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原理介紹： 光在與微粒的相互作用中，會(huì)將自身攜帶的動(dòng)量傳遞給微粒，對微粒施加力的作用。在光鑷中，處在激光中的粒子所受的力有兩種：一部分是電磁場分布不均勻?qū)е碌奶荻攘Γ荻攘⑽⒘Ｎ蚬廒宓闹行模灰徊糠质枪庾优c粒子相互作用導(dǎo)致的散射。針對不同大小的粒子，大致可以分為三類： 一、微粒的尺度遠(yuǎn)大于激光波長，可以采用幾何光學(xué)近似模型，光線在微粒經(jīng)過折射反射，將動(dòng)量傳遞至微粒上； 二、微粒尺度跟激光波長相近，這種情況下可以通過電磁場麥克斯韋方程組求解； 三、微粒尺度遠(yuǎn)小于激光波長，微粒在光場中被激發(fā)為偶極子，受到偶極子與強(qiáng)聚焦光場的相互作用力； 相關(guān)內(nèi)容： 動(dòng)手調(diào)節(jié)光路，利用光鑷捕捉并操控小球； 基于空間光調(diào)制器的光鑷系統(tǒng)，通過研究不同算法從而得到加載在空間光調(diào)制器上的全息圖、更加深入地研究特殊模式光束在光學(xué)微操縱中的應(yīng)用、拓展光鑷與其他學(xué)科交叉的應(yīng)用前景以及對光場偏振態(tài)、相位、振幅的聯(lián)合調(diào)制等等。 應(yīng)用領(lǐng)域： 作為非侵入型的力學(xué)操控系統(tǒng)，光鑷可以應(yīng)用于細(xì)胞生物學(xué)、氣溶膠科學(xué)、物理化學(xué)等交叉學(xué)科的基礎(chǔ)研究，包括細(xì)胞微環(huán)境的改變、形變拉伸、微粒力學(xué)參數(shù)的測量等等。將全息光鑷與圖像識(shí)別結(jié)合，可以做到自動(dòng)捕獲粒子和分揀， 將全息光鑷與光學(xué)顯微鏡相結(jié)合，可以量化細(xì)胞、分子的動(dòng)力學(xué)特性，在細(xì)胞生物學(xué)中有巨大的研究空間； 方案介紹： 光路圖：   上圖為本方案全息光鑷裝置的光路示意圖。首先激光經(jīng)過擴(kuò)束后，直徑與空間光調(diào)制器有效區(qū)域的短邊直徑相等，擴(kuò)束后的激光依次通過線偏振片、半波片和非偏振分光棱鏡。用半波片旋轉(zhuǎn)線偏光角度，使之工作在相位模式下，空間光調(diào)制器的入射角控制在在 5°以內(nèi)。 經(jīng)過空間光調(diào)制器反射的光經(jīng)過由兩個(gè)傅里葉透鏡組成的縮束系統(tǒng)，該系統(tǒng)能改變光斑尺寸確保光束直徑與顯微物鏡的入瞳直徑匹配。對于外圍光強(qiáng)較弱的高斯光束，利用此縮束系統(tǒng)將激光直徑稍大于顯微物鏡入瞳直徑。 經(jīng)過縮束系統(tǒng)的激光經(jīng)過 45°直角反射鏡，二向色鏡將激光透射進(jìn)入顯微物鏡，同時(shí)讓照明光源透過，從而使 CMOS 相機(jī)采集到樣品像。空間光調(diào)制器位于第一個(gè)傅里葉透鏡的焦距處，全息圖與物鏡入瞳是共軛像面，所以全息圖經(jīng)過顯微物鏡做傅里葉變換后在顯微物鏡焦平面即樣品面上再現(xiàn)期望的光場分布。   特點(diǎn)： 此方案采用的開普勒式縮束系統(tǒng)透鏡間的焦平面與樣品面是共軛的，在透鏡焦平面加入高通濾波器或在空間光調(diào)制器上疊加閃耀光柵后，后續(xù)光學(xué)元件按照一級像排列，從而移去零級光的影響。 加載全息圖后 X-Y 位置可實(shí)時(shí)調(diào)整，快速疊加不同焦距菲涅爾相位圖、閃耀光柵相位圖等； 空間光調(diào)制器可供多種語言調(diào)用（labview、C、Python 等）；可編程實(shí)現(xiàn)不同數(shù)目、不同排列的光阱陣列；   配置標(biāo)準(zhǔn)：   序號 配置 規(guī)格 序號 配置 規(guī)格 1 激光光源 637nm 激光最大功率1w 4 顯微物鏡 PLN100× 油浸   NA 1.25 2 空間光調(diào)制器 1920*1080   2π 5 照明光源 波長470nm 功率760mw 3 CMOS相機(jī) 1280*1024 60FPS 6 相機(jī)筒鏡 f=200mm 等系列其他配置

本實(shí)用新型公開了一種半剛性基層與粒料柔性基層的過渡結(jié)構(gòu)，其特征在于半剛性基層為水泥穩(wěn)定碎石基層和低劑量水泥穩(wěn)定碎石底基層的基層結(jié)構(gòu)，粒料柔性基層為級配碎石上基層；過渡結(jié)構(gòu)包括鋪設(shè)在面層和基層之間的玻纖格柵過渡層、水泥穩(wěn)定碎石斜坡式過渡結(jié)構(gòu)和鋪筑在斜坡上的粒料柔性基層結(jié)構(gòu)三部分；柔性基層下方是水泥穩(wěn)定碎石下基層和底基層；基層上方均為相同結(jié)構(gòu)的瀝青面層，底基層下方均為路基。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了半剛性基層和粒料柔性基層之間剛度和強(qiáng)度的連續(xù)過渡，減少了差異沉降、裂縫和變形等破壞問題，也方便了后期彎沉指標(biāo)驗(yàn)收。

本發(fā)明公開了一種聚乙烯蠟微粉的制備方法，包括如下步驟：（1）原料的熔化與輸送：采用加熱裝置制備聚乙烯蠟料液，保溫齒輪泵將所述聚乙烯蠟料液通過管道輸送到位于噴霧造粒塔內(nèi)部的霧化器處，所述管道和除去噴孔外霧化器的其他部分需整體保溫；（2）壓縮空氣和霧化：空氣壓縮機(jī)提供的壓縮空氣經(jīng)過另一路管道輸送至霧化器，與具有壓力的所述聚乙烯蠟料液相互匹配，將所述聚乙烯蠟料液充分霧化，霧化后的霧滴在造粒塔內(nèi)冷卻固化為微粉；（3）產(chǎn)品的收集：收集裝置收集冷卻固化后的微粉，即得產(chǎn)品。本發(fā)明還公開了一種噴霧造粒系統(tǒng)，用于聚乙烯蠟微粉的制備。本發(fā)明所述方法能耗低、操作簡便且安全可靠且制得的產(chǎn)品粒度小。

本發(fā)明提供一種光學(xué)反射模型與微波散射模型協(xié)同的森林生物量反演方法，包括 1)通過對比光學(xué) 與微波輻射傳輸模型的異同，構(gòu)建光學(xué)與微波輻射傳輸協(xié)同模型;2)基于單木生長模型、光學(xué)與微波 輻射傳輸協(xié)同模型，構(gòu)建森林的光學(xué)二向反射和微波后向散射特征數(shù)據(jù)庫及相應(yīng)的森林地上生物量參數(shù) 庫;3)基于光學(xué)與微波協(xié)同模擬數(shù)據(jù)庫，分別構(gòu)建生物量反演的單源光學(xué)模型與單源微波模型;4)通 過光學(xué)與微波關(guān)鍵因子的敏感性分析，確定協(xié)同模型中光學(xué)與微波數(shù)據(jù)各自所占權(quán)重，從而構(gòu)建 AGB 反演的光學(xué)微波協(xié)同模型。本發(fā)明將光學(xué)遙感數(shù)據(jù)與微波遙感數(shù)據(jù)相結(jié)合，充分發(fā)揮兩者反演生物量的 優(yōu)勢，有效提高了森林地上生物量的定量反演精度。

本項(xiàng)目以國家自然科學(xué)基金 重點(diǎn)項(xiàng)目、國家杰出青年科學(xué)基金項(xiàng)目等為依托，歷時(shí)十余年研究，建立了粗粒 土顆粒破碎機(jī)理與塑性本構(gòu)理論。主要取得的科學(xué)發(fā)現(xiàn)點(diǎn)如下：(1) 針對傳統(tǒng)強(qiáng)度理論無法描述粗粒土的顆粒破碎、各向異性、尺寸效應(yīng) 等問題，建立了粗粒土三維統(tǒng)一非線性強(qiáng)度理論。該強(qiáng)度理論能夠準(zhǔn)確地模擬粗 粒土因顆粒破碎所導(dǎo)致的偏平面及子午面上非線性的強(qiáng)度特征；能夠合理地反映 粗粒土因自重產(chǎn)生的橫觀各向同性的強(qiáng)度特征；能夠準(zhǔn)確地模擬粗粒土復(fù)雜的各 向異性的強(qiáng)度特征；還能夠合理地反映粗粒土三維尺寸效應(yīng)的強(qiáng)度特征。(2) 提出考慮中主應(yīng)力影響的粗粒土三維邊界面本構(gòu)理論。試驗(yàn)表明，粗 粒土剪脹特性與中主應(yīng)力系數(shù)相關(guān)，據(jù)此提出了考慮中主應(yīng)力影響的粗粒土三維 應(yīng)力-剪脹方程。針對傳統(tǒng)本構(gòu)模型無法描述中主應(yīng)力對應(yīng)力變形影響的問題， 建立了考慮中主應(yīng)力影響的粗粒土三維邊界面本構(gòu)模型。在邊界面理論框架下， 建立了屈服面與邊界面的演化規(guī)律，獲得了應(yīng)力變形特征。(3) 提出顆粒破碎影響的狀態(tài)相關(guān)塑性本構(gòu)理論。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)粗粒土顆粒破 碎會(huì)導(dǎo)致顆粒級配發(fā)生變化，細(xì)顆粒填充粗顆粒孔隙，進(jìn)而使得臨界狀態(tài)線發(fā)生 移動(dòng)，并伴隨能量散耗，因此，提出了考慮顆粒破碎的三維臨界狀態(tài)面及臨界狀 態(tài)理論。粗粒土在壓縮和剪切作用下，顆粒破碎，并具有狀態(tài)相關(guān)性，因此，提 出了考慮顆粒破碎的應(yīng)力-孔隙耦合狀態(tài)方程。根據(jù)所提出的考慮顆粒破碎三維 臨界狀態(tài)面，建立了考慮顆粒破碎影響的狀態(tài)相關(guān)塑性理論。

我國粗粒土分布廣泛，在強(qiáng)震、高應(yīng)力等復(fù)雜應(yīng)力條件下，高土石壩、高邊 坡和島礁工程中，粗粒土易產(chǎn)生顆粒破碎，導(dǎo)致其級配發(fā)生改變并伴隨能量耗散, 從而引起邊坡及壩體變形失穩(wěn)破壞。研究粗粒土在顆粒破碎情況下的本構(gòu)模型以 及評價(jià)工程安全穩(wěn)定是目前粗粒土研究的熱點(diǎn)問題。本項(xiàng)目以國家自然科學(xué)基金 重點(diǎn)項(xiàng)目、國家杰出青年科學(xué)基金項(xiàng)目等為依托，歷時(shí)十余年研究，建立了粗粒 土顆粒破碎機(jī)理與塑性本構(gòu)理論。主要取得的科學(xué)發(fā)現(xiàn)點(diǎn)如下： (1)  針對傳統(tǒng)強(qiáng)度理論無法描述粗粒土的顆粒破碎、各向異性、尺寸效應(yīng) 等問題，建立了粗粒土三維統(tǒng)一非線性強(qiáng)度理論。該強(qiáng)度理論能夠準(zhǔn)確地模擬粗 粒土因顆粒破碎所導(dǎo)致的偏平面及子午面上非線性的強(qiáng)度特征；能夠合理地反映 粗粒土因自重產(chǎn)生的橫觀各向同性的強(qiáng)度特征；能夠準(zhǔn)確地模擬粗粒土復(fù)雜的各 向異性的強(qiáng)度特征；還能夠合理地反映粗粒土三維尺寸效應(yīng)的強(qiáng)度特征。 (2)  提出考慮中主應(yīng)力影響的粗粒土三維邊界面本構(gòu)理論。試驗(yàn)表明，粗 粒土剪脹特性與中主應(yīng)力系數(shù)相關(guān)，據(jù)此提出了考慮中主應(yīng)力影響的粗粒土三維 應(yīng)力-剪脹方程。針對傳統(tǒng)本構(gòu)模型無法描述中主應(yīng)力對應(yīng)力變形影響的問題， 建立了考慮中主應(yīng)力影響的粗粒土三維邊界面本構(gòu)模型。在邊界面理論框架下， 建立了屈服面與邊界面的演化規(guī)律，獲得了應(yīng)力變形特征。 (3)  提出顆粒破碎影響的狀態(tài)相關(guān)塑性本構(gòu)理論。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)粗粒土顆粒破 碎會(huì)導(dǎo)致顆粒級配發(fā)生變化，細(xì)顆粒填充粗顆粒孔隙，進(jìn)而使得臨界狀態(tài)線發(fā)生 移動(dòng)，并伴隨能量散耗，因此，提出了考慮顆粒破碎的三維臨界狀態(tài)面及臨界狀 態(tài)理論。粗粒土在壓縮和剪切作用下，顆粒破碎，并具有狀態(tài)相關(guān)性，因此，提 出了考慮顆粒破碎的應(yīng)力-孔隙耦合狀態(tài)方程。根據(jù)所提出的考慮顆粒破碎三維 臨界狀態(tài)面，建立了考慮顆粒破碎影響的狀態(tài)相關(guān)塑性理論。

本發(fā)明公開了一種負(fù)載ZIF-8顆粒的碳納米管及其制備方法。管中負(fù)載有ZIF-8顆粒的碳納米管的比表面積≥209m2/g，其中，碳納米管長1～25μm、管內(nèi)直徑2～25nm，ZIF-8顆粒徑2～25nm；方法先將碳納米管加入硝酸溶液中超聲后回流，再對回流液進(jìn)行固液分離和洗滌，干燥后得到端面開口、附有功能基團(tuán)的碳納米管，接著，先將其加入鋅鹽溶液中超聲得混合液，再對混合液進(jìn)行固液分離、洗滌和干燥處理，得到端面開口、固定有鋅源的碳納米管，之后，先將其加入2-甲基咪唑溶液中超聲后靜置得反應(yīng)液，再對反應(yīng)液進(jìn)行固

本發(fā)明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發(fā)明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發(fā)明可以用于光伏發(fā)電系統(tǒng)與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)等顯著優(yōu)點(diǎn),所以在國際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價(jià)格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點(diǎn),因此被譽(yù)為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費(fèi)了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內(nèi)水平，所以基本壟斷國內(nèi)LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場,其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時(shí)還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達(dá)到2萬小時(shí)以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個(gè)照明市場，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。