隨著納米技術的發展,光學腔的尺寸越來越小,甚至可以達到亞波長尺度或者納米尺度,同時伴隨著非常局域的電場。由于金屬的損耗以及低的收集效率,單個表面等離激元納腔和單個量子發射體的強耦合很少被報道。論文通過精心設計光學模式,將金屬納腔置于金屬或者介質納米線提供的一維的電磁真空背景中,通過一維電磁背景強局域效應,可極大地增強單個量子發射體和金屬納腔的相互作用。理論指出在疏逝的電磁背景下,納米間隙中的耦合系數可以達到真空中的4.2倍,同時熒光收集效率可提高到47%。此外,這個體系輻射出的光子,還可以通過納米線的一維倏逝波導入到集成芯片上。
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