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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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節(jié)水灌溉器件的快速開發(fā)技術(shù)
滴灌是節(jié)水效率最高并能實(shí)現(xiàn)水肥自動(dòng)灌溉的精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)灌溉技術(shù)，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應(yīng)用。滴灌系統(tǒng)的灌水器在使用時(shí)容易發(fā)生堵塞一直是國(guó)際上的難題。本技術(shù)針對(duì)這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動(dòng)特性的抗堵設(shè)計(jì)和一體化開發(fā)方法，開發(fā)了具有自主版權(quán)的專用設(shè)計(jì)軟件。應(yīng)用該軟件與快速成形技術(shù)開發(fā)出系列化的新型灌水器，使開發(fā)周期顯著縮短，單循環(huán)開發(fā)時(shí)間由原來的3～5個(gè)月縮短到3～5天，而開發(fā)成本由5萬元左右降低到2千元以下。相關(guān)研究成果獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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新型存儲(chǔ)器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲(chǔ)器領(lǐng)域國(guó)際發(fā)展前沿和國(guó)家重大需求，長(zhǎng)期緊密合作，系統(tǒng)深入研究了新型存儲(chǔ)器機(jī)理、器件材料與結(jié)構(gòu)體系、性能調(diào)控規(guī)律、可靠性表征和集成技術(shù)。取得了局域氧化還原主導(dǎo)的阻變模型、阻變存儲(chǔ)器三維集成、電荷俘獲存儲(chǔ)器材料和結(jié)構(gòu)體系優(yōu)化及可靠性表征等系列原創(chuàng)性科技成果，獲得了國(guó)內(nèi)外同行的廣泛引用和高度評(píng)價(jià)。獲得了具有自主產(chǎn)權(quán)的新型存儲(chǔ)器件及集成解決方案，主要發(fā)明專利和技術(shù)研究成果轉(zhuǎn)移到國(guó)內(nèi)知名集成電路制造企業(yè)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對(duì)InP 進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
高速光收發(fā)器件與模塊
可以量產(chǎn)/n該項(xiàng)目帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發(fā)展；線性度高，模擬通信不失真；動(dòng)態(tài)范圍大，激光輸出功率高，相對(duì)強(qiáng)度噪聲低?？煽啃愿?，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。市場(chǎng)預(yù)期：該項(xiàng)目產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域是通信，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求大于300億人民幣。隨著國(guó)家寬帶戰(zhàn)略的實(shí)施和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
大學(xué).jpg){kind=logo}
CdZnTe高能射線探測(cè)材料與器件
內(nèi)容介紹： 本項(xiàng)目圍繞探測(cè)器用CdZnTe晶體的制備與開發(fā)應(yīng)用，釆用改進(jìn)的垂直 布里奇曼技術(shù)，通過合理設(shè)計(jì)成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優(yōu)化的晶體生長(zhǎng)和退火改性工藝，生長(zhǎng)出滿足探測(cè)器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對(duì)X射線和y射線等不同能量射線檢測(cè)及應(yīng)用的要求， 解決了探測(cè)器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測(cè)器用CdZnTe晶片的篩選機(jī)制和生產(chǎn)線
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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一種微環(huán)波導(dǎo)器件
本發(fā)明公開了一種微環(huán)波導(dǎo)器件，包括微環(huán)諧振腔、直波導(dǎo)、第一支架、第二支架和襯底；其中，第一支架用于支撐直波導(dǎo)，第二支架用于支撐微環(huán)諧振腔，以使微環(huán)諧振腔與直波導(dǎo)懸空；微環(huán)諧振腔與直波導(dǎo)相互耦合；外部注入的光場(chǎng)通過直波導(dǎo)耦合進(jìn)入微環(huán)諧振腔中，滿足微環(huán)諧振條件的光場(chǎng)在微環(huán)諧振腔中激發(fā)出聲場(chǎng)，通過懸空的微環(huán)諧振腔將產(chǎn)生的聲場(chǎng)限制在微環(huán)諧振腔中進(jìn)行傳輸，進(jìn)而產(chǎn)生前向布里淵效應(yīng)；本發(fā)明提供的這種懸空的微環(huán)波導(dǎo)器件具有布里
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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微納米光纖及其相關(guān)新型器件
微納米光纖，具有一系列獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)：大的消逝場(chǎng)；高的非線性，極低的損耗；容易彎曲成環(huán)等不同的幾何形狀。我校在本應(yīng)用領(lǐng)域主要研究選擇合適的光纖材料和介質(zhì)棒材料，探討微納光纖在生物、通信、傳感和激光等領(lǐng)域的應(yīng)用：優(yōu)化微納光纖探針的設(shè)計(jì)，制備低成本的超短的極低損耗的微納光纖探針用于低功率粒子捕獲；制備基于單環(huán)諧振器的傳感器；制備基于多環(huán)諧振器的應(yīng)用型器件如高靈敏度微傳感器或者可調(diào)諧器件等，探討其它新型的應(yīng)用。理論上主要研究微納光纖諧振器的線性和非線性特性，對(duì)
南京大學(xué)
2021-04-14
智能型制冷控制器件
1：電子式壓力控制器 內(nèi)容：專用于按壓力信號(hào)對(duì)制冷系統(tǒng)實(shí)施的各種控制。（1）電子式數(shù)字顯示，數(shù)字設(shè)定（2）微電腦控制器（3）可以對(duì)壓縮機(jī)進(jìn)行運(yùn)行，保護(hù)及調(diào)節(jié)方面的控制，如：壓縮機(jī)正常啟、?？刂?，高低壓力保護(hù)，油路控制，壓縮機(jī)制冷能力的程度控制（4）適用于各種制冷劑，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）針對(duì)
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。
上海理工大學(xué)
2021-04-11
大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。
上海理工大學(xué)
2021-04-13