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高遷移率溝道MOS?器件
2021-01-12 00:00:00
云上高博會
http://www.g2h0uzv.xyz
關鍵詞：
MOS器件
所屬領域:
項目成果/簡介:
已有樣品/nCMOS 研究團隊創新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將
high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨
[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結合低溫原子層高k 介質沉積技術，有效抑
制了在介質沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應，成功將
high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了<
項目階段:
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