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本發(fā)明公開了一種高導(dǎo)熱低粘度環(huán)氧樹脂復(fù)合材料及其制備方 法。所述環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括體積份數(shù)為 25～60 份的第一球形導(dǎo)熱 填料、體積份數(shù)為 5～30 份的第二球形導(dǎo)熱填料以及體積分?jǐn)?shù)為 30～ 70 份的環(huán)氧樹脂，第一球形導(dǎo)熱填料的中位粒徑不小于 30μm，第二 球形導(dǎo)熱填料的中位粒徑不大于 20μm。其制備方法為：(1)將球形導(dǎo) 熱填料真空干燥，然后依次將環(huán)氧樹脂、固化劑和球形導(dǎo)熱填料加入 行星離心式攪拌機(jī)中混

本發(fā)明公開的高耐熱高強(qiáng)度的聚乳酸/無機(jī)纖維復(fù)合材料或制品是先將右旋聚乳酸或左旋聚乳酸接枝到無機(jī)纖維表面，然后通過熔融混合使其與左旋聚乳酸或右旋聚乳酸基體分子鏈在界面區(qū)的立構(gòu)復(fù)合來獲得了結(jié)晶度為45.5-48.7％，無機(jī)纖維的含量為0.2-5.0wt％，拉伸強(qiáng)度為49.3-55.8MPa，耐熱溫度為138.4-150.2℃的聚乳酸/無機(jī)纖維復(fù)合材料或制品。由于本發(fā)明方法利用了聚乳酸具有手性分子的特性，使接枝于無機(jī)纖維表面的右旋聚乳酸或左旋聚乳酸，與左旋聚乳酸或右旋聚乳酸基體在界面區(qū)形成的立構(gòu)復(fù)合晶體來同步實(shí)現(xiàn)界面增強(qiáng)以及對(duì)基體的高效成核作用，因而該方法不僅構(gòu)思巧妙，且也為開發(fā)高耐熱高強(qiáng)度的聚乳酸復(fù)合材料或制品尋求到了一種有效而簡(jiǎn)單的途徑。

本發(fā)明公開的一種低密度高阻燃性復(fù)合多孔材料是由以下組分復(fù)合而成：無機(jī)粒子0.1～5份，聚乙烯醇0.5～10份，阻燃性可交聯(lián)聚合物0～5份，阻燃劑0.1～2份，該材料的密度為12～145Kg/m3，極限氧指數(shù)為34.5～47.5％，垂直燃燒均為V-0級(jí)，峰值熱釋放速率為50.5～135.8kW/m2，總熱釋放為5.6～13.3MJ/m2。本發(fā)明還公開了其制備方法。由于本發(fā)明提供的多孔材料采用了有一定阻燃效果的無機(jī)粒子和交聯(lián)聚合物和少量添加適用于基體聚合物聚乙烯醇的高效阻燃劑，因而使得這種多孔材料不僅密度低，導(dǎo)熱系數(shù)也低，隔音效果好，機(jī)械強(qiáng)度好，可用作隔熱、保溫和隔聲材料，有利于節(jié)能降耗，可以達(dá)到高的阻燃防火等級(jí)，整個(gè)制備過程無廢液、廢氣產(chǎn)生，安全環(huán)保。

以目前航空航天、陸海空等軍種的軍事裝備上主承載結(jié)構(gòu)的輕量化為主要研發(fā)目的，通過高性能材料組合、多尺度優(yōu)化以及智能化控制等來實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)輕量化、提升軍事裝備作站效能的目的。同時(shí)研發(fā)的輕量化結(jié)構(gòu)可以用于新能源汽車、工程機(jī)械以及空間結(jié)構(gòu)上，從而實(shí)現(xiàn)汽車與機(jī)械的節(jié)能減排、橋梁與建筑的更大跨越能力等。 針對(duì)上述情況，做了如下研究：研究復(fù)合材料與金屬組合的多級(jí)智能化結(jié)構(gòu)的多尺度設(shè)計(jì)方法，解決復(fù)合材料與復(fù)合材料之間以及復(fù)合材料與金屬之間高效連接技術(shù)，研發(fā)高性價(jià)比的復(fù)合材料構(gòu)件，研究適合高性能材料組合的結(jié)構(gòu)形式與制造工藝等。 研發(fā)了預(yù)緊力齒連接技術(shù)，解決了復(fù)合材料高效連接技術(shù)，研發(fā)出高纖維比、高性價(jià)比的混雜纖維復(fù)合材料管材，并提出多種節(jié)點(diǎn)連接形式，提出了復(fù)合材料-鋼-鋁合金組合桁架結(jié)構(gòu)形式以及配套多尺度優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。

EV-400高真空金屬有機(jī)蒸發(fā)鍍膜機(jī) 真空腔室：前開門真空腔體，方便取放基片、更換鎢舟、添加蒸發(fā)材料以及真空室的日常維護(hù)保養(yǎng)； 真空系統(tǒng)：國(guó)產(chǎn)分子泵作為主抽泵，真空極限優(yōu)于5.0?10-5Pa（經(jīng)烘烤除氣后）；另可選進(jìn)口磁懸浮分子泵或是低溫泵作為主抽泵，真空極限優(yōu)于3.0?10-6Pa（經(jīng)烘烤除氣后）； 真空抽速：大氣～8?10-4Pa≤30min； 蒸發(fā)源：4～6組歐美技術(shù)金屬或是有機(jī)束源爐蒸發(fā)源可選，多源共蒸獲得復(fù)合膜/分蒸獲得多層膜，功能強(qiáng)大，性能穩(wěn)定； 蒸發(fā)電源：真空專業(yè)蒸發(fā)電源，恒流/恒功率控制。電流、功率可預(yù)先設(shè)置，可實(shí)現(xiàn)一鍵啟動(dòng)和停止的自動(dòng)控制功能； 基片臺(tái)：最大120mm基片/15～25mmITO/FTO玻璃25片，可定制一體化高精度刻蝕掩膜板；基片臺(tái)公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0～20r/min連續(xù)可調(diào)； 基片臺(tái)功能：襯底可選擇加熱（室溫～300℃可調(diào)可控）或水冷，基片臺(tái)可選升降，源基距最大350mm； 濺射電源：直流脈沖濺射電源、全自動(dòng)匹配的射頻濺射電源可任選； 膜厚監(jiān)控儀：可選配國(guó)產(chǎn)或進(jìn)口單水冷探頭膜厚儀； 可鍍材料：可沉積金屬（Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等）、非金屬、化合物（MoO3、LiF等）及有機(jī)材料，可拓展沉積單層膜、多層膜及混合膜； 控制方式：PLC+觸摸屏控制系統(tǒng)，具備漏氣自檢與提示、通訊故障，實(shí)現(xiàn)一鍵抽停真空。

本發(fā)明公開了一種基于紅外成像的薄膜測(cè)厚儀，包括光源、準(zhǔn)直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反 射鏡、測(cè)量路散射玻璃、測(cè)量路紅外濾光片、測(cè)量路反射鏡、半透半 反分光鏡、成像透鏡、CCD；測(cè)量時(shí)參考物經(jīng)反射鏡、分光鏡和成像 透鏡成像到 CCD 光敏面，被測(cè)物經(jīng)反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD 光敏面，CCD 將圖像傳送至計(jì)算機(jī)，經(jīng)圖像處理后根據(jù)圖像的灰度值 求得被測(cè)物的厚度；如此形成雙光路測(cè)量系統(tǒng)，避免了光源光強(qiáng)變化 的影響；使用散射光透射成像的測(cè)量體系，避免了傳統(tǒng)紅外測(cè)厚裝置 中存在的干涉影響；設(shè)置具有多個(gè)局部標(biāo)準(zhǔn)厚度的參考物，該裝置可 以獲取參考物各個(gè)局部標(biāo)準(zhǔn)厚度，從而能夠更加精確地測(cè)量薄膜厚度。 

柔性智能互動(dòng)終端的關(guān)鍵材料與傳感器件是實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)革命的重要技術(shù)，柔性透明導(dǎo)電薄膜為其 中不可取代的關(guān)鍵元件。本團(tuán)隊(duì)在前期工作中針對(duì)納米銀線透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，包含材料合 成、導(dǎo)電墨水配方調(diào)制、大面積卷對(duì)卷制程工藝和柔性觸控樣機(jī)制備，已經(jīng)初步建立起一條從材料、工藝 到器件應(yīng)用的產(chǎn)學(xué)模式；并做了一系列十余項(xiàng)的專利布局（發(fā)明專利12篇，授權(quán)專利6篇）。其采用的技 術(shù)方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調(diào)制、基于表面能差異化驅(qū)動(dòng)的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統(tǒng)的激光、黃光刻蝕，溶液態(tài)的圖形化方式成本更低，同時(shí)可保證滿足柔 性觸控傳感器的線寬/線距要求； （2）高穩(wěn)定性的納米銀導(dǎo)電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線穩(wěn)定性提升方案，相較于業(yè)界 傳統(tǒng)的單級(jí)分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問題，而常規(guī)精餾方法又會(huì)使某 些活性組分發(fā)生熱變質(zhì)或分解能等不足。薄膜蒸發(fā) 與精餾是一種特殊的液－液分離技術(shù)，本技術(shù)成果 將薄膜蒸發(fā)的高效蒸發(fā)性與精密精餾的高分離度融 合于一臺(tái)完整的設(shè)備中，既可避免熱敏性物質(zhì)長(zhǎng)期 暴露于加熱器內(nèi)，又可使各組分通過

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級(jí)替換品。這種薄膜結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術(shù)拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復(fù)制到鎳質(zhì)金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機(jī)高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現(xiàn)全息圖像。

透明導(dǎo)電氧化物薄膜具有良好的導(dǎo)電性能和透光性能，廣泛應(yīng)用于平面液晶顯示（LCD）、電致發(fā)光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當(dāng)一段時(shí)間內(nèi), In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導(dǎo)電氧化物薄膜得到了極廣泛的應(yīng)用，但I(xiàn)TO 薄膜中的銦有毒，在制造和應(yīng)用中對(duì)人體有害；ITO 中的In2O3 的價(jià)格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點(diǎn)在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應(yīng)用。新型透明導(dǎo)電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價(jià)格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩(wěn)定性要優(yōu)于ITO，在很多領(lǐng)域特別是太陽電池領(lǐng)域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢(shì)。本產(chǎn)品是多層ZAO透明導(dǎo)電膜，具有透過率高和電阻率低的優(yōu)點(diǎn)，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結(jié)構(gòu)應(yīng)用于薄膜太陽能電池中。 透明導(dǎo)電膜的主要性能指標(biāo)有兩個(gè)：透過率和方阻。產(chǎn)業(yè)化對(duì)透明導(dǎo)電膜透過率的要求一般要達(dá)到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區(qū)域的平均透過率大于９５％，是國(guó)際最高水平。國(guó)外科研人員制備的ZAO透明導(dǎo)電膜室溫電阻率最低可達(dá)3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達(dá)3Ω/□。國(guó)內(nèi)制備的ZAO透明導(dǎo)電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數(shù)量級(jí)。 本產(chǎn)品具體性能指標(biāo)是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。國(guó)務(wù)院剛剛頒布的《可再生能源中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃》中明確提出：到2010年，太陽能發(fā)電總?cè)萘窟_(dá)到30萬千瓦，其中全國(guó)將建成1000個(gè)屋頂光伏發(fā)電項(xiàng)目，總?cè)萘?萬千瓦，大型并網(wǎng)光伏電站總?cè)萘?萬千瓦；到2020年，太陽能發(fā)電總?cè)萘窟_(dá)到180萬千瓦，其中全國(guó)建成2萬個(gè)屋頂光伏發(fā)電項(xiàng)目，總?cè)萘?00萬千瓦，太陽能光伏電站總?cè)萘繉⑦_(dá)到20萬千瓦；另外，光伏發(fā)電在通訊、氣象、長(zhǎng)距離管線、鐵路、公路等領(lǐng)域的應(yīng)用，計(jì)劃到2010年也將累計(jì)達(dá)到3萬千瓦，到2020年將達(dá)到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場(chǎng)將從2000年的10億美元到2015年擴(kuò)大到1500億美元。透明導(dǎo)電薄膜是太陽電池中關(guān)鍵的薄膜，需求巨大。

薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）本質(zhì)上是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電性質(zhì)與傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管一樣，都是利用垂直于導(dǎo)電溝道的電場(chǎng)強(qiáng)度來控制溝道的導(dǎo)電能力來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)放大，這被稱為電導(dǎo)率調(diào)制或場(chǎng)效應(yīng)原理。同時(shí)它也是良好的開關(guān)元件，當(dāng)柵源電壓小于閾值電壓時(shí)器件截止，反之導(dǎo)通。場(chǎng)效應(yīng)管是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，不吸收信號(hào)源電流，不消耗信號(hào)源功率，因此它的輸入阻抗很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強(qiáng)、便于集成等優(yōu)點(diǎn)。 與硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁帶寬度大、透明等優(yōu)異的半導(dǎo)體特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成為平板顯示器件的像素開關(guān)。若使用ZnO-TFT作為有源矩陣驅(qū)動(dòng)的開關(guān)元件有以下明顯優(yōu)勢(shì)： (1) ZnO為寬禁帶半導(dǎo)體材料，可以避免可見光照射對(duì)器件性能的影響，保證顯示器的清晰度不受太陽光照的影響； (2) 提高開口率，提高顯示器的亮度，進(jìn)而可以降低功耗； (3) 如果存儲(chǔ)電容也用透明材料制備，制備全透明顯示器件便成為可能； (4) 對(duì)襯底要求不高。ZnO薄膜的生長(zhǎng)溫度較低，即使室溫條件下也可以生長(zhǎng)高質(zhì)量ZnO薄膜，因此襯底可以選擇廉價(jià)的玻璃或者柔韌性塑料等，這又是柔性顯示器成為可能； (5) ZnO具有很好的載流子遷移率，使得ZnO-TFT既具有很高的開態(tài)電流，又有效的抑制關(guān)態(tài)電流的增加；研究ZnO-TFT的另一個(gè)重要意義在于推動(dòng)透明電子學(xué)的研究。ZnO-TFT的實(shí)現(xiàn)對(duì)透明電子學(xué)來說是一個(gè)富有成效的進(jìn)展，具有里程碑的意義，為制造透明電路和系統(tǒng)創(chuàng)造了條件。