新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規(guī)FinFET 漏電降低1 個(gè)數(shù)量級(jí)，驅(qū)動(dòng)電流增大2 倍，驅(qū)動(dòng)性能在低電源電壓下達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。由于替代了傳統(tǒng)的源漏SiGe 外延技術(shù)，與極小pitch 的大規(guī)模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術(shù)價(jià)值。

已有樣品/n基于HZO鐵電FinFET的混合存儲(chǔ)器件。該器件在電荷俘獲模式下，表現(xiàn)出高耐 久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的數(shù)據(jù)保持特性（104@85oC），與DRAM 的性能相近，為在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。當(dāng)器件工作在 電籌翻轉(zhuǎn)模式下的時(shí)候，器件表現(xiàn)出非常好的數(shù)據(jù)保持特性（>10年）以及對(duì)讀取 信號(hào)串?dāng)_的免疫能力，使該器件同時(shí)具有優(yōu)越的不揮發(fā)存儲(chǔ)特性。