近日，我校材料科學(xué)與工程學(xué)院2019級(jí)材料物理專業(yè)本科生嚴(yán)錦同學(xué)在氧化物薄膜晶體管摻雜工程及其穩(wěn)定性研究中取得新進(jìn)展，作為第一作者在微電子器件頂級(jí)期刊《IEEETransactionsonElectronDevices》上發(fā)表了以“Electrospinning-DrivenInHfOxNanofiberChannelField-EffectTransistorsandHumidityStabilityExploration”為題的論文。材料科學(xué)與工程學(xué)院何剛教授和集成電路學(xué)院姜珊珊老師為論文的通訊作者，安徽大學(xué)為論文的第一作者單位和通訊作者單位。

大規(guī)模集成及低壓驅(qū)動(dòng)是未來低功耗高清顯示領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)的追求的目標(biāo)，國家在此領(lǐng)域有重大需求。氧化物薄膜晶體管因高遷移率、透明及大面積集成等優(yōu)勢已成為當(dāng)前平板顯示器件的核心驅(qū)動(dòng)元件，但薄膜晶體管的環(huán)境失穩(wěn)和輸運(yùn)退化已成為未來大尺寸高清顯示器件發(fā)展的技術(shù)障礙。針對(duì)這些問題，嚴(yán)錦同學(xué)在何剛教授指導(dǎo)下，基于靜電紡絲技術(shù)獲取了摻雜可控的非晶氧化物溝道材料，構(gòu)筑了對(duì)濕度適度免疫的In2O3基薄膜晶體管和超穩(wěn)全擺幅邏輯電路。該系列研究工作有望解決非晶氧化物薄膜晶體管因環(huán)境因素失穩(wěn)導(dǎo)致服役周期下降的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，促進(jìn)氧化物薄膜器件基礎(chǔ)研究成果走向大規(guī)模應(yīng)用。

該篇論文工作來源于安徽大學(xué)大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計(jì)劃項(xiàng)目。該研究工作得到國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(11774001、51572002)、2021年大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計(jì)劃(S202110357025)、及安徽省領(lǐng)軍人才團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目(Z010118169)聯(lián)合資助。

圖.InHfO納米纖維微結(jié)構(gòu)表征及InHfO/SiO2-TFTs的電學(xué)特性測試