3D?NAND?存儲(chǔ)器研發(fā)
已有樣品/n3D NAND 是革新性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù),通過(guò)增加存儲(chǔ)疊層而非縮小器件二維尺寸實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度增長(zhǎng),從而拓寬了存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展空間,但其結(jié)構(gòu)的高度復(fù)雜性給工藝制造帶來(lái)全新的挑戰(zhàn)。經(jīng)過(guò)不懈努力,工藝團(tuán)隊(duì)攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲(chǔ)層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn),為實(shí)現(xiàn)多層堆疊結(jié)構(gòu)的3D NAND 陣列打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12