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產(chǎn)品詳細(xì)介紹生物安全柜 產(chǎn)品特點 :獨特可靠的新穎結(jié)構(gòu)，采用人體工程學(xué)設(shè)計，帶有10度傾斜角，為使用者提供最大的舒適性和視覺效果。安全柜的操作區(qū)均采用四面（左右二側(cè)、后部、低部）雙層結(jié)構(gòu)，所有污染部位均處于負(fù)壓狀態(tài)和被負(fù)壓通道和負(fù)壓通風(fēng)系統(tǒng)包圍。前視窗采用光學(xué)透視清晰、清潔、消毒劑不對其產(chǎn)生負(fù)面影響的鋼化玻璃。滑動玻璃門升降門，自由輕松，隨意定位，在行程范圍內(nèi)的任何位置不產(chǎn)生卡死現(xiàn)象，而且有聯(lián)鎖系統(tǒng)保證在懸掛系統(tǒng)出鼓掌時不脫落而給操作者帶來危險。內(nèi)膽、集液槽及托盤均采用304不銹鋼材質(zhì)，內(nèi)膽一次成形，圓弧處理，工作臺面可移動。集液槽下部配有排污接口便于清潔。 詳細(xì)參數(shù)：指標(biāo)/型號 XJK-1100Ⅱ/A2(美國聯(lián)邦NSF49) XJK-1360Ⅱ/B2(美國聯(lián)邦NSF49) 潔凈等級 100級@≥0.5μm(美聯(lián)邦209E) 100級@≥0.5μm(美聯(lián)邦209E) 菌落數(shù) ≤0.5個/皿·時(φ90mm培養(yǎng)平皿) ≤0.5個/皿·時(φ90mm培養(yǎng)平皿) 風(fēng)速 流入氣流平均風(fēng)速：大于0.5 m/s 流入氣流平均風(fēng)速：大于0.5 m/s 下降氣流平均風(fēng)速0.25-0.5 m/s 下降氣流平均風(fēng)速0.25-0.5 m/s 噪 音 ≤55dB（A） ≤55dB（A） 振動半峰值 ≤4μm ≤4μm 光照度 ≥500LX ≥500LX 電 源 單項交流220V/50Hz 單項交流220V/50Hz 重 量 205Kg 246 Kg 215Kg 260 Kg 工作區(qū)尺寸 1100x600x680mm 1360 x600x680mm 1100x600x680mm 1360 x600x680mm 裝置外形尺寸 1240x790x2250mm 1500 x805x2250mm 1240x790x2250mm 1500 x790x2250mm 送風(fēng)過濾器規(guī)格及數(shù)量 1000x470x69x① 1260x470x69x① 1000x395x69x① 1260x395x69x① 排風(fēng)過濾器規(guī)格及數(shù)量 570x400x69x① 700x400x69x① 1000x320x90① 700x400x90x① 熒光燈/紫外燈規(guī)格及數(shù)量 30w x ②/ 20w x ① 40w x ②/ 40w x ① 30w x ②/ 20w x ① 30w x ②/ 30w x ① 適用人數(shù) 單人單面 雙人單面 單人單面 雙人單面 備注：我廠生產(chǎn)的生物安全柜是依照美國NSF49標(biāo)準(zhǔn)組織生產(chǎn)的二級通用型生物安全柜。對于用戶若有B型生物安全柜需求的，可在定貨中提出。對于有三級生物安全柜需求的用戶可單獨制作

本發(fā)明公開了一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉，該發(fā)明首先將配好的原料進(jìn)行感應(yīng)熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進(jìn)行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護(hù)氣氛下，進(jìn)行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時繼續(xù)通入氨氣，即可得到核殼結(jié)構(gòu)的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強(qiáng)、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點。

本發(fā)明公開了一種負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學(xué)組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽離子的氧化物為起始原料，球磨，經(jīng)過多次煅燒，加入有機(jī)粘結(jié)劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環(huán)境下將樣品無電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區(qū)的B值為3000-4000K,150°C

超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質(zhì)量的層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達(dá)~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進(jìn)行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體完整的電子能帶結(jié)構(gòu)信息，測得了電子有效質(zhì)量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關(guān)鍵物理參量。?

該研究發(fā)現(xiàn)一種新的過氧自由基自氧化機(jī)制，闡明甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化會生成甲醛，增加其釋放的環(huán)境風(fēng)險。該研究不僅拓展了對大氣過氧自由基化學(xué)的理解，還為甲基硅氧烷環(huán)境行為模擬和風(fēng)險評估提供了重要的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅(qū)控，向各納電場中電場強(qiáng)度最強(qiáng)部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電

本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖

一種高單模成品率的分布反饋激光器，包括激光諧振腔、布拉 格光柵；布拉格光柵為啁啾光柵或者等效的啁啾光柵，并位于諧振腔 內(nèi)，其等效折射率沿諧振腔腔長方向是變化的；該激光器的模式增益 沿諧振腔腔長方向變化；該激光器輸出單縱模。本發(fā)明由于采用啁啾 光柵或者等效的啁啾光柵，同時使激光器的模式增益沿腔長方向變化， 并通過在激光器兩端面分別鍍高反膜和增透膜配合，能夠提高激光器 在布拉格阻帶指定的一邊，即藍(lán)邊或者紅邊光激射的概率，

本發(fā)明公開了一種通過施加低電平脈沖實現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法，包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應(yīng)變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生，繼而實 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖；在連續(xù)脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材

一種基于多源遙感數(shù)據(jù)的城市不透水層信息提取方法，包括根據(jù)夜間燈光亮度影像，計算歸一化燈 光亮度并基于閾值分割方法對城市地表進(jìn)行區(qū)域類型分割;利用燈光亮度、陸地表面溫度與歸一化土壤 調(diào)節(jié)植被指數(shù)，構(gòu)建增強(qiáng)型歸一化不透水層指數(shù);通過建立每一種類型分割區(qū)域的增強(qiáng)型歸一化不透水 層指數(shù) MNDISI 與不透水層率之間的線性定量關(guān)系，進(jìn)行不透水層的提取工作。本發(fā)明較好地結(jié)合了多 源遙感數(shù)據(jù)的優(yōu)勢，有效抑制了光譜混淆對于不透水層率估算結(jié)果的不利影響，為城市土地利用和環(huán)境 變化監(jiān)測提供了一種新的途徑。