包括單光子源、量子操控和測量光路，以及單光子探測器等），可以實現對量子信息的載體單光子進行處理、計算、傳輸和存儲等。集成光學量子芯片具有集成度高、穩定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優點。因此，該技術被普遍認為是一種實現光量子信息應用的有效技術手段。      利用硅基納米光波導技術實現的光量子芯片具有諸多獨特優點，例如與傳統微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強、以及工作波長與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復雜度僅限于小規模的演示，如集成少數馬赫-曾德干涉儀對光子態進行簡單操控。因此，我們迫切需要擴大集成量子光路的復雜性和功能性，增強其量子信息處理技術的能力，從而推進量子信息技術的應用。       相干且精確地控制復雜量子器件和多維糾纏系統是量子信息科學和技術領域的一項難點。相對于目前普遍采用的二維體系量子技術，高維體系量子技術具有信息容量大、計算效率高、以及抗噪聲性強等諸多優點。最近，多維度量子糾纏系統已分別在光子、超導、離子和量子點等物理體系中實現。利用光子的不同自由度，如軌道角動量模式、時域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態。然而，實現高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態操控和量子測量，依然面臨很多困難和挑戰。       針對上述問題，英國布里斯托爾大學、北京大學、丹麥技術大學、德國馬普研究所、西班牙光學研究所和波蘭科學院的科研人員密切合作，并取得了突破性進展。研究團隊提出并實現了一種新型的多路徑加載高維量子態方式，即每個光子以量子疊加態的形式同時存在于多條光波導路徑，從而實現了一個高達15×15的高維量子糾纏系統。通過可控地激發16個參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復系數的高維度量子糾纏態。通過單片集成通用型線性光路，可對高維量子糾纏態進行任意操控和任意測量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時，團隊充分利用集成光路的高穩定性和高可控性，實現了高保真度的高維量子糾纏態，如4、8和12維度糾纏態的量子態層析結果分別為96、87% 和 81%保真度，遠超其他方式制備的高維量子糾纏態性能。       更重要的是，團隊通過硅基納米光子集成技術，實現了目前集成度最復雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個光量子元器件，包括16個全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個光學移相器、122個光束分束器、256個波導交叉結構以及64個光柵耦合器，從而達到對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量。       研究進一步利用該高維光量子芯片技術，驗證高維度量子糾纏系統的強量子糾纏關聯特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導引不等式等，證明量子物理和經典物理定律的重要區別。例如，對4維度量子糾纏態，實驗觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數，不僅成功違背經典物理定律61.9個標準差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達值的2.8個標準差。研究還首次實現高維量子系統的貝爾自檢測和量子隨機放大等新功能，例如，對3維度最大糾纏態和部分糾纏態的自檢測保真度約為76%，對14維以下糾纏態均實現了量子隨機放大功能。

本發明公開了一種含氟、含磷及含硅的環氧樹脂及其制備方法，含氟、含磷及含硅的環氧樹脂的制備方法為：取雙酚A型環氧樹脂100phr，二胺類固化劑10～60phr，固化促進劑1～6phr，將三者混合均勻后置于反應模具中，先在80～120°C條件下固化反應1～3h，再在130～170°C條件下固化反應2～4h，即得到含氟、含磷及含硅的環氧樹脂，所述的二胺類固化劑為含氟、含磷及含硅的二元胺類化合物。所述的含氟、含磷及含硅的環氧樹脂中同時引入了氟、磷以及硅這三種元素，是一種新的有機化合物，這種含氟、含磷及含硅的

為了提高白炭黑的利用價值，將其轉化為高效吸附劑和催化劑載體，本課題組研發了一種具有自主知識產權（獲授權國家發明專利）、高比表面積的二氧化硅介孔材料，有望應用于氣體吸附和催化劑載體。

1、成果簡介：   本研究組一直以來從事納米材料的生化分析研究，完成了多種量子點和微球的合成、修飾和相關的生化分析檢測，在多色量子點的標記和光譜識別研究中做了大量的工作。我們掌握了多種量子點和石墨烯量子點、納米金等納米材料的制備方法和表面修飾技術，成功地檢測了生物樣本中的多種重要成分。  我們創新性地設計了可用于檢測的多色熒光編碼的納米硅球，具有包含多個量子點的獨特結構和可調諧的熒光比率信號，功能修飾后的探針不僅提高了腫瘤標志物檢測的靈敏度，

本發明公開了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測器。該探測器是 模擬光子通信系統和微波光子系統中的硅基關鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個并聯鍺層結構和電感。多個并聯的鍺層結構的多個 鍺層尺寸是可以不同的，以實現對寄生電阻的調控，在提高器件飽和 功率的同時保持了寄生參數不至顯著增加。同時，通過引入片上和片 外電感，實現對器件寄生電感的調控，抬升器件高頻處頻率響應，提 升器件工作帶寬。本發明提出的光電探測器采用集總電極結構

本發明公開了一種加工硅通孔互連結構的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質層；③刻蝕圖案化介電質層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側壁的介電材料，在基板上形成介電質孔；④在介電質孔上沉積一層導電材料，形成導電孔；⑤在導電層上再沉積一層圖案化介電質層，填充導電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導電層，在導電層上形成焊料微凸點。圖案化介電質層的材料優選聚對二甲苯。本發明簡化了工藝步驟，減少工藝時間并降低了費用；使用二層圖案化介電質層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和

本發明公開了一種鍺硅納米低維結構可控制備方法及產品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結構圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結 構圖形轉移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環境下進行氧化和退火，使得氧氣優先與硅反應形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮氫混合氣氛下

本發明公開了一種微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結構。本發明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體

本發明公開了一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法，所述 偏振檢測系統包括檢偏器、光探測器、硅基液晶驅動模塊、控制單元 和用于相位調制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅動模塊的驅動下 對待測光進行相位調節，獲取一系列偏振光，通過對這一系列偏振光 的分析獲取待測光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發明的系統在精確可編程控制下，進行偏振態檢測與控制， 不受類似于波片的波長敏感性制約；且本發明采用硅基液晶進