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“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域?，F(xiàn)有方法一般對設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會(huì)嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

  巨霍爾效應(yīng)是納米鐵磁金屬顆粒薄膜中反?；魻栃?yīng)的巨大增強(qiáng)現(xiàn)象,是納米材料的新效應(yīng),本課題利用巨霍爾效應(yīng)原理,制備出磁場靈敏度高達(dá)125AT、具有實(shí)用價(jià)值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應(yīng)用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件原型。    本課題的研究,率先將納米體系的新效應(yīng)巨霍爾效應(yīng)原理應(yīng)用于傳感器件領(lǐng)域,制備出具有實(shí)用價(jià)值的新型納米材料及微型霍爾器件,具有原始創(chuàng)新性。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應(yīng)的霍爾器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),因此具有更為重要的應(yīng)用價(jià)值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點(diǎn),在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途,市場前景廣闊。   本課題利用巨霍爾效應(yīng)原理,首次制備出磁場靈敏度高達(dá)125VAT、具有實(shí)用價(jià)值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應(yīng)用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件原型。主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)有將稀磁半導(dǎo)體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實(shí)用價(jià)值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應(yīng)用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件。    主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)有將稀磁半導(dǎo)體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實(shí)用價(jià)值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應(yīng)用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件。相關(guān)成果已獲國家發(fā)明專利授權(quán)九項(xiàng)。    本課題的研究,將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域,以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,是一個(gè)全新的技術(shù),取得了多項(xiàng)具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果,進(jìn)一步推進(jìn)了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域]應(yīng)用    應(yīng)用狀況:    與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾傳感器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應(yīng)的霍爾傳感器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),因此具有更為重要的應(yīng)用價(jià)值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異抗核輻射等優(yōu)點(diǎn),在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。

本發(fā)明公開了一種氧化鋅基底誘導(dǎo)取向生長的硒化銻薄膜的方 法，其特征在于，該方法是以特定取向的氧化鋅基底誘導(dǎo)生長具有擇 優(yōu)取向方向的硒化銻薄膜；當(dāng)氧化鋅基底為(100)取向時(shí)，誘導(dǎo)生長出 的硒化銻薄膜是以<、221>、方向?yàn)橹鲗?dǎo)生長取向；當(dāng)氧化鋅基底 為(002)取向時(shí)，誘導(dǎo)生長出的硒化銻薄膜是以<、120>、方向?yàn)橹?導(dǎo)生長取向。本發(fā)明中的方法可應(yīng)用于硒化銻薄膜太陽能電池的制備， 得到相應(yīng)的硒

通過研究和有機(jī)介質(zhì)薄膜以及金屬化水平的不斷提高，用金屬化薄膜制造高壓大功率電容器取代電解電容器已成為了可能。薄膜電容器具有高頻特性好、損耗小和溫度特性穩(wěn)定等特點(diǎn)，可以滿足逆變器對電容器性能的要求。

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在 保護(hù)氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅(qū)體；然后 500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅(qū)體的耐熱載體 1min～6h，使得氮 化碳前驅(qū)體氣化并在導(dǎo)電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法 在導(dǎo)電基底表面修飾

1.亞毫米尺寸單層導(dǎo)電納米材料，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量產(chǎn)率原 子級薄樣品的宏量制備。 2. 成膜平整，粗糙度在 10 納米以內(nèi)，平整度遠(yuǎn)好于 ITO 和銀納米線薄膜。 3. 膜具高透光率和柔性，其導(dǎo)電性優(yōu)于 ITO 。

銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽電池 銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽電池是在玻璃襯底，或者是在不銹鋼箔、塑料等柔性襯底上沉積5層薄膜的太陽電池。 1）轉(zhuǎn)換效率是薄膜電池之首（η = 20.8%），超過多晶硅太陽電池； 2）性能穩(wěn)定不衰退； 3）成本低廉：在廉價(jià)襯底上以低襯底溫度下沉積厚度3～4 微米薄膜，全部生產(chǎn)可在一個(gè)車間內(nèi)完成，低的材料成本與制造成本。 4）可制備成柔性太陽電池，不怕摔碰，功率

本發(fā)明公開了一種可調(diào)薄膜體聲波諧振器及其制備方法，該制 備方法包括步驟 S1：在潔凈的 Si 襯底上制備阻擋層；S2：在阻擋層上 制備布拉格反射柵，布拉格反射柵由不同聲波阻抗薄膜構(gòu)成；S3：在 布拉格反射柵上依次制備粘附層和底電極；S4：在底電極上制備多層 異質(zhì)結(jié)構(gòu)，并作為體聲波諧振器的壓電層；多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)由 BST 薄膜、 BZT 薄膜或 BZN 薄膜構(gòu)成；S5：將多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理后形成 晶化薄膜；S6：在

本發(fā)明公開一種多層薄膜微結(jié)構(gòu)自對準(zhǔn)制備方法，通過分隔板將噴頭內(nèi)腔體縱向分為至少兩個(gè)腔室，在各腔室內(nèi)注入不相溶的高分子溶液，并匯聚于噴頭的噴嘴處；施加高壓靜電場，同時(shí)驅(qū)使接收板做平面直線運(yùn)動(dòng)，在高壓靜電場作用下噴嘴處的溶液變形成泰勒錐，從泰勒錐尖端拉出射流，射流中的多種高分子材料先后沿著接收板運(yùn)動(dòng)的方向進(jìn)行靜電紡絲，形成多層薄膜微結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開一種實(shí)現(xiàn)上述方法的裝置，分隔板縱向設(shè)于噴嘴內(nèi)，將噴嘴內(nèi)腔體分隔為至少左右兩個(gè)腔室；在噴嘴端部設(shè)有端部蓋板，端部蓋板與噴嘴端部之間設(shè)有密封片；噴嘴的側(cè)面開有溶

本發(fā)明公開了一種基于激光加熱固膜的駐極體薄膜制備方法， 包括：將導(dǎo)電基材層固定于旋涂、噴涂或者刮涂設(shè)備上，并配置適當(dāng) 的駐極體納米顆粒懸浮液；通過調(diào)整旋涂速度、噴涂速度或者刮涂厚 度參數(shù)使得駐極體懸浮液均勻覆蓋，然后對駐極體懸浮液的溶劑執(zhí)行 蒸發(fā)處理，由此在導(dǎo)電基材層上形成具備一定厚度的駐極體材料層； 采用激光加熱設(shè)備將激光照射到駐極體材料層表面上，由此利用激光 照射產(chǎn)生的熱量使得駐極體納米顆粒融化并相互連接，由此制