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一種基于 LED 混光呈色模型的光譜功率分布提取方法及系統(tǒng)，包括進行 LED 智能光源控制信號空 間全局采樣，利用預設(shè)的 LED 發(fā)光控制方式根據(jù)全局采樣樣本集中各信號值驅(qū)動 LED 光源發(fā)光，組成 發(fā)光樣本集；分別測量所得各發(fā)光樣本對應(yīng)光譜功率分及照度，生成發(fā)光數(shù)據(jù)集；根據(jù)預設(shè)的照度閾值 進行篩選，得到最終發(fā)光數(shù)據(jù)集，并從全局采樣樣本集中選取對應(yīng)信號樣本，組成最終信號空間采樣樣 本集；構(gòu)建 BP 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，并在此基礎(chǔ)上建立相應(yīng)的 LED 混光

LED 具有體積小、壽命長、高亮度、低發(fā)熱的特點，用這種新 型節(jié)能光源代替已有的人工光源進行植物的高效生產(chǎn)，在農(nóng)業(yè)中具有廣闊的應(yīng) 用前景和較高的實用價值，僅植物工廠化育苗產(chǎn)業(yè)一項就為 LED 光源提供了巨 大的消費市場，據(jù)相關(guān)專家的測算，幼苗僅出口一項就達到近百億株之巨量， 國內(nèi)年消費量則更大。本項目以植物光合作用的吸收光譜為對象，通過基質(zhì)組 成和對 ns2 摻雜離子的設(shè)計調(diào)控熒光光譜，研制出了激發(fā)光譜與近紫外芯片、 發(fā)射光譜與植物光合作用的吸收光譜的匹配，新型藍紅雙色 LED 植物生長燈。 光譜輻射范圍從 400-650nm,并通過調(diào)節(jié)摻雜離子比例，實現(xiàn)藍、紅光相對強度 的可調(diào)節(jié)性。滿足不同植物、不同生長階段的需求。 

可以量產(chǎn)/n本項目采用高分子相分離技術(shù)，以熱塑性高分子材料為載體，對珠光顏料進行表面修飾處理，制備功能珠光母粒，主要用于免噴涂家電共擠PVC異型材、免噴涂注塑ABS、HIPS等高檔家電及包裝產(chǎn)品。免噴涂技術(shù)是家電、包裝產(chǎn)品表面裝飾的一次技術(shù)革命，實現(xiàn)了環(huán)保、節(jié)能、降耗，工藝技術(shù)先進。生產(chǎn)成本2.8萬元/噸，售價4.0萬元/噸，具有很好的經(jīng)濟和社會效益。主要技術(shù)指標：拉伸強度≥ 50 Mpa，斷裂伸長率≥40 Mpa，彎曲強度≥65 Mpa，彎曲模量≥2100 Mpa，簡支梁缺口沖擊強度≥ 6.0KJ

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領(lǐng)域。由于半導體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應(yīng)速度快、耐振動、易維護等顯著優(yōu)點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認為,半導體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內(nèi)水平，所以基本壟斷國內(nèi)LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發(fā)光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個照明市場，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。

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