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一種基于三維激光技術古建筑監(jiān)測掃描裝置，包括外殼，所述外殼由豎直段、水平段、手柄組成，所述水平段將豎直段、手柄連接，豎直段、水平段、手柄一體成形，水平段內設置通道，所述通道內安裝風機，通道靠近手柄一端為進風口，激光探頭插入通道內靠近豎直段一端，激光探頭另一端與激光發(fā)生器連接，激光發(fā)生器與穿過豎直段末端的電源線連接，激光探頭位于所述通道中心軸線位置。通過在外殼內設置一通道，通道中安裝風機，使用該裝置對古建筑進行監(jiān)測掃描時，將覆蓋的建筑物表面的灰塵除去，提高掃描效果，進一步設置補光燈，對光線較暗處也可進

本發(fā)明公開了一種三維激光掃描裝置的控制系統(tǒng)，包括激光測距模塊、電源模塊、處理器模塊、電機驅動及細分模塊、機械旋轉及掃描機構、角度反饋模塊、網(wǎng)絡傳輸模塊與上位機。本控制系統(tǒng)集激光掃描控制、數(shù)據(jù)傳輸、數(shù)據(jù)可視化等功能于一體，能夠操控三維激光掃描裝置準確地獲得空間的三維場景信息，進而真實立體地重現(xiàn)物理場景，同時實現(xiàn)了掃描裝置下位機與上位機的互動，操作人員可通過上位機向掃描裝置下位機發(fā)送控制命令設置掃描分辨率和掃描模式

? 激光掃描技術是一種嶄新的三維空間數(shù)據(jù)采集方法。相對于二維影像，激光掃描所獲的三維點云具有精度高、密度大、信息豐富等優(yōu)勢，已成為國內外地理信息產業(yè)、城市規(guī)劃、環(huán)境監(jiān)測等各種社會領域不可或缺的重要空間參考數(shù)據(jù)。本系統(tǒng)所提供的全自動/半自動化功能覆蓋了從點云前期處理（如瀏覽、分區(qū)、編輯、坐標系轉換）、到點云分類（地形、道路、植被、人造物體等）、特征（點、線、面、自定義）提取、直至最終三維場景創(chuàng)建的全部數(shù)據(jù)流程。本系統(tǒng)所涉及的部分關鍵技術，如金字塔式空間數(shù)據(jù)庫、基于語義的特征識別、全自動化影像

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發(fā)生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現(xiàn)。  利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：  在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現(xiàn)。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經(jīng)過多年的深入研究之后，完全具備了產業(yè)化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據(jù)全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業(yè)界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業(yè)開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發(fā)與產業(yè)化，但絕大部分仍處于研發(fā)階段。我們研制的光刻膠具備了產業(yè)化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業(yè)化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發(fā)明專利，專利號：9。

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發(fā)生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現(xiàn)。   利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：   在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現(xiàn)。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經(jīng)過多年的深入研究之后，完全具備了產業(yè)化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據(jù)全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業(yè)界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業(yè)開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發(fā)與產業(yè)化，但絕大部分仍處于研發(fā)階段。我們研制的光刻膠具備了產業(yè)化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業(yè)化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發(fā)明專利，專利號：9。

本發(fā)明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，通過其獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，以用于浸沒式光刻工藝中，其特征在于，該溫控系統(tǒng)包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過管路進口進入該浸液管路，溫控后的浸液通過該浸液管路出口輸出；用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中循環(huán)流動；以及熱交換器（6），所述浸液管路和工藝冷卻液回路同時流經(jīng)該熱交換（6），利用該熱交換器（6）完成工藝冷卻液和浸液的熱交換，獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，實現(xiàn)對浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置采用內部回流結構與熱交換器

本發(fā)明公開了一種光刻機自動調焦方法及裝置，其方法是將平行光束經(jīng)第一狹縫投射至硅片表面，再經(jīng)振動反射鏡掃描后通過第二狹縫，由光電探測器接收光強信號，然后通過提取光強信號中二倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的粗調量，通過提取光強信號中一倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的精調量，最后由驅動裝置調整硅片至焦點位置。調焦裝置主要由兩個狹縫、一個振動反射鏡、光電傳感器、驅動臺和若干光學鏡片組成，信號處理過程由計算機編程完成。該方法與裝置相較于以往對比光斑強度進行調焦的方式，具有結構簡單、響應迅速、精度高(優(yōu)于 0.

中國發(fā)明專利ZL202210046308.4：采用無乳化劑、無有機交聯(lián)劑的微流控法制備規(guī)整球形的海洋高分子微球，微球實心或空心、粒徑（200納米-50微米）、微觀結構可控可調，可作為吸附材料、藥物香精等載體材料的應用。