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Bi2
Te
3
薄片/石墨烯復合材料及其制備方法和應用
本發明公開了一種Bi2Te3薄片/石墨烯復合材料,由微米級Bi2Te3薄片和石墨烯組成。由于石墨烯的分散、承載及隔離作用,可有效阻止微米Bi2Te3薄片在熱處理過程中的燒結,以保持晶界對聲子的有效散射,對提高Bi2Te3材料的熱電性能具有重大意義。該復合材料可作為熱電材料。本發明還公開了該復合材料的一步水熱法或一步溶劑熱法的制備方法,具有工藝簡單、成本低、周期短、能耗低等優點。
浙江大學
2021-04-11
“FeTe上外延生長單層
Bi2
Te
3
產生的超導電性
拓撲界面超導作為一種二維體系,不僅可以為研究非常規超導體提供很好的平臺,還可以為探測馬約拉納費米子提供研究思路,因此具有很高的研究價值,近些年受到廣泛的關注。Bi3Te3/FeTe異質結就是一個典型的拓撲界面超導體系,其中FeTe是一種鐵硫族化合物(即一種超導母體,但塊體并不超導),Bi2Te3則是一種典型的拓撲絕緣體,兩者都屬于二維材料,且層與層間由范德華力連接。有研究證明,此界面結構的超導電性會隨著Bi2Te3厚度增加而逐漸加強,并在5層Bi2
南方科技大學
2021-04-14
Bi2
Te
3
層可有效降低相鄰兩個磁層間的交換作用
課題組與加州大學洛杉磯分校的倪霓課題組聯合研究了Mn-Bi-Te家族的另一成員,MnBi 4
南方科技大學
2021-04-14
Sb
2
Te
3
(GeTe)n基熱電材料
研究中發現,通過適當的退火工藝,可以有效調控Sb2Te3(GeTe)n基材料中陽離子缺陷的類型,該工作運用球差矯正電子顯微鏡的原位觀測技術及高角暗場掃描透射電鏡技術(in situ/HAADF-STEM)等, 通過比對退火前后的樣品及在電鏡下模擬退火過程,清楚地追蹤到樣品中陽離子缺陷由短程的點缺陷聚集演化成長程的面缺陷的過程,使得調控樣品內載流子濃度降低到合適的程度,最終達到優化材料性能的目的。? 該項工作使得Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料的總體性能大幅提升。據悉,熱點材料優值ZT越高,其轉換效率越高。在溫度達到773K時,熱電材料優值ZT達到了2.4,在323~773K較寬的工作溫度區間內,材料的平均ZT高達1.51,能夠滿足中溫區熱電材料在商業應用中對性能的需求,有望解決Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料效率較低的問題。 本研究成果在目前熱電材料亟待推廣的低品位廢熱發電方向以及未來有可能實現的可穿戴自驅動電子器件與智能傳感設備方面有較大的應用前景。
南方科技大學
2021-04-13
一種半弧形
Bi
2
Se
3
超薄納米片的制備方法
本發明涉及一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法,其具體作法是:a、配制混合溶液:分別稱量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O,0.5-1.5mmol Se,1mmolNa2SO3,將其混合后放入高壓釜內襯。在高壓釜內襯中加入80mL乙醇,用玻璃棒攪拌越5min。b、水熱反應:封閉高壓釜后,將其放入箱式爐加熱至200°C,12h,待自然冷卻后取出。c、離心過濾:將b步反應后所得的溶液超聲5-8分鐘,1000轉/分離心過濾,將濾液于80℃下干燥得灰黑色產物,即為半弧形Bi2Se3超薄納米片。合成步驟少,操作簡單,目的產物物性能優良。
西南交通大學
2016-10-20
維多層的Mn-
Bi
-
Te
材料可以用來實現多種拓撲相
基于對Mn-Bi-Te家族成員MnBi 2
南方科技大學
2021-04-14
二維
Bi
2
O
2
Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料(硒氧化鉍,Bi 2 O 2 Se),在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區),并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成,晶體中氧的存在,使其在空氣中具有極佳的穩定性,完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。
北京大學
2021-04-11
解析超高遷移率層狀
Bi
2
O
2
Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材,其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs(可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比),并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后,在超高真空條件下,研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理,并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜(ARPES)獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息,測得了電子有效質量(~0.14 m0)、費米速度(~1.69*106 m/s,約光速的1/180)及禁帶寬度(~0.8 eV)等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11
通過錸元素摻雜極大提升贗層狀p-型Sb
2
Te
3
(GeTe)12 材料的熱電性能
過使用金屬元素錸摻雜的方式,成功優化了樣品的電學性能。團隊發現,適量的錸元素摻雜能夠調控Sb2Te3(GeTe)12的載流子濃度以提高其功率因子。同時,團隊運用球差矯正透射電子顯微鏡清楚地捕捉到了樣品中的二維缺陷以及鍺析出物在摻雜前后的尺寸變化,大量文獻表明,材料內部的這些缺陷會強烈的散射聲子,進一步降低材料的晶格熱導率。該工作使得Sb2Te3(GeTe)12基熱電材料的總體熱電性能得到大幅優化,在773 K溫度下的熱電優值達到了2.25,晶格熱導
南方科技大學
2021-04-14
智慧排課選課系統(
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廣州光大教育軟件科技股份有限公司
2021-08-23
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