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本發(fā)明公開了一種基于波矢測量的紅外成像探測芯片，包括面陣紅外折射微透鏡、面陣非制冷紅外探測器和驅(qū)控預(yù)處理模塊；其中，面陣非制冷紅外探測器位于所述面陣紅外折射微透鏡的焦面處，被劃分成多個陣列分布的子面陣非制冷紅外探測器，每個子面陣非制冷紅外探測器包括數(shù)量和排布方式相同的多個陣列分布的光敏元；面陣紅外折射微透鏡包括多個陣列分布的單元紅外折射微透鏡，每單元紅外折射微透鏡與一個子面陣非制冷紅外探測器對應(yīng)。本發(fā)明的紅外成像

一種三維量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片，屬于一種量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片，解決現(xiàn)有三維量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片工作面積有限、工藝復(fù)雜、成本高的問題。本實用新型自下而上包括：襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層、p 型層，所述襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層和 p 型層表面形狀走向一致，均為均勻分布的凸臺陣列或者均勻分布的凹槽陣列，或者均勻分布的相間的凸臺和凹槽所構(gòu)成的陣列。本實用新型增大了襯底層工作面積，在其上直接生長一層緩沖層來進(jìn)行應(yīng)力與晶格匹配，克服了工作面積與襯底面積之比較低所帶來的量子轉(zhuǎn)換效率低的問題；本實用

本實用新型公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結(jié)構(gòu)，包括LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹腔內(nèi)涂覆有

本發(fā)明屬于芯片貼裝設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種面向芯片的 倒裝鍵合貼裝設(shè)備，包括晶元移動單元、頂針單元、大轉(zhuǎn)盤單元、小 轉(zhuǎn)盤單元、基板進(jìn)給單元)、貼裝運(yùn)動單元，以及作為以上各單元安裝 基礎(chǔ)的支架等，其中晶元移動單元可對晶元盤實現(xiàn)三自由度運(yùn)動并實 現(xiàn)晶元的供給;大轉(zhuǎn)盤單元將脫離晶元盤的芯片精度轉(zhuǎn)移至吸嘴上， 然后由小轉(zhuǎn)盤單元對芯片逐一拾取;基板進(jìn)給單元實現(xiàn)貼裝基板的進(jìn) 給運(yùn)動，貼裝運(yùn)動單元則將拾取完芯片的小轉(zhuǎn)盤運(yùn)動至基板貼裝位置， 最終實現(xiàn)芯片的貼裝。通過本發(fā)明，各個模塊單元之間相互聯(lián)系，共 同協(xié)作，顯

基于事件驅(qū)動方式的仿生視覺圖像傳感器，用于高速場景的拍攝 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破、顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡介 隨著虛擬現(xiàn)實（VR）、增強(qiáng)現(xiàn)實（AR）和混合虛擬增強(qiáng)現(xiàn)實（MR）技術(shù)、自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)以及機(jī)器視覺等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，對圖像傳感器的采集速度提出了更高的要求。傳統(tǒng)基于“幀”掃描形式的CMOS 或 CCD 圖像傳感器較難滿足高速運(yùn)動物體的拍攝需求，若提高相機(jī)的圖像采集幀率，則需要采用高性能且結(jié)構(gòu)復(fù)雜的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，大量的圖像會帶來較大的數(shù)據(jù)冗余，此外，也會面臨功耗高的問題。 相比于傳統(tǒng)的光電和圖像傳感器，生物視網(wǎng)膜具有許多不可比擬的優(yōu)勢。視網(wǎng)膜中的光感受器可根據(jù)外界光強(qiáng)的變化自適應(yīng)調(diào)節(jié)增益，能夠感知超過 180dB 的光強(qiáng)范圍。另外，視網(wǎng)膜基于事件驅(qū)動式的采集方式，僅輸出場景中光強(qiáng)發(fā)生變化的信息，因而，能夠濾除低頻信息帶來的冗余。在信號處理和傳輸上，采用異步通信的方式，通過神經(jīng)節(jié)細(xì)胞將光強(qiáng)信息轉(zhuǎn)換為時空脈沖信號，實現(xiàn)低功耗。 受到生物視網(wǎng)膜的啟發(fā)，研究人員提出了基于事件驅(qū)動方式的仿生視覺圖像傳感器，用于高速場景的拍攝。該類傳感器多采用對數(shù)像素電路作為光強(qiáng)探測單元，因其動態(tài)響應(yīng)范圍寬，可隨機(jī)讀取。然而，對數(shù)電路在弱光環(huán)境下靈敏度低，幾乎沒有光響應(yīng)，即仍然無法模仿視網(wǎng)膜弱光下的高靈敏度，除此之外，其輸出受到 (Fixed Pattern Noise，F(xiàn)PN)的影響，降低了圖像質(zhì)量。 我們提出了一種兼容 CMOS 工藝的光敏二極管體偏置場效應(yīng)晶體管器件(PD- body biased MOSFET，簡稱 PD-MOS)，其結(jié)構(gòu)圖和等效電路如圖 1所示。 利用 PD 的感光特性以及 MOSFET 的正向襯底偏置效應(yīng)實現(xiàn)集成光強(qiáng)探測及信號放大于一體的光電器件。該器件可解決對數(shù)電路在弱光下靈敏度低的問題，并且提出了一種明暗傳感器的方案以降低噪聲。設(shè)計成像測試方案并搭建靜態(tài)圖像采集測試系統(tǒng)，實現(xiàn)靜態(tài)顯示，通過 MTALAB 進(jìn)行圖像恢復(fù)從而實現(xiàn)動態(tài)圖像顯示功能。   圖 1 (a) PD-MOS 器件結(jié)構(gòu)及其 (b) 等效電路圖 經(jīng)過商用 180nm CMOS 工藝流程制備后的器件概貌如圖 2 所示，圖 (a) 為三種不同像素設(shè)計的芯片實物圖，從上至下分別為環(huán)形結(jié)構(gòu)、條形結(jié)構(gòu)及對數(shù)像素電路，將其中的環(huán)形結(jié)構(gòu)在顯微鏡下放大觀察可看到圖 (b) 所示的形貌，圖 (c) 為4個像素的顯微圖。   圖 2 (a) PD-MOS 成像陣列芯片的實物圖，(b) 環(huán)形結(jié)構(gòu)芯片在顯微鏡下的放大圖以及 (c) 環(huán)形結(jié)構(gòu)像素放大圖 上位機(jī)實時顯示效果如圖3所示，可以明顯看出兩根頭發(fā)相交。子圖 (a) 為暗態(tài)時的 100 幀平均灰度圖，子圖 (b) 為暗態(tài)時的曲面圖，子圖 (c) (e) (g) (i) 為光態(tài)下的圖，子圖 (d) (f) (h) (j) 為光態(tài)下的圖像數(shù)據(jù)減去暗態(tài)下圖像數(shù)據(jù)的降噪圖，可以發(fā)現(xiàn)在30nw/cm2 輻照度下已經(jīng)出現(xiàn)頭發(fā)的輪廓，當(dāng)輻照度繼續(xù)增加，頭發(fā)的輪廓越來越清晰，當(dāng)輻照度達(dá)到 3mw/cm2，仍然可以看到頭發(fā)的輪廓。   圖 3 陣列芯片采集的圖像 不同于傳統(tǒng)計算機(jī)視覺系統(tǒng)的圖像采集方式，生物視覺系統(tǒng)的成像由視野場景中發(fā)生的事件觸發(fā)，且生物視網(wǎng)膜具有寬動態(tài)響應(yīng)范圍、超低功耗以及異步傳輸?shù)忍攸c，這為仿生視覺系統(tǒng)的研究提供了全新的思路。隨著物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛以及安防等領(lǐng)域的快速發(fā)展，它們對高速動態(tài)圖像傳感器的需求也日益提升。近些年，針對這些需求，研究人員提出了一種用于采集高速動態(tài)信息的類視網(wǎng)膜相機(jī)，成為了一大熱點研究方向。類視網(wǎng)膜相機(jī)的工作原理模擬了生物視網(wǎng)膜事件驅(qū)動型的采集方式及異步型的傳輸模式，為動態(tài)視覺成像提供了硬件基礎(chǔ)。綜上，該類傳感器的研究具有十分重要的科研意義和深遠(yuǎn)的經(jīng)濟(jì)價值。

項目簡介： 發(fā)展自主知識產(chǎn)權(quán)的北斗衛(wèi)

微晶玻璃腔體是激光陀螺的重要元件和組成部分，為了降低對進(jìn)口材料的依賴程度、提高國產(chǎn)化水平，對國產(chǎn)微晶玻璃腔體在激光陀螺批量化生產(chǎn)中的可行性進(jìn)行分析，主要研究內(nèi)容包括：國產(chǎn)微晶玻璃的制造工藝；采用國產(chǎn)微晶玻璃腔體與采用進(jìn)口微晶玻璃腔體的激光陀螺性能比較；使用國產(chǎn)微晶玻璃腔體激光陀螺樣機(jī)。使用國產(chǎn)化微晶玻璃腔體激光陀螺樣機(jī)零偏穩(wěn)定性和溫度零偏變化率能夠達(dá)到現(xiàn)有水平。

清華大學(xué)電子工程系黃翊東教授團(tuán)隊崔開宇副教授帶領(lǐng)學(xué)生在超光譜成像芯片方面取得重要進(jìn)展，研制出國際首款實時超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測技術(shù)實現(xiàn)了從單點光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。

本項目重點研究面向物聯(lián)網(wǎng)極低功耗微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括寬電壓標(biāo)準(zhǔn)單元和片上存儲器設(shè)計技術(shù)、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測技術(shù)與自適應(yīng)動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)、快速響應(yīng)的寬負(fù)載高效率電源轉(zhuǎn)換技術(shù)、低功耗高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計技術(shù)、極低功耗快速啟動晶體振蕩器技術(shù)；面向工業(yè)控制微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括高可靠處理器架構(gòu)、低延時訪問存儲策略、納秒級中斷響應(yīng)處理技術(shù)、容錯型自糾錯SRAM 設(shè)計技術(shù)、高精度時鐘基準(zhǔn)電路設(shè)計技術(shù)。

本技術(shù)成果涉及集成電路測試技術(shù)領(lǐng) 域，公開了一種RFID讀寫器芯片中測系 統(tǒng)及方法