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氮化鎵高壓電力電子器件
已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質結材料體系，通過采用導電機制融合和能帶分區調控的先進技術路線改變傳統氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數之間的經典調控規律，采用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測試結果達到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場提供了一種新選擇。
中國科學院大學
2021-01-12
陽離子基阻變器件電流-保持特性
已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導電通路的分布來調控其穩定性,此工作是該領域首次在相同結構阻變器件中實現電流-保持特性的雙向調控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調控方法，也能夠移植應用到離子電池，離子傳感等研究領域。
中國科學院大學
2021-01-12
高速光通信用微結構光纖器件
項目簡介本成果提出新型微結構光纖器件，提出基于非對稱耦合理論的實現模式轉換、波分 復用等功能器件。已申請發明專利 6 項，其中已授權發明專利 3 項（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指標 （1）模式轉換效率可達 80%以上，帶寬在 100 nm 以上。 （2）實現 1310、1550 nm 波長復用、解復用，消光比低于-25 dB。 適用范圍、市場前景 適用范圍：高速光通信關鍵器件，組成高速、大容量光 通信
江蘇大學
2021-04-14
極深紫外光源與納米器件制造
徐永兵課題組于2014年啟動了國家重大儀器研究計劃（飛秒級時間分辨并自旋分辨電子能譜探測系統，項目編號61427812）。此項目就是旨在建立國內第一套極深紫外的光源系統。目前已經成功地在實驗室中，實現了波長為120~24 nm左右的脈沖光源，脈沖重復頻率為1kHz，單個脈沖為30fs。單個光子能量最大到50 eV左右，亮度為1 ′ 1011光子/s。從光
南京大學
2021-04-14
低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法
本發明公開了一種低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統的 VDMOS 器件結構中引入一塊與 源區摻雜雜質相同的摻雜區。該摻雜區位于柵氧層正下方且與基區和柵氧層緊密接觸。相應地，新摻雜 區上方的柵極采用中空結構。本發明 VDMOS 器件可有效降低溝道導通電阻和頸區電阻，從而降低 VDMOS 器件的導通電阻；同時，采用中空結構的柵極既可避免新摻雜區對擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結電容，提高 VDMOS 的開關速度。本發明方法工藝簡
武漢大學
2021-04-14
有機半導體光電導器件研發及應用
① 酞菁納米材料制備。使用四苯氧基金屬酞菁，采用混合溶劑緩慢揮發的方法，得到一維的酞菁納米線；
② 器件組裝。使用梳狀電極，將酞菁納米線搭在梳狀電極兩端，形成電路。得到的酞菁器件對 808 nm光敏感，可以迅速產生響應，恢復時間短，課重復響應。
安徽理工大學
2021-04-13
【新華網】聚焦高博會|長春朝陽：發力培育展會經濟 精心守護展會精彩
5月23日，第63屆高等教育博覽會（以下簡稱“高博會”）在中鐵?長春東北亞國際博覽中心開幕。本屆高博會吸引了全國千余所高校及科研機構、800余家科技企業參與。
新華網
2025-05-24
關于TaP中磁場誘導的外爾費米子湮滅研究
在磁場作用下，外爾半金屬中的電子能帶首先形成了一套特殊的分立朗道能帶。特別是最后一個朗道能帶由于其特殊的拓撲結構而具有手性，其在動量空間中是單向的。當磁場很高時，此時電子的磁長度的倒數可和兩個相反手性的外爾點的動量距離相比擬，因此物理上允許發生磁隧穿效應而導致最后兩個手性的朗道能帶發生雜化，最終實現外爾費米子的湮滅和能隙的打開。
北京大學
2021-04-11
氣相法合成SAPO-34分子篩
1984年美國聯合碳化公司開發出了一系列磷酸硅鋁分子篩，其中SAPO-34分子篩具有類似菱沸石型結構，屬于小孔沸石，可用作吸附劑，催化劑及催化劑載體。在甲醇制烯烴(MTO)反應中表現出了很好的催化活性，低碳烯烴選擇性高達90%以上，其中乙烯的選擇性可達50%以上，幾乎沒有C5以上產物。
南京工業大學
2021-01-12
一種雙半圓環型絕緣子清掃裝置
本實用新型提供一種雙半圓環型絕緣子清掃裝置，包括主體外框、設置在主體外框內部的加壓裝置 和蓄電池、以及貫穿所述主體外框的送壓系統，所述送壓系統包括環型出風口、U 型導氣管道、旋轉送 風口和往返電機;其中旋轉送風口和往返電機位于主體外框的內部，所述 U 型導氣管道上端連接環型出 風口，底端設置旋轉送風口，所述旋轉送風口連通加壓裝置和 U 型導氣管道，
武漢大學
2021-04-14