|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
大學.jpg){kind=logo}
一種鐵鋁合金制成的螺旋狀高效低阻濾芯
（專利號：ZL 201510665213.0） 簡介：本發(fā)明公開了一種鐵鋁合金制成的螺旋狀高效低阻濾芯，屬于除塵器的濾芯設計領域。該濾芯由鐵鋁合金濾料制成，并彎曲成螺旋狀，濾芯本體由金屬格網支撐。濾芯主要由濾芯本體、排風管、脈沖反吹聯(lián)動裝置、頂蓋和閥門等裝置組成，濾芯本體為圓柱狀螺旋式結構，螺旋式濾芯本體孔徑從內到外呈等差數列減小。在實際運行中，煙氣經濾芯逐層過濾后，大部分粉塵被阻留在濾芯外面，凈化后的氣體進入里層濾芯逐層過濾，最終再通過排煙管排入下道工序。本發(fā)明解決了目前市場上除塵器除塵效率低、抗高溫、抗硫化性能弱的核心問題。
安徽工業(yè)大學
2021-04-11
鐵電量子隧道結亞納秒超快憶阻器的研究
中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發(fā)表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態(tài)硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩(wěn)定（工業(yè)測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態(tài)；寫入的信息預計可在室溫穩(wěn)定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環(huán)境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。
中國科學技術大學
2021-04-10
一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產生電路包括反相器、R
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個憶阻器以特殊的連接方式構成。這種連接方式組成的多值存儲單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優(yōu)點。相較于傳統(tǒng)憶阻器存儲結構，所述多值存儲結構提供了更大的存儲空間，為存儲器設計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存儲單元、控制開關以及電壓比較電路。所述讀寫
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的圖像識別系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的圖像識別系統(tǒng)及方法。所述系 統(tǒng)包括圖像信號提取模塊、多個基于憶阻器的神經網絡模塊和識別模 塊；所述識別模塊其輸入端與多個神經網絡模塊的輸出端相連；每個 神經網絡模塊的輸出端與識別模塊的輸入端相連，其輸入端與信號提 取模塊的輸出端相連。所述方法包括以下步驟：（1）獲取待識別灰度 圖像的特征向量并輸入各神經網絡模型；（2）各神經網絡模型根據其 圖像模型對所述特征向量分別進行打分并進行識別；（3
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方 法，來模擬生物大腦的多狀態(tài)(認知、熟悉、陌生)認知能力。通過分別 調節(jié)第二輸入端與第一輸入端信號脈沖的匹配數目和第二輸入端信號 脈沖幅值來實現多層次脈沖識別。第一輸入端輸入信號代表已存儲在 生物大腦中的樣本信號，第二輸入端輸入信號代表生物大腦接收到外 界環(huán)境的刺激信號，這種識別方法的原理是通過控制大腦存儲的樣本 信號和外界環(huán)境的刺激信號相互匹配，來調控大腦對于外
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法， 可編程模塊包括阻變元件、電阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏極和第一 P 型 MOS 管的漏極均連接至阻變元件的一端，第一 N 型 MOS 管的源極和第一 P 型 MOS 管的源極連接后與電阻 R1 的一端 連接，第一 N 型 MOS 管的柵極與第一 P 型 MOS
華中科技大學
2021-04-14
基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開了一種基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路。所述讀出電路包括：行多路選擇器、列多路選擇器、掃描控制器、負恒流源、電壓采樣裝置以及第一運算放大器、第二運算放大器、第三運算放大器；所述負恒流源的輸出端連接第一運算放大器的反相輸入端，第一運算放大器的同相輸入端與第二運算放大器的同相輸入端連接后接地，第二運算放大器的反相輸入端與第二運算放大器的輸出端連接，第三運算放大器的反相輸入端與第三運算放大器的輸出端連接；電壓采樣裝置用于對第三運算放大器的輸出端電壓、第一運算放大器的輸出端電壓進行檢測。本發(fā)
東南大學
2021-04-14
去阻啟動噴動床秸稈與煤共催化氣化制燃氣技術
項目簡介 本成果利用去阻啟動噴動床為反應器，將生物質秸稈和煤共催化氣化，產生燃氣， 形成了生物質稻草催化水煤氣反應低焦油中熱值燃氣制備工藝，可用于農村地區(qū)以村鎮(zhèn) 為單位的小型氣化站的建設。成果已取得發(fā)明專利授權，ZL 2009 1 0264047.8。 性能指標 120kg/h 的生物質稻草等與煤、碳酸鈣和水蒸汽共氣化，生成焦油含量低于 10mg/m3 、 熱值 10-15MJ/m3 的農村用燃氣。 適用范圍、市場前景
江蘇大學
2021-04-14
異質復合結構對n型BiAgSeS材料熱電性能的顯著強化
在可再生能源日益短缺及溫室效應日趨惡劣的嚴峻形勢下，Seebeck效應作為一種新的能源轉化方式，可以有效地將日常生活及工業(yè)生產廢熱和不能被太陽能電池有效吸收的紅外波段轉化為亟需的電能，故而引起了科研工作者們的廣泛關注。衡量熱電材料能量轉化效率的最重要的指標是其品質因子ZT(=S2σT/κ)，如何提高材料的品質因子是熱電科研工作者們普遍關注的問題。 由于本征的納米析出相以及價鍵非簡諧性(bond anharmonicity)的存在, BiAgSeS具有非常低的本征熱導率κ；然而，因其過低的載流子遷移率極大地限制了其功率因子S2σ。何佳清教授課題組巧妙地將在二維薄膜中廣泛運用的調制摻雜(modulation doping)技術推廣到三維塊體BiAgSeS材料中，使用具有不同載流子濃度的異質晶粒構建三維復合結構，從而極大地提升了該材料中的載流子遷移率，使得功率因子S2σ相對于均勻摻雜的對照樣品提升了約87%，進而顯著地提升了BiAgSeS材料的熱電轉化效率。文章結合了透射電子顯微術和理論計算對在n型BiAgSeS三維塊體復合材料中運用調制摻雜改進載流子遷移率的物理機制做了深入的探討；該工作對調制摻雜技術在三維塊體熱電材料中的廣泛運用頗具啟發(fā)意義。
南方科技大學
2021-04-13