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PECVD（plasma enhanced chemical vapor deposition）—等離子體化學氣相沉積，在化學氣相沉積領域具有很好的前景。利用等離子體中大量高能量的電子，提供化學氣相沉積過程所需的激活能，相對于其它CVD方法具有顯著降低CVD薄膜沉積的溫度等優點。包括輝光放電等離子體發生電源、氣體質量流量計、真空計、分子泵等多個組成單元。可以在不同氣壓和氣體環境下進行PECVD。 技術特點: 1）自主研發的等離子體發生電源可輸出較大范圍內幅值、頻率可調的放電電壓信號；2）可實現100~105 Pa不同氣壓以及不同氣體環境，且通過氣體流量精確控制實現在任一氣壓值穩定氣壓狀態。 3）專用設計的反映腔體結構和水冷放電電極結構，可長時間、穩定地生成PECVD用輝光放電等離子體。腔體內部包含多種可調性測量結構，可以對生成的等離子體和PECVD過程進行多種形式的監測。 4）該裝置根據產品化標準進行了多重安全性和人機互動性專門設計，符合產品要求。