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主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開(kāi)發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來(lái)延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿(mǎn)足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過(guò)渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿(mǎn)足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長(zhǎng)。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管。基于晶圓級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開(kāi)關(guān)比（>105）和較高的開(kāi)態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院生物醫(yī)用材料研究室研制開(kāi)發(fā)的半晶聚乙烯醇水凝膠彈性體是一種新型醫(yī)用生物材料，可用于人關(guān)節(jié)軟骨的修復(fù)或替代。本項(xiàng)目成果屬?lài)?guó)內(nèi)外首創(chuàng)，其應(yīng)用和推廣不但會(huì)產(chǎn)生100萬(wàn)元／年的經(jīng)濟(jì)效益，而且能帶來(lái)巨大的社會(huì)效益。利用反復(fù)冷凍－融化法可將聚乙烯醇（Polyvinyl alcohol，縮寫(xiě)PVA）水溶液凝膠化而制成聚乙烯醇水凝膠彈性體（PVA hydrogel elastomers, 縮寫(xiě)PVAHE），由于其PVA結(jié)晶度為50％－60％，因此又稱(chēng)為半晶聚乙烯醇水凝膠彈性體。1998年以來(lái)，這種人工關(guān)節(jié)軟骨材料通過(guò)三次動(dòng)物實(shí)驗(yàn)（共19個(gè)月）表明生物相容性很好，植入材料（PVAHE）周?chē)M織未產(chǎn)生任何炎性反應(yīng)和退變。2000年6月至2001年10月曾在中國(guó)藥品生物制品檢定所動(dòng)物實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行PVAHE生物學(xué)評(píng)價(jià)并通過(guò)產(chǎn)品注冊(cè)檢測(cè)。目前，已達(dá)到臨床應(yīng)用的水平。從1996年以來(lái)，本項(xiàng)目的研究和研制開(kāi)發(fā)工作是在北京市自然科學(xué)基金（3962006）、國(guó)家自然科學(xué)基金（59775038）和北京市科技項(xiàng)目合同（954020400）資助下歷時(shí)5年完成的。多年實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)和動(dòng)物試驗(yàn)表明，半晶聚乙烯醇水凝膠彈性體是一種很有產(chǎn)業(yè)化前景的醫(yī)用表面修復(fù)材料，它具有以下特點(diǎn)：（1）潤(rùn)滑性能良好（摩擦系數(shù)0.05，磨損系數(shù)小于10-7mm3/Nm）;（2）充分的吸震能力（含水率70％－80％，多微孔）；（3）很好的生物相客性；（4）彈性大，強(qiáng)度高（壓縮模量14MPa，壓縮強(qiáng)度4MPa）；（5）能與宿主骨（軟骨下骨）牢固連接（界面剪切強(qiáng)度1MPa）。 半晶聚乙烯醇水凝膠彈性體的結(jié)構(gòu)和性能非常接近于人關(guān)節(jié)軟骨，其主要用途是在矯形外科手術(shù)中用于修復(fù)或替代關(guān)節(jié)軟骨。典型產(chǎn)品為厚度2~3mm的平板狀水凝膠彈性體（白色、不透明、觸感類(lèi)似于橡膠）。

晶硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)仿真實(shí)訓(xùn)讓學(xué)員以車(chē)間技術(shù)人員的身份參與整條晶硅太陽(yáng)電池產(chǎn)線的生產(chǎn)工作。學(xué)員可以按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程操作車(chē)間生產(chǎn)設(shè)備、檢測(cè)生產(chǎn)樣品以及對(duì)電池生產(chǎn)進(jìn)行工藝仿真，從而深刻了解整個(gè)太陽(yáng)電池生產(chǎn)流程以及關(guān)鍵工藝參數(shù)。 一.1.1. 場(chǎng)景設(shè)計(jì) 場(chǎng)景由制絨車(chē)間、擴(kuò)散車(chē)間、后清洗車(chē)間、PECVD鍍膜車(chē)間、絲網(wǎng)印刷車(chē)間和分選包裝車(chē)間六大場(chǎng)景組成。場(chǎng)景素材從多個(gè)真實(shí)工廠采集而來(lái)，高保真還原車(chē)間設(shè)備與生產(chǎn)流程 場(chǎng)景模型主要包括：潔凈車(chē)間、制絨機(jī)、自動(dòng)上下料機(jī)、硅片、電子天平、分光光度計(jì)、電源柜、水冷機(jī)、空壓機(jī)、化學(xué)液柜、電腦，鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、擴(kuò)散爐、石英舟、插片房、傳遞窗、純水箱、石英舟清洗槽、防毒面具、試驗(yàn)臺(tái)、緩沖墊、防化服、源瓶、氣柜、硅槳、方阻測(cè)試儀，萬(wàn)用表，石墨舟、PECVD鍍膜機(jī)、舟車(chē)、烘箱、全自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)、網(wǎng)版、刮刀、攪拌機(jī)、槳料、夾具、接觸電阻測(cè)試儀、燒結(jié)爐、IV分選儀、硅片盒、五格花藍(lán)等... 一.1.2. 互動(dòng)設(shè)計(jì) 第一人稱(chēng)視角控制主角場(chǎng)景漫游，學(xué)員可以在三維空間中自由活動(dòng)和觀察場(chǎng)景中的物體。 拾取物體操作采用3D空間實(shí)際抓取的方式，沒(méi)有采用一般游戲中的背包欄方式，而當(dāng)需要同時(shí)拾取多個(gè)物體時(shí)則提供3維工具用于裝放，采取這種方式會(huì)更加接近現(xiàn)實(shí)，使學(xué)員更真實(shí)的體驗(yàn)實(shí)際工具的存放及使用的技巧。 各生產(chǎn)車(chē)間按照真實(shí)生產(chǎn)流程設(shè)計(jì)實(shí)訓(xùn)生產(chǎn)任務(wù)，完成當(dāng)前任務(wù)后才能進(jìn)入下一個(gè)任務(wù)，每個(gè)任務(wù)記錄完成時(shí)間以及工藝仿真結(jié)果 縮略地圖實(shí)時(shí)顯示角色位置與任務(wù)點(diǎn)位置 第一人稱(chēng)視角與特寫(xiě)觀察視角無(wú)縫平滑撤換 機(jī)器與設(shè)置仿真控制，通過(guò)機(jī)器控制面板設(shè)置工藝參數(shù)，控制啟動(dòng)生產(chǎn)，檢測(cè)生產(chǎn)結(jié)果 表單填寫(xiě)與作業(yè)報(bào)告生成 使用儀器與設(shè)備檢測(cè)生產(chǎn)樣品 操作規(guī)程與關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)主動(dòng)提示學(xué)習(xí) 原理動(dòng)畫(huà)演示

小試階段/n本項(xiàng)目研究的碳化硅外延技術(shù)有其特殊性，不同于一般的半導(dǎo)體外延技術(shù)， SiC 外延生長(zhǎng)技術(shù)在生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)速率、缺陷和均勻性控制的具體指標(biāo)要求以及實(shí)現(xiàn) 途徑上都突出了電力系統(tǒng)應(yīng)用的特點(diǎn)。目前，國(guó)際上已經(jīng)形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產(chǎn)業(yè)體系。高質(zhì)量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎(chǔ)材料，目前的國(guó)內(nèi)外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發(fā)展趨勢(shì)都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發(fā)展。 目前，幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質(zhì)量的碳化硅

【產(chǎn)品信息】 顯色：≥ 80 功率：40W 色溫： 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸： 1198*298*30mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】 微晶防眩 高顯指 直角邊框，可嵌入，可吊裝 專(zhuān)業(yè)護(hù)眼，綠色環(huán)保，節(jié)能省電

【產(chǎn)品信息】 顯色：≥ 80 功率：40W 色溫： 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸： 598*598 mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】 微晶防眩 高顯指 直角邊框，可嵌入，可吊裝 專(zhuān)業(yè)護(hù)眼，綠色環(huán)保，節(jié)能省電