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格柵類主推款-格柵防眩 高顯指 背亮補光 恒定照度 專業護眼 權威認證 無藍光頻閃危害 項目 星奧全護眼LED教室燈 國家標準GB7793-2010 功率36w 參數 中小學學校教室采光和照明衛生標準 教室照度（E） 417LX 優于國標 ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業照明設計 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優于國標 ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業照明設計 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數 ≥90 色彩還原能力強 ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質保三年 壽命長 —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

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本發明公開了一種基于全卷積網絡的多方向文本檢測方法，首先獲取訓練數據集中的文本塊，并訓練全卷積網絡模型；然后利用訓練好的全卷積網絡模型對測試數據集中的圖片進行檢測，獲取文本塊；然后提取文本塊的字符成分，并根據字符成分的位置信息估算圖像中的候選文本條位置；最后訓練針對文本條中字符成分的全卷積網絡模型，利用訓練好的模型對候選文本條進行檢測，獲取其中的字符成分，根據字符成分過濾掉不需要的文本條，得到圖像中文本條的位置。本發明方法文本檢測方法檢測率高，且能夠克服光照、遮擋、模糊等不利因素的影響。

本發明公開了一種零中頻全雙工收發機的數字自干擾消除方法，該方法主要應用于數字自干擾消除器內，根據接收端采樣后得到的數字信號，以及發射端已知的數字波形，對收發機信號傳輸鏈路中的自干擾進行估計。該方法可消除理想元器件下發射機產生的自干擾，由發射鏈上變頻調制器和接收鏈下變頻解調器的IQ不平衡產生的鏡像自干擾，由發射鏈功放失真產生的非線性自干擾，以及IQ不平衡和功放失真聯合導致的鏡像非線性自干擾。該方法相比較于傳統的增廣復數LMS算法，可以在發射信號功率較大時仍獲得理想的自干擾消除效果和較快的收斂速度，具有很強的實用性。

本實用新型公開了一種填充高溫相變材料的自熱型重整制氫反應器。該自熱型重整制氫反應器從上至下依次由上表面設有甲醇水蒸氣重整反應物進口管和甲醇催化燃燒反應物進口管的上蓋板、石墨墊片、上蒸發板、石墨墊片、下蒸發板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇重整制氫吸熱板、密封板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇催化燃燒板、石墨墊片和下表面設有燃燒尾氣出口管和燃燒尾氣出口管的下蓋板層疊而成。本實用新型利用高溫相變材料的相變潛熱，有效提高自熱反應器的熱穩定性，減少反應器內部的溫度梯度與反應器工作時的溫度波動，抑制由反應器過熱造成的催化劑活性下降與脫落，提高反應器的熱效率與甲醇轉換率。

本發明公開了一種基于分數階的永磁同步電機速度環控制參數的自整定方法，其通過利用分數階 PI 控制器代替永磁同步電機交流伺服系統中的整數階 PI 控制器，并自動地整定所述分數階 PI 控制器的參數，實現對永磁同步電機交流伺服系統的控制，該方法具體包括：首先采集所述交流伺服系統的電流與速度信號；其次，根據所述采集信號，辨識永磁同步電機伺服系統速度環被控對象模型，識別出模型的參數；最后，對控制參數進行尋優整定，獲得最優的控制參數。本發明的方法利用分數階 PI 控制器取代原有的整數階 PI 控制器，并自動地

本發明公開了一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯過程。本發明還公開了相應的通孔互聯結構產品。通過本發明

開展適應于不同圍巖條件的開敞式TBM施工技術研究，在多項重大工程中成功應用。

全三維粒子模擬軟件CHIPIC是國家*63計劃*03主題支持項目“***粒子模擬軟件研發”的主要研究內容，其研究目的是在堅實理論基礎指導下，深入開展強波粒相互作用理論及HPM和HPMM相關理論研究，建立強流相對論互作用的理論體系，為高功率微波器件理論研究提供一款實用的粒子模擬軟件。 因為粒子模擬軟件在軍事領域有重大應用價值，國外的一些先進粒子模擬軟件對我國是禁運的（如美國的MAGIC），從而一些內部技術對我國也是封閉的。本軟件是完全依靠國內的自身條件研制完成的，是具有完全知識產權的軟件。由本軟件運算的準確性（與國外軟件比較驗證）可以證明本成果使用的技術線路是完全可與國外軟件媲美的。 該項目完成了三維電磁粒子模擬理論與算法、軟件設計、軟件測試等研究內容，突破了高效并行計算、大尺度結構建模、三維PIC/MCC混合算法等關鍵技術，設計了友好的圖形化輸入界面及多窗口輸出界面，形成了功能完整的CHIPIC3D模擬軟件。并最終應用于對高功率微波源、真空電子學太赫茲源、脈沖功率真空器件等進行三維粒子模擬。 該項目主要技術指標如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標系下實現了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結構的高功率微波源及太赫茲波源器件進行三維粒子模擬，模擬結果與實驗吻合。2.采用基于消息交換與共享內存相結合的并行計算方法，使加速比達到30以上;3.采用分段建模并行計算的方法，能對30米以上大尺度精細結構進行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質表面二次電子倍增、氣體放電及介質表面擊穿等復雜物理問題；5.采取面向對象的方法，能提供友好的圖形化的輸入界面及多窗口輸出界面。 目前該軟件已在中國工程物理研究院流體物理研究所、中國工程物理研究院應用電子學研究所、北京應用物理與計算數學研究所、國營第七七二廠、四川大學電子信息學院、西南交通大學等單位應用。從軍事應用角度來看，該軟件將縮短我國高功率微波源的研究周期，從而加快我國軍隊相關武器裝備的研究進程；從經濟效益角度來看，該軟件避免了大量的重復加工及重復試驗，節約了大量的人力物力，從而為用戶單位帶來巨大的經濟效益。