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新型FinFET?器件工藝
2021-01-12 00:00:00
云上高博會
http://www.g2h0uzv.xyz
關鍵詞：
FinFET
所屬領域:
項目成果/簡介:
已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規FinFET 漏電降低1 個數量級，
驅動電流增大2 倍，驅動性能在低電源電壓下達到國際先進水平。由于替代了傳統
的源漏SiGe 外延技術，與極小pitch 的大規模FinFET 器件的兼容性更好，有助于
降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術價值。
項目階段:
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