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退耕還林是修復(fù)退化生態(tài)系統(tǒng)的有效方法，但往往會消耗深層土壤水分，造成深層土壤干化，這一現(xiàn)象在干旱半干旱區(qū)更為明顯。目前，尚不清楚造林引起的深層土壤干化如何影響土壤微生物群落和功能，限制了對旱地恢復(fù)生態(tài)系統(tǒng)可持續(xù)性的認識。

除了海洋沉積物細菌，我們發(fā)現(xiàn)古菌、候選門級輻射類群(candidate phyla radiation, CPR)細菌及一些微型動物基因組中都含有有功能的MmtN同源序列，進一步分析表明這些同源蛋白也應(yīng)該采用我們提出的催化機制。

課題組結(jié)合水熱法和浸漬法，成功制備了具有大比表面積、大平均孔徑和更多外孔的雙功能金屬/酸Ru/SHZSM-5-100（Ru/SHZ5-100）催化劑。制備的Ru/SHZ5-100催化劑在更加溫和的條件下對木質(zhì)素衍生的二苯醚表現(xiàn)出最佳的加氫脫氧性能。

中國海洋大學(xué)服務(wù)器、圖形工作站、相機等設(shè)備采購項目（二次）競爭性磋商

利用有機發(fā)光二極管(OLEDs)中激發(fā)態(tài)的指紋式磁效應(yīng)曲線作為一種靈敏高效的探測工具，物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院熊祖洪課題組在有機半導(dǎo)體明星材料¾紅熒烯（Rubrene）中發(fā)現(xiàn)了一個有利于增強器件發(fā)光效率的激子演化通道，即激子的高能態(tài)反向系間竄越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S­1®S0+hn）過程，并通過調(diào)控器件載流子濃度、工作溫度、客體摻雜濃度以及控制器件結(jié)構(gòu)對該HL-RISC通道的產(chǎn)生條件、正常與反常的物理行為表現(xiàn)以及如何實現(xiàn)高效率發(fā)光和低效率滾降等方面進行了詳細探究。 OLEDs在平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，盡管基于有機發(fā)光的手機顯示屏和電視已開始市場化，但進一步提升其發(fā)光效率和延長其使用壽命仍然是該領(lǐng)域的兩大研究方向。因理論上能夠?qū)崿F(xiàn)100%的內(nèi)量子效率，具有常規(guī)RISC (T1®S­1)通道的熱活化延遲熒光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有機材料和具有HL-RISC (T2®S­1)過程的有機半導(dǎo)體是目前OLEDs領(lǐng)域的熱點研究體系，這是由于無論是RISC還是HL-RISC都可以將占激子總數(shù)3/4的不發(fā)光三重態(tài)T激子轉(zhuǎn)變成發(fā)光的單重態(tài)S激子，從而實現(xiàn)發(fā)光效率的成倍增強。顯然，研究這些激子及其前驅(qū)體(precursor, 如極化子對(polaron-pair))和TADF材料以及激基復(fù)合物材料中電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(charge-transfer states)激子的形成機制及其演化規(guī)律對進一步認識OLEDs的器件物理和設(shè)計制造高效率OLEDs具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價值。近年來，熊祖洪課題組一直致力于采用有機半導(dǎo)體光電子器件中多種微觀過程具有的指紋式磁效應(yīng)(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲線，系統(tǒng)深入地研究了多種有機光電子體系的器件物理并取得了一系列研究成果。

我國水處理技術(shù)起步較晚，大部分是剖析、仿制或依據(jù)國外專利研制的，再加上我國水處理劑工業(yè)發(fā)展歷史較短，科研經(jīng)費有限,因此具有基礎(chǔ)薄弱、技術(shù)比較落后、整體水平不高的特點。雖然經(jīng)過“八五”、“九五”攻關(guān)在水處理藥劑開發(fā)方面達到了較高水平，但是隨著環(huán)保和節(jié)水意識的加強，在水處理藥劑的低磷化、環(huán)保化方面，在水處理藥劑生產(chǎn)的連續(xù)化、自動化、標(biāo)準(zhǔn)化方面，水處理藥劑

伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫珀對的自旋被有效的塞曼磁場固定住，由此表現(xiàn)出極強的的面內(nèi)臨界磁場（遠超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級平整的高質(zhì)量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對其覆蓋非晶態(tài)Se保護層，進而對非原位的電輸運物性展開了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：單層NbSe2薄膜表現(xiàn)出超過6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時，強磁場和極低溫下的輸運測量結(jié)果直接證實了平行特征臨界場Bc//(T = 0)是順磁極限場的5倍以上，符合Zeeman保護的伊辛超導(dǎo)機制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實驗數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場下的外推）。此外，極低溫垂直磁場下的電輸運測量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對零度時的量子臨界點表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。