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本發(fā)明公開了一種隧道結單元及磁隨機存儲器，包括依次連接 的第一電極、第一自由層、非磁性絕緣層、釘扎層和第二電極，還包 括連接在第一電極與第一自由層之間的第二自由層，第二自由層的橫 截面積小于自由層的橫截面積；第二自由層和第一自由層一起形成了 復合自由層結構；第二自由層用于聚集電流，使得第二自由層處的電 流密度大于第一自由層處的電流密度，從而使得第二自由層的磁矩先 于第一自由層發(fā)生翻轉；由于第二自由層和第一自由層之間的

（一）項目背景 當前以硅、砷化鎵為代表的第一和二代半導體接近其物理極限，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體是當前國際競爭熱點，也是我國發(fā)展自主核心半導體產(chǎn)業(yè)、實現(xiàn)換道超車的難得機遇。氮化鎵（GaN）特別適合制作高頻、高效、高溫、高壓的大功率微波器件，是下一代通信、雷達、制導等電子裝備向更大功率、更高頻率、更小體積和抗惡劣環(huán)境（高溫抗輻照）方向發(fā)展的關鍵技術。 目前氮化鎵基射頻器件已接近于商用，需解決從走出實驗室到小量中試的最后“1 公里”，重點攻克其在可靠性工藝和量產(chǎn)穩(wěn)定性的瓶頸。 以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體是當前國際競爭熱點，也是我國發(fā)展自主核心半導體產(chǎn)業(yè)、實現(xiàn)換道超車的難得機遇。 半導體作為信息時代的“糧食”，將成為 5G 基建、特高壓、城際高鐵和城際軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等“新基建”七大領域發(fā)展的支柱性產(chǎn)業(yè)。而氮化鎵為代表的寬禁帶半導體先進電子器件，憑借其高效、高壓、高溫等優(yōu)勢，將在“新基建”中大放異彩，可以彌補傳統(tǒng)半導體器件的技術瓶頸，滿足更高性能器件要求。 （二）項目簡介 5G 要求更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，發(fā)射機的效率會出現(xiàn)指數(shù)級的下降。這種下降可以使用包絡跟蹤技術來修復，該技術已經(jīng)在較新的 4G/LTE 基站以及蜂窩電話中采用。基站中的包絡跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用 GaN 技術才能實現(xiàn)。諸如 GaN 助力運營商和基站 OEM 等實現(xiàn)了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大規(guī)模 MIMO 的目標。 GaN 可以說為 5Gsub-6-GHz 大規(guī)模 MIMO 基站應用提供了眾多優(yōu)勢：1、在 3.5GHz 及以上頻率下表現(xiàn)良好，對比其他產(chǎn)品優(yōu)勢明顯。2、GaN 的特性能轉化為高輸出功率，寬帶寬和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 輸出功率下的平均效率達到 50%至 60%，明顯降低了發(fā)射功耗。3、在高頻和寬帶寬下的效率意味著大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)可以更緊湊。4、可在較高的工作溫度下可靠運行，這意味著它可以使用更小的散熱器。 根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù)，預計 5G 移動連接將從 2019 年的 500 萬增長到 2023 年的近 6 億。所以需求還將不斷上漲。 根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，預計5G移動連接將從2019年的500萬增長到2023年的近6億。所以需求還將不斷上漲。 Efficient Power Conversion 的首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow 討論5G時也說道：“基站中的包絡跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用GaN技術才能實現(xiàn)。根據(jù)Yole Development公司發(fā)布的2018年度報告數(shù)據(jù)顯示，隨著全球整體數(shù)據(jù)流量的激增，我國5G產(chǎn)業(yè)將迎來大規(guī)模的需求增長。預計到2022年，我國5G基站規(guī)模將達到千億市場，5G基站數(shù)量將達百萬個。所以未來氮化鎵基射頻器件是5G通信基站收發(fā)端的核心。 氮化鎵基射頻器件是華為和中興發(fā)展 5G 通信產(chǎn)業(yè)的核心器件，西安電子科技大學氮化鎵射頻器件研究團隊自 2016 年起就與華為西安研究所、中興西安研究所等國內(nèi)主流5G通信公司協(xié)同攻關開展氮化鎵基射頻器件的研究，目前承擔的流片服務項目合計約 500 萬元。 2017 年，西安電子科技大學與西安市高新區(qū)、西電電氣集團等聯(lián)合成立“陜西半導體先導技術中心”，中心致力于推動陜西第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進以氮化鎵為代表的射頻器件、功率器件等加速產(chǎn)業(yè)化，2019 年團隊向陜西半導體先導技術中心轉讓專利 35 項，作價 2000 萬元，雙方正在聯(lián)合推進搭建第三代半導體中試平臺，平臺將會立足西安，服務全國，提升氮化鎵基射頻器件量產(chǎn)工藝可靠性，實現(xiàn)相關技術成果轉化。 （三）關鍵技術 本項目由西安電子科技大學作為技術攻關的主要單位，制定技術路線，保障國家重大科技專項“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移動通信 GaN 芯片可靠性機理研究”研究，與華為和中興聯(lián)合開展工程合作項目實施，加快解決器件工藝可靠性工程問題，重點開展氮化鎵微波功率與太赫茲器件工程技術研究，突破高性能低缺陷外延材料生長、高效率高可靠氮化鎵微波功率器件工藝技術等關鍵瓶頸問題，協(xié)助規(guī)模量產(chǎn)高效率 S-Ku 波段典型氮化鎵功率器件和模塊、5G 基站核心射頻模塊。

一、產(chǎn)品簡介      光無源器件是光纖通信設備的重要組成部分。它是一種光學元器件，也是其它光纖應用領域不可缺少的元器件。該實驗儀重點介紹了常用的光無源器件的相關參數(shù)及測試方法，主要包括光纖轉換器、光纖變換器、光纖耦合器，光纖隔離器、光纖衰減器、WDM等器件的參數(shù)的測試原理及測試方法。幫助學生直觀的了解各種光無源器件的性能，從而更準確的使用不同器件進行光纖通信方面實驗。 二、實驗內(nèi)容  1、光纖轉換器測試實驗  2、光纖變換器測試實驗  3、光纖耦合器測試實驗  4、光纖隔離器特性測試實驗  5、波分復用器和解復用器測試實驗  6、可調(diào)光纖衰減器測試實驗  7、光纖機械光開關特性測試實驗  8、光纖偏振控制器特性測試實驗  9、光纖偏振分束器（PBS）性能能參數(shù)測試實驗 三、實驗配置參數(shù) 1、光源：波長1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續(xù)可調(diào)；輸出端口：FC/PC；穩(wěn)定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計：波長范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準波長：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機械光開關：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開關速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調(diào)衰減器：0-30db可調(diào)； 9、配置：光纖光源，光纖光功率計、光纖耦合器、光波分復用器、光纖偏振控制器、光纖偏振分束器，可調(diào)衰減器、光纖隔離器、光纖機械光開關、法蘭盤、實驗指導書及實驗錄像光盤等。 四、實驗目的 1、了解光連接器及其原理、種類，實驗操作進行連接器參數(shù)測量； 2、掌握光纖偏振控制器工作原理，實驗操作單模光纖偏振狀態(tài)控制； 3、了解光纖耦合器用途及其性能參數(shù)，實驗操作測量耦合器特性參數(shù)測量； 4、了解光纖隔離器用途及其性能參數(shù)，實驗操作光纖隔離器特性參數(shù)測量； 5、了解光纖光開關用途及其性能參數(shù)，實驗操作光纖光開關特性參數(shù)測量； 6、了解光波分復用器（WDM）的原理與意義，操作雙波長波分復用（WDM）的原理性實驗；

可以設計并優(yōu)化光纖激光器和放大器、光波導激光器、光纖耦合器、多芯光纖、螺旋芯光纖、錐形光纖；也可以模擬超短脈沖在不同光纖設備中的傳輸，例如在光纖放大器系統(tǒng)、鎖模光纖激光器和通訊系統(tǒng)中的傳輸。 能夠跟蹤和優(yōu)化光纖放大器和光纖激光器，讓它們適合各種應用。幫助評估和排除光纖激光器和放大器中各種不利的影響；能夠對有源光纖器件性能進行預測；能尋找最佳光纖長度、摻雜濃度、折射率分布等；能夠計算摻雜濃度與光線的關系，準確模擬雙包層光纖，還可以模擬時域動態(tài)變化，可以理解和優(yōu)化的細節(jié)如功率效率和噪聲系數(shù)。 RP Fiber Power可用于分析和優(yōu)化各種器件： 單模和多模光纖 計算模式特性；計算光纖耦合系數(shù)；模擬光纖彎曲、非線性自聚焦效應對光束傳輸和高階光孤子傳輸?shù)挠绊憽? 光纖耦合器、雙包層光纖、多芯光纖、平面波導 模擬雙包層光纖的泵浦吸收,光纖耦合器的光束傳輸, 光在錐形光纖的傳輸, 分析彎曲的影響, 放大器中的交叉飽和影響, 泄漏模式等。 光纖放大器 研究單級和多級放大器中的增益飽和特性(連續(xù)或脈沖放大器), 鉺鐿共摻光纖放大器能量轉移過程、猝滅效應、自發(fā)輻射放大等。 光纖通信系統(tǒng) 分析色散與非線性信號失真，放大器噪聲的影響，優(yōu)化放大器非線性效應和放置位置。 光纖激光器 分析并優(yōu)化能量轉換效率、波長調(diào)諧范圍、動態(tài)調(diào)Q。 超快光纖激光器和放大器 研究脈沖的形成機制和穩(wěn)定范圍，非線性效應和色散的影響，拋物脈沖放大，優(yōu)化色散脈沖壓縮，靈敏度反饋，超連續(xù)譜的產(chǎn)生。 脈沖和超快速固體激光器和放大器 研究Q開關，模式鎖定行為，找到可飽和吸收器所需的特性，分析反饋靈敏度，啁啾脈沖放大研究再生放大穩(wěn)定性極限。 這款軟件是致力于光纖器件學科研究或工業(yè)開發(fā)人士的必備工具。這款軟件及其技術支持將為您的工作效率和工作能力提供極大的便利。同時，這款軟件也是一款相當出色的教學工具。 目前已使用該軟件的高校：耶拿大學、英國南普頓大學、北京工業(yè)大學、中國科學技術大學、上海技術應用學院、華中科技大學、西北大學、復旦大學、深圳大學、國防科技大學、長春理工大學、南京理工大學等。 目前已使用該軟件的單位：費朗霍夫研究所、蘇州納米所、兵器裝備部、三江航天、上海光機所、綿陽九院、中科院軟件所、中科院光電所商業(yè)單位、北京敏視達雷達有限公司等。   ※ 光纖數(shù)據(jù)： 軟件中帶有各種稀土摻雜光纖數(shù)據(jù)，即時可以仿真各種光纖激光器和放大器。   ※ 各種公開數(shù)據(jù)： “Yb-germanosilicate” “ErYb-phosphate” “Er-fluorozirconate F88” “Er-silicate L22”  “Er-fluorophosphate L11”  

本實用新型公開了一種基于數(shù)字相敏解調(diào)和虛擬電感技術的非接觸式流體電阻抗測量裝置，包括絕緣測量管道、激勵電極、檢測電極、金屬屏蔽罩、虛擬電感模塊、信號處理與通訊模塊以及微型計算機。信號處理與通訊模塊產(chǎn)生特定頻率的交流激勵信號通過激勵電極，在串聯(lián)諧振狀態(tài)下，利用虛擬電感模塊產(chǎn)生的感抗消除電極與流體通過絕緣管道形成耦合電容容抗的影響，使檢測電路的總阻抗等于管道內(nèi)流體的等效阻抗；然后將檢測信號進行數(shù)字相敏解調(diào)，獲取流體電阻抗的實部信息和虛部信息。本實用新型為解決管道中流體的電阻抗測量問題提供了一種可行途徑，具有傳感器結構簡單、非侵入、電感值可調(diào)、對管道內(nèi)流體流動無影響等優(yōu)點。

本發(fā)明公開了一種染料敏化太陽能電池光陰極及其制備方法和 應用。該方法包括如下步驟：(1)在具有熱收縮特性的聚合物基底上沉 積一層透明導電薄膜；(2)在透明導電薄膜表面沉積一層金屬薄膜；(3) 對步驟(2)得到的結構進行退火處理，使基底受熱收縮，在透明導電薄 膜和金屬薄膜上形成褶皺和間隙，完成光陰極的制備。本發(fā)明能顯著 提高光陰極的催化面積，提高光陰極對透過光的反射率和散射率，進 而提高光陰極的還原效率及光陽極對入射光的利用率，最終提高染料·119·敏化太陽能電池的光電轉換

本發(fā)明公開了一種基于疊層結構的高性能氣敏傳感器及其制備 方法。本發(fā)明采用氧化錫、氧化鋅作為導電層，三氧化鎢、二氧化鈦、 氧化銅、氧化鈷作為敏感層，同時采用鈀、鉑貴金屬、硫化鎘、錫化 鎘敏化劑對敏感層進行修飾制備得到氣敏傳感器。本方法采用疊層的 形式將修飾后的氣敏材料置于頂層，使其能與環(huán)境中的氣氛進行充分 的反應，提高氣敏傳感器的響應度；將具有較好導電性能的材料置于 底層，使其將敏感層中電子濃度的變化迅速傳遞到外電路中

本發(fā)明公開了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對一氧化碳 有較好的響應。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結構簡單，性 能優(yōu)異。

二維材料被認為可以取代硅基材料，成為下一代低功耗超快電子器件的基礎材料，是當前材料科學的研究熱點之一。

目的：研究當歸飲子對氣血兩虛型慢性蕁麻疹治療機理。 方法：ＫＭ小鼠，雌雄各半，采用利血平＋乙酰苯肼，聯(lián)合ＩＶ型變態(tài)反應模擬蕁麻疹模型，選擇模型制作成功的動物，隨機分為模型組、氯雷他定組、當歸飲子加減方高劑量組、中劑量組和低劑量組，每組８只動物，另取８只作為空白對照組。實驗結束時，各組動物眼眶取血，分離血清，光鏡檢測外周血嗜酸性粒細胞（ＥＯＳ）變化；采用雙抗夾心ＥＬＩＳＡ法測試血清ＩｇＥ含量；剖取血管壁組織，免疫組織化學檢測血管壁組織中ＩＬ－４、ＩＦＮ－γ表達量。 結果：與模型組比較，當歸飲子各劑量組可顯著降低動物外周血嗜酸性粒細胞（Ｐ＜０．０１）；降低血清ＩｇＥ含量（Ｐ＜０．０１）；降低血管壁組織ＩＬ－４（Ｐ＜０．０１），升高ＩＦＮ－γ（Ｐ＜０．０１）。 結論：當歸飲子可通過干預Ｔ細胞異常分泌相關細胞因子抑制蕁麻疹發(fā)病。 文章發(fā)表于南京中醫(yī)藥大學學報２０１３年３月第２９卷第２期。