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本發(fā)明公開了一種受激布里淵散射效應增強型光纖，包括纖芯 和圍繞纖芯的包層；其中，光纖的纖芯半徑 a 為 1μm～7μm，光纖 纖芯摻雜為 GeO2、P2O 和 Al2O3 中的一種；包層摻雜物質為 F；纖芯 與包層之 間的折射率差 Δn 與纖芯半 徑 a 之間的關 系為：0＜ a²Δn≤0120μm²；纖芯與包層之間的聲速率 差ΔVl 與纖

在應變的InAs/GaInSb量子阱中，量子阱中的應力使其能帶發(fā)生改變，從而使得體態(tài)雜化能隙得以增大，這直接導致了邊緣態(tài)電子費米速度的增加，因而螺旋邊緣態(tài)中的相互作用效應變弱。實驗上測量得到的邊緣態(tài)電導以及其對外加磁場的響應清楚地表明該系統(tǒng)中的量子自旋霍爾態(tài)是一種Z2拓撲絕緣體，其性質受到時間反演對稱性的保護。而且，InAs/GaInSb量子阱中螺旋邊緣態(tài)的相干長度最長可達10微米以上，遠大于之前所有有關量子自旋霍爾態(tài)研究工作中報道的數(shù)值。另外，螺旋邊緣態(tài)的相干長度還可以被柵極調節(jié)，這顯示了邊緣態(tài)電導與邊緣態(tài)電子費米速度，也即邊緣態(tài)相互作用強度密切相關。

本發(fā)明公開了一種專用于小型桿件受彎性能研究的輔助試驗裝置，包括有起支撐作用的基座，基座的頂部兩側設有工字型導軌，導軌上方內側左右對稱安裝有荷載施加機構、中側左右對稱設有桿件夾持機構、外部左右對稱設有豎向撓度測量系統(tǒng)；荷載施加機構和桿件夾持機構均可沿導軌左右滑動。優(yōu)點在于：1)可夾持長度不同，截面高度不同桿件，能研究不同長度，不同截面高度的小型桿件受彎性能，且在桿件兩端形成理想的固定端約束；2)可沿桿件軸線方向在桿件上端面任意位置上對受彎桿件同時施加多個大小可調節(jié)的集中荷載；3)可沿桿件軸線方向在桿件上端面任意位置上通過豎向撓度測量裝置同時測量多點的豎向撓度。

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