阻變存儲器集成
已有樣品/n垂直結(jié)構(gòu)的高密度三維交叉陣列,結(jié)合了3D-Xpoint以及3D-NAND兩種架構(gòu)的優(yōu)勢,具有制備工藝簡單,成本低廉以及集成密度高等優(yōu)點。劉明團隊在前期四層堆疊結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)實現(xiàn)了8層結(jié)構(gòu)的設(shè)計,進一步驗證了RRAM三維結(jié)構(gòu)微縮至5nm以下的可能性。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12