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功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關頻率高、可靠性好等優點，因此廣泛應用于開關電源、汽車電子、DC/DC轉換等領域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領域占據了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術積累，開展了大量前沿性研究和產業化研究，目前本團隊在功率DMOS領域累計授權發明專利超過50項，能夠量產的產品型號近百種。

已有樣品/nCMOS 研究團隊創新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結合低溫原子層高k 介質沉積技術，有效抑制了在介質沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎上，通過高級刻蝕技術形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結合，最終形成全隔離硅基環柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結構。

單層半導體性過渡族金屬硫屬化合物（MX2:MoS2, WS2等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優異的電學性質、強的光物相互作用、高效的催化特性等優點，在光電子學器件、傳感器件、電催化產氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2材料的批量制備和高品質轉移是關鍵的科學問題?，F有方法仍面臨著諸多重大挑戰，例如， 難以實現晶圓尺寸的層數均勻性、單晶疇區小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉移過程復雜、容易引入污染物等。 北京大學研發課題組是國內較早開展相關研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產氫應用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2(Nano Lett. 13, 3870 (2013))；在藍寶石上獲得了大疇區單層WS2(ACS Nano 7, 8963(2013))；發展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現了疇區尺寸可調單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態、電子結構和電催化析氫之間的構效關系。

利用大面積高質量的單層MoS2薄膜，對其施加了流體靜壓力并進行光譜測量。結果表明單層MoS2在壓應力的作用下，其熒光峰先以49.4 meV/GPa的壓力藍移，后以15.3 meV/GPa的壓力紅移，這對應著直接-間接能帶結構的轉變，轉變點壓力為1.9 GPa。