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GaN?基高壓?LED
可以量產(chǎn)/n高壓LED是多個LED單元的芯片級串聯(lián)，互連比多個小功率管芯打線互連更為可靠；且LED單元之間間距很小，光線集中，便于光學(xué)設(shè)計，可用于高光密度照明，路燈、廣場照明和舞臺聚光照明等。幾個高壓LED串聯(lián)后可直接達到市電電壓水平，變壓能耗小，驅(qū)動設(shè)計簡單，可用于各種市電照明場合，例如室內(nèi)照明、園區(qū)和工作場所照明等；高壓LED能減小驅(qū)動電路、光學(xué)設(shè)計和散熱部分的體積，因此 可采用多種燈具形式和適用多種安裝場合。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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GaN微顯示技術(shù)
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
垂直結(jié)構(gòu)?GaN?基?LED
可以量產(chǎn)/n在垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的工藝流程中，其剝離下來的藍寶石襯底可以回收后重復(fù)利用多次，藍寶石襯底單芯片和2英寸整片剝離成品率大于95%。目前，垂直結(jié)構(gòu)LED發(fā)光效率可以達到121.57m/W@350mA隨著技術(shù)的不段進步，近幾年最受人們關(guān)注的是固態(tài)通用照明領(lǐng)域的高亮度大功率LED應(yīng)用，然而這種應(yīng)用卻受到藍寶石異質(zhì)襯底所帶來的一系列技術(shù)問題的限制。除去了藍寶石襯底的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片具有優(yōu)良的光電熱方面的性能，能滿足固態(tài)通用照明對其性能的要求，采用垂直結(jié)構(gòu)LED方案是固態(tài)通用照明技術(shù)發(fā)展的 必然
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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硅基GaN功率開關(guān)器件
寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當(dāng)前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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AlGaN/GaN合金歐姆接觸新途徑
AlGaN/GaN HEMT器件具有較高的電子遷移率二維電子氣2DEG，在射頻以及功率器件中有極大的應(yīng)用前景。由于降低金屬半導(dǎo)體的歐姆接觸電阻對降低器件源漏電極寄生電阻起到關(guān)鍵作用，直接影響到器件的源漏輸出電流、導(dǎo)通電阻、擊穿電壓等性能參數(shù)，高質(zhì)量的低歐姆接觸在AlGaN/GaN射頻器件的開發(fā)中尤為重要。 于洪宇課題組訪問學(xué)生范夢雅介紹，傳統(tǒng)的Ti/Al多層膜常被應(yīng)用到無金歐姆接觸工藝
南方科技大學(xué)
2021-04-14
Si基GaN功率半導(dǎo)體及其集成技術(shù)
隨著便攜式電子設(shè)備的快速發(fā)展，將微型電子設(shè)備運用到可穿戴設(shè)備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統(tǒng)的硬質(zhì)電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設(shè)備的儲能問題，是實現(xiàn)這些可能性的重要因素之一。 本成果設(shè)計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
Si基GaN功率半導(dǎo)體及其集成技術(shù)
電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導(dǎo)體技術(shù)研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國際上首次實現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學(xué)
2021-04-10
高頻高功率密度GaN柵驅(qū)動電路
作為第三代半導(dǎo)體代表性器件.硅基GaN開關(guān)器件由于具有更小的FOM.能夠把開關(guān)頻率推到MHz應(yīng)用范圍，突破了傳統(tǒng)電源功率密度和效率瓶頸(功率密度提高5-10倍).且具有成本優(yōu)勢，滿足未來通信、計算電源、汽車電子等各方面需求,開展相關(guān)領(lǐng)域的研究對我國在下一代電力電子器件產(chǎn)業(yè)的全球競爭中實現(xiàn)彎道超車,具有重要意義。然而,器件物理特殊性需要定制化柵驅(qū)動電路和采用先進的環(huán)路控制策略，最大程度提高GaN開關(guān)應(yīng)用的可靠性,發(fā)揮其高頻優(yōu)勢。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
Si基GaN功率半導(dǎo)體及其集成技術(shù)
特色及先進性；技術(shù)指標(biāo) 電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導(dǎo)體技術(shù)研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國際上首次實現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結(jié)構(gòu)（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結(jié)構(gòu)如圖2所示。新結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)GaN整流器具有更小的導(dǎo)通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統(tǒng)SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導(dǎo)通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優(yōu)秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標(biāo)準(zhǔn)，MG-HAD在常溫下?lián)舸╇妷撼^1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下?lián)舸╇妷簽?70V。本器件結(jié)果能同時具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優(yōu)值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學(xué)
2016-06-08
由生成對抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）驅(qū)動的進化多目標(biāo)算法
隨著計算智能方法得到更廣泛的應(yīng)用，其從問題本身學(xué)習(xí)的能力亟待增強。為此，越來越多研究提出使用機器學(xué)習(xí)模型來驅(qū)動計算智能。通常，這種基于模型的進化算法的性能高度依賴于所采用模型的訓(xùn)練質(zhì)量。而傳統(tǒng)機器學(xué)習(xí)方法需要大量訓(xùn)練數(shù)據(jù)進行模型訓(xùn)練，而且受維度災(zāi)難的影響，這類方法通常很難解決維度較高的問題，約束了計算智能方法的應(yīng)用范疇。課題組在
南方科技大學(xué)
2021-04-14