本發明公開了一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法,包括:(a)在基片的一個表面上加工制得盲孔;(b)在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層;(c)向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔,然后執行曝光及顯影處理,以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留;(d)去除未覆蓋光刻膠的種子層,而盲孔底部的種子層不受影響;(e)去除殘留的光刻膠;(f)向盲孔中填充導電材料完成自底向上的生長;(g)減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔,由此完成通孔互聯過程。本發明還公開了相應的通孔互聯結構產品。通過本發明
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