新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

光學領域頂尖期刊《自然·光子學》報道了浙江大學信息與電子工程學院陳紅勝教授課題組的一項最新研究：在國際上率先實現基于深度學習的新一代智能隱身器件。在不依賴任何人為操控的情況下，快速地動態適應變化的背景環境，從而與背景電磁環境特征融為一體，實現自適應隱身。論文審稿專家認為：“這是一項激動人心的、及時而杰出的工作，它連接了變換光學、電磁超材料和人工智能等領域，為智能光子材料和器件這個新興領域樹立了很好的標桿，也將大大促進其他智能電磁器件的發展。”自然界存在兩種“隱身”策略。一種是在變色龍和章魚生物中常見的擬態隱身，使自己融于周邊環境；另一種是透明隱身，即光透過物體時不產生任何散射，例如海樽和水母。科學家近年來提出的變換光學隱身方法則區別于上述兩種策略，它利用坐標變換的方法來控制電磁波，使其繞過被隱身的區域，按照原來的方向傳播，從而使物體完全隱形。與自然界的“隱身衣”相比，人類的“隱身衣”多數只能工作在單一的環境背景和既定的入射波條件。如果稍加改變外界環境或者入射波，隱身效果便會大幅度降低。“理想的隱身衣應該和章魚和變色龍一樣，能夠快速自動地適應于變化的外界刺激和背景環境。”陳紅勝說。如何才能實現這一點？“章魚有色素細胞，我們有可重構的新型人工電磁材料單元；章魚有中樞神經，我們有深度學習方法；章魚有光敏細胞，我們可以搭建電磁波和環境探測器。”論文第一作者、課題組成員錢超說。當前，深度學習已經開始滲入電磁材料領域，但是主要偏重于理論上設計優化人工電磁材料。如何在實驗上實現新型的智能電磁材料、構建新一代智能隱身系統并實現快速有效的自適應隱身，是一個極具挑戰的課題，在此之前還未見成功實驗的報道。經過三年多的不懈努力，陳紅勝研究團隊組在充分研究隱身領域關鍵技術瓶頸的基礎上，在微波段成功實現了智能自適應隱身器件。研究團隊設計了一項小車智能隱身實驗——小車身披一層超薄的可重構的超表面隱身材料，這件“隱身衣”由智能芯片控制，集成了訓練好的深度學習模型，能夠根據輸入的電磁信息快速做出決策，改變“隱身衣”的電磁響應。探測雷達隨機改變著入射波的頻率、極化和入射角，而小車的任務就是動態適應變化的探測信號，對雷達“隱身”。當環境發生變化，變色龍大約需要6秒時間過度到環境色；而當電磁環境發生變化時，披著智能隱身衣的小車只需要15毫秒就能自動地實時“換裝”。陳紅勝教授表示，智能隱身成功地融合了新型電磁材料和人工智能等領域，其采用硬件手段實現用于隱身調控的深度學習模型，在應用中只需單次前向計算即可做出合理的決策，大大地縮短了響應時間，這一方法對于實時性要求很高的其他應用也有很好的借鑒意義

項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件

復旦大學微電子學院教授盧紅亮團隊首次結合硬模板法、原子層沉積技術和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線的多級異質復合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對濃度低至1 ppm的硫化氫實

該器件屬專利技術，是一種顏色穩定的有機-無機異質結白色電致發光器件及制備方法。具體地講是一種在有機異質結界面嵌入無機II-VI族化合物薄層而獲得顏色穩定的白色電致發光器件。 通常，在雙層及多層結構的電致發光器件中，由于器件內部異質結界面處界面勢壘的影響，該界面處所積累的載流子會隨著所加電壓的增加而增加，器件內部各有機層的電場會進行重新分布，并相應地改變著在器件各層上的電壓分布以及發光區域在各層中的位置，進而改變光譜的形狀，影響發光顏色。特別地，如果雙層有機電致發光器件中的電子傳輸層與空穴傳輸層的相互作用較強，則該異質結界面處會出現激基復合物（Exciplex 或Electroplex）的發光。若利用無機材料的載流子（包括電子和空穴）遷移率高以及相對更加穩定的特點，在有機異質結界面處嵌入一層無機材料薄層，可實現無機材料薄層兩側有機材料的發光。利用互補色原理，當兩側有機材料的發光可以相互混合成白光時，則可以得到顯色性很好的白色發光器件。改變器件所加的電壓只是改變發光強度，器件的發光顏色將基本不變。 技術內容： 該器件是一種顏色穩定的有機—無機異質結白色電致發光器件，使用該器件既能克服有機異質結界面可能會出現激基復合物發光而降低發光效率，又能解決器件的發光顏色隨電壓發生變化等問題。 器件的白色電致發光器件結構為： 在玻璃基片上鍍有一層ITO陽極，在ITO陽極上鍍有一層有機空穴傳輸層兼發光層和一層有機電子傳輸層兼發光層，在該兩層有機層之間，有一層無機材料薄層，在有機電子傳輸層兼發光層上鍍有金屬背電極。 該器件與目前使用的有機異質結界面處的激基復合物發光來獲得白色電致發光的方法相比，其優點是：首先，II-VI族無機材料的引入可以有效避免有機異質結界面形成激基復合物發光而降低發光效率；其次，電子傳輸層兼發光層及其中摻雜的組分（如染料等）都可以優化，器件的顏色可得到進一步優化，而一旦確定了有機電子傳輸層兼發光層及其中摻雜組分之后，器件的顏色是基本確定的，不再隨著電壓的改變而改變；再次，由于所用的無機材料（II-VI族化合物）本身的能帶結構的特點，使得從電子傳輸層兼發光層注入的電子在該有機/無機界面處沒有勢壘，而從空穴傳輸層兼發光層注入的空穴在該有機/無機界面處有一定的空穴注入勢壘，可以平衡載流子的注入，使得無機材料層兩側的有機層都有發光；另外，所插入的無機材料薄膜本身對不同的波長都具有一定的透過率。不難理解，無機材料較高的電子遷移率和空穴遷移率使得載流子能順利穿透無機層到達相應的有機層中形成激子并復合發光，再通過優化器件各層的厚度即可得到顯色性好、顏色穩定的白色發光器件。由于使用了化學穩定性更強的無機材料，因此器件的穩定性增加了。

項目概況 針對目前密封存在有密封液蒸發快、穩定性差和不耐高溫和腐蝕等缺點，本項目選擇飽和磁化強度較高而抗氧化能力較高的Fe3O4作為磁流體的微粒磁性材料，使其溶于二辛酯基液形成性能穩定、蒸發慢和耐高溫耐腐蝕的納米磁流體。利用非接觸式密封潤滑技術，把優化配方的磁液體應用于高性能旋轉軸密封器件中。在特殊設計密封閉合磁路系統中，使轉軸與極靴極齒頂端的齒形間隙中產生強弱相間的非均勻 “O”型密封環，采用梯形極靴，多級并用，增加高導磁套筒來減小軸向泄漏，既達到密封目的，又起到潤滑作用。本項目處于國內先進水平，擁有自主知識產權。 主要特點 1. Fe3O4磁性微粒的制備采用了改性溶膠凝聚法相的工藝技術，這種工藝技術可使磁性微粒的粒度可調，抗氧化能力強和穩定性好。 2．利用非接觸式密封潤滑技術，使優化配方的磁液體應用于高性能旋轉軸密封器件中。 3．不同的旋轉軸設計不同的磁路結構，能防止軸向泄露和提高耐壓能力。 4．旋轉軸密封件的泄漏率為10-11 cm3/s，每級的耐壓能力均大于或等于0.2 atm。 技術指標     應用磁流體密封旋轉軸比普通的機械密封軸相比，平均壽命提高9倍，平均節約原材料總成本350%。與普通旋轉軸相比，耐壓能力高，密封性能好，壽命高，原材料及部件成本顯著降低，而且穩定性好。市場前景 通過現場的工業化證明，該產品和他們原來使用的普通密封軸相比，密封效果的明顯提高，壽命長，性能穩定，最重要的是原材料總成本降低了610元，使用安全方便，在生產過程中無污染，無三廢排放。該項目可應用于密封性能要求高，工作環境惡劣(如堿性液、污水等)的高性能機械旋轉軸，該磁流體密封旋轉軸滿足了工業生產的需求，具有較好的經濟效益和社會效益。目前已為國內多個企業所采用。

本發明公開了一種用于旋轉器件型光譜橢偏儀系統參數的校準方法，該方法可以在一次測量中獲取旋轉器件型光譜橢偏儀中全光譜范圍的系統參數，其方法是將任意厚度的標準樣件作為待測樣件，使用待校準光譜橢偏儀進行測量，對測量獲得的光強諧波信號進行傅里葉分析，通過傅里葉系數序列計算獲取第一個波長點的系統參數，以其作為初值，采用非線性回歸算法，通過理論光譜擬合測量光譜，獲得第一個波長點的系統參數。并依次以校準獲得的第 i 個波長點的系統參數作為初值，擬合獲得第 i+1 個波長點的系統參數，進而獲得全光譜范圍的系統參數。

本發明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓練 與在線運行兩部分，在離線狀態下，對目標閃存器件進行先驗性實驗， 實驗測試內容包括對閃存器件內部物理塊的存儲單元進行大量重復的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內的外部 特征量；然后進行數據集訓練，建立閃存內部存儲單元物理狀態與外 部特征量之間的關聯；在線運行狀態下，對正在在線運行的閃存物理 狀態進行識別，并預估錯誤率，并計算軟信息。本發明所提

本項目主要開展納微結構體系光子帶隙的設計、納微結構體系的光學非線性效應、光波傳播動力學以及光控光操作應用等方面的研究，發展在介觀尺度下調控光子傳輸行為的新效應、新原理與新技術。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內外重要學術刊物上發表論文30余篇。其中有關鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關成果被《Science Archived》收錄，有關非傳統偏壓配置條件下各種非線性光子學晶格的制備

本發明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓練 與在線運行兩部分，在離線狀態下，對目標閃存器件進行先驗性實驗， 實驗測試內容包括對閃存器件內部物理塊的存儲單元進行大量重復的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內的外部 特征量；然后進行數據集訓練，建立閃存內部存儲單元物理狀態與外 部特征量之間的關聯；在線運行狀態下，對正在在線運行的閃存物理 狀態進行識別，并預估錯誤率，并計算軟信息。本發明所提出的方法 不僅不依賴于閃存內部的特殊命令，而且可以方便地集成進自主閃存 控制器中，與

AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道，為一常開器件，不利于射頻功率放大器電路設計與安全性。如果器件能夠實現常關特性，則射頻功率放大器電路可因此簡化。然而，目前常見實現器件常關特性工藝需要對半導體層進行刻蝕，而刻蝕工藝會對器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常關型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見。