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近日，我校材料科學(xué)與工程學(xué)院2019級材料物理專業(yè)本科生嚴(yán)錦同學(xué)在氧化物薄膜晶體管摻雜工程及其穩(wěn)定性研究中取得新進展，作為第一作者在微電子器件頂級期刊《IEEETransactionsonElectronDevices》上發(fā)表了以“Electrospinning-DrivenInHfOxNanofiberChannelField-EffectTransistorsandHumidityStabilityExploration”為題的論文。

1991年發(fā)現(xiàn)的碳納米管（CNT）以及2004年發(fā)現(xiàn)的石墨烯（graphene），分別是一維和二維納米材料的典型代表，被認(rèn)為是21世紀(jì)的戰(zhàn)略性材料。 本項目發(fā)明了一類新的催化劑和大量制備SWNTs的方法，實現(xiàn)了高質(zhì)量單壁碳納米管的宏量制備（圖1），純度達70%以上，并達到了產(chǎn)業(yè)化規(guī)模（達200公斤/年以上）。 采用機械共混及"原位"聚合等方法，使SWNTs有效地分散于高分子基質(zhì)中，獲得了以環(huán)氧樹脂、ABS及聚氨酯等為基質(zhì)材料，電導(dǎo)率達0.2 S/cm、導(dǎo)

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達：75V； ※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????

逆轉(zhuǎn)錄病毒需要整合到宿主基因組中來完成自身的復(fù)制。當(dāng)逆轉(zhuǎn)錄病毒感染宿主生殖細胞時，整合的逆轉(zhuǎn)錄病毒便會從親代傳到子代，從而形成內(nèi)源性逆轉(zhuǎn)錄病毒。內(nèi)源性逆轉(zhuǎn)錄病毒廣泛存在于脊椎動物基因中。絕大多數(shù)的內(nèi)源性逆轉(zhuǎn)錄病毒會積累各種突變，從而在宿主基因組中失活或片段化。宿主有時會利用內(nèi)源性逆轉(zhuǎn)錄病毒基因來行使自身生物學(xué)功能（圖1），這個過程在進化生物學(xué)中被稱為選配（co-option）。例如，抑制多種逆轉(zhuǎn)錄病毒復(fù)制的限制性因子Fv1以及參與到胚胎發(fā)育的Syncytins都是選配的逆轉(zhuǎn)錄病毒基因。但目前對脊椎動物中逆轉(zhuǎn)錄病毒基因選配事件尚無系統(tǒng)的研究。 韓管助課教授題組在756種脊椎動物基因組中系統(tǒng)地挖掘了逆轉(zhuǎn)錄病毒基因選配事件，共發(fā)現(xiàn)177個逆轉(zhuǎn)錄病毒選配事件。其中，93個選配事件涉及到逆轉(zhuǎn)錄病毒gag基因，gag基因選配事件主要發(fā)生在哺乳動物和鳥類中。84個選配事件涉及到逆轉(zhuǎn)錄病毒env基因，env基因選配事件主要發(fā)生在哺乳動物、鳥類和魚類中。通過對選配事件發(fā)生的時間進行分析，發(fā)現(xiàn)選配事件的數(shù)目隨著時間的推移而增多，僅有少數(shù)的選配的逆轉(zhuǎn)錄病毒基因在長時間尺度上被維持，這些結(jié)果表明逆轉(zhuǎn)錄病毒基因選配可以在脊椎動物中頻繁的發(fā)生和丟失。 一般認(rèn)為，參與到病毒與宿主間進化軍備競賽的宿主基因會受到正選擇。該研究通過選擇壓力分析在很多選配的逆轉(zhuǎn)錄病毒基因中發(fā)現(xiàn)了正選擇的證據(jù)，表明這些基因可能參與到病毒與宿主間進化軍備競賽中。還有部分選配的逆轉(zhuǎn)錄病毒基因的進化主要受到負選擇，表明這些基因可能主要參與到非抗病毒的宿主功能之中。選配的逆轉(zhuǎn)錄病毒基因受到不同的選擇壓力表明這些選配的基因可能行使了多種宿主細胞生物學(xué)功能。總之，該研究為在脊椎動物進化過程中發(fā)生的逆轉(zhuǎn)錄病毒選配事件提供了一幅全景圖，對全面理解逆轉(zhuǎn)錄病毒和脊椎動物間互作的進化具有十分重要的意義。

利用有機發(fā)光二極管(OLEDs)中激發(fā)態(tài)的指紋式磁效應(yīng)曲線作為一種靈敏高效的探測工具，物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院熊祖洪課題組在有機半導(dǎo)體明星材料¾紅熒烯（Rubrene）中發(fā)現(xiàn)了一個有利于增強器件發(fā)光效率的激子演化通道，即激子的高能態(tài)反向系間竄越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S­1®S0+hn）過程，并通過調(diào)控器件載流子濃度、工作溫度、客體摻雜濃度以及控制器件結(jié)構(gòu)對該HL-RISC通道的產(chǎn)生條件、正常與反常的物理行為表現(xiàn)以及如何實現(xiàn)高效率發(fā)光和低效率滾降等方面進行了詳細探究。 OLEDs在平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，盡管基于有機發(fā)光的手機顯示屏和電視已開始市場化，但進一步提升其發(fā)光效率和延長其使用壽命仍然是該領(lǐng)域的兩大研究方向。因理論上能夠?qū)崿F(xiàn)100%的內(nèi)量子效率，具有常規(guī)RISC (T1®S­1)通道的熱活化延遲熒光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有機材料和具有HL-RISC (T2®S­1)過程的有機半導(dǎo)體是目前OLEDs領(lǐng)域的熱點研究體系，這是由于無論是RISC還是HL-RISC都可以將占激子總數(shù)3/4的不發(fā)光三重態(tài)T激子轉(zhuǎn)變成發(fā)光的單重態(tài)S激子，從而實現(xiàn)發(fā)光效率的成倍增強。顯然，研究這些激子及其前驅(qū)體(precursor, 如極化子對(polaron-pair))和TADF材料以及激基復(fù)合物材料中電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(charge-transfer states)激子的形成機制及其演化規(guī)律對進一步認(rèn)識OLEDs的器件物理和設(shè)計制造高效率OLEDs具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價值。近年來，熊祖洪課題組一直致力于采用有機半導(dǎo)體光電子器件中多種微觀過程具有的指紋式磁效應(yīng)(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲線，系統(tǒng)深入地研究了多種有機光電子體系的器件物理并取得了一系列研究成果。

本發(fā)明公開了一種聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物／氫氧化鎂-碳納米管復(fù)合阻燃材料的制備方法和應(yīng)用，由下述組分經(jīng)過熔融共混熱壓成型制成，將100重量份聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和1-10重量份基于碳納米管基體的單分散氫氧化鎂納米粒子置于密煉機中，熔融混煉、熱壓成型、冷卻固化。采用碳納米管為載體，降低氫氧化鎂粒徑，使其實現(xiàn)納米級分散。提高氫氧化鎂與聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物接觸面積，提高聚合物阻燃性能。

本實用新型公開了一種基于單相全橋二極管鉗位多電平背靠背變換器的同相供電系統(tǒng)，其平衡變壓器(1)的輸入端L

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近日，西安交通大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院電子陶瓷與器件教育部重點實驗室任巍教授和牛剛教授團隊利用機械剝離獲得少層二硫化鉬材料制備具有背柵結(jié)構(gòu)和納米級溝道長度的光電晶體管，實現(xiàn)了較高探測率(＞1013Jones)和響應(yīng)率(＞103A/W)。