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以目前航空航天、陸海空等軍種的軍事裝備上主承載結(jié)構(gòu)的輕量化為主要研發(fā)目的，通過(guò)高性能材料組合、多尺度優(yōu)化以及智能化控制等來(lái)實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)輕量化、提升軍事裝備作站效能的目的。同時(shí)研發(fā)的輕量化結(jié)構(gòu)可以用于新能源汽車、工程機(jī)械以及空間結(jié)構(gòu)上，從而實(shí)現(xiàn)汽車與機(jī)械的節(jié)能減排、橋梁與建筑的更大跨越能力等。針對(duì)上述情況，做了如下研究：研究復(fù)合材料與金屬組合的多級(jí)智能化結(jié)構(gòu)的多尺度設(shè)計(jì)方法，解決復(fù)合材料與復(fù)合材料之間以及復(fù)合材料與金屬之間高效連接技術(shù)，研發(fā)高性價(jià)比的復(fù)合材料構(gòu)件，研究適

研發(fā)階段/n本發(fā)明提供一種聚氯乙烯用無(wú)毒鈣鋅復(fù)合熱穩(wěn)定劑及其制造方法，以鎂鹽、鋁鹽為基本原料，在體系中添加表面活性劑，采用模板共沉淀法，合成一種改性鎂鋁水滑石，其分子通式為［Ｍｇ１－ｘＡｌｘ（ＯＨ）２］ｘ＋Ａｘ／ｎｎ－.ｍＨ２Ｏ（０．２≤ｘ≤０．３３）。它提高了鎂鋁水滑石的結(jié)晶規(guī)整性和晶粒尺寸，且在ＰＶＣ中分散性好，由一價(jià)或二價(jià)的有機(jī)或無(wú)機(jī)酸根離子代替通用的碳酸根離子，增加了與ＰＶＣ受熱產(chǎn)生ＨＣｌ的交換速度，提高了ＰＶＣ熱穩(wěn)定性。本發(fā)明將改性鎂鋁水滑石與有機(jī)酸鈣、有機(jī)酸鋅、有機(jī)酯、石蠟復(fù)合，調(diào)控對(duì)Ｐ

該成果用于考慮材料--結(jié)構(gòu)--工藝--性能的多因素和多層次相互影響的材料和整體結(jié)構(gòu)多功能化設(shè)計(jì)建模、材料、機(jī)械產(chǎn)品和建筑結(jié)構(gòu)創(chuàng)新設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā), 以及提供復(fù)雜載荷工況下增材制造材料和整體結(jié)構(gòu)多功能化創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)與軟件系統(tǒng)。該成果在增材制造產(chǎn)品和建筑結(jié)構(gòu)創(chuàng)新設(shè)計(jì)方面具有高效和高性能及低成本優(yōu)勢(shì)。 該成果在國(guó)家”863”和多項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金的支持下取得一系列創(chuàng)新性研究成果: (1) 發(fā)明了一種基于材料破損約束的連續(xù)體結(jié)構(gòu)拓?fù)湓O(shè)計(jì)建模及優(yōu)化設(shè)計(jì)方法; (2)發(fā)展了多載荷工況下多相材料結(jié)構(gòu)的拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法;(3) 研制了涉及靜、動(dòng)力學(xué)要求的柔性機(jī)構(gòu)創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù);(4) 提出了解決應(yīng)力集中和奇異問(wèn)題、最大應(yīng)力波動(dòng)問(wèn)題、分析和計(jì)算量大問(wèn)題和病態(tài)載荷工況問(wèn)題等的關(guān)鍵技術(shù); (5)打通了技術(shù)工藝, 開(kāi)發(fā)了長(zhǎng)度尺寸控制和多個(gè)制造工藝要求的約束表征及模型化技術(shù);(6)發(fā)展了復(fù)雜載荷環(huán)境下結(jié)構(gòu)靜、動(dòng)力學(xué)性能要求的拓?fù)鋬?yōu)化的灰度單元抑制方法和考慮邊界光滑化的結(jié)構(gòu)優(yōu)化模型化方法；(7)在國(guó)內(nèi), 率先研發(fā)了考慮智能制造約束的功能特征空間布局和支撐結(jié)構(gòu)構(gòu)型的復(fù)雜集成結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù)和與軟件系統(tǒng);(8)率先研發(fā)了多功能化材料的創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù);(9) 研制了整體結(jié)構(gòu)多功能化創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)平臺(tái)和工業(yè)應(yīng)用技術(shù)。

金屬增材制造的口腔贗復(fù)體支架制作方法及其贗復(fù)體支架，所述的制作方法包括：獲取患者口腔上頜三維模型數(shù)據(jù)、在模型上選取口腔贗復(fù)體支架的上頜面、重建上頜面、拉伸上頜面至實(shí)體形成初始支架模型、修復(fù)初始支架模型達(dá)到設(shè)計(jì)要求并形成最終可打印制造的支架CAD模型；然后利用選擇性激光熔融3D打印機(jī)進(jìn)行打印制造，制造出支架模型，并對(duì)支架模型進(jìn)行熱處理和表面處理；所述的口腔贗復(fù)體支架包括利用金屬材料制得的本體，所述的本體包括套合部和帶有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的支撐部。本發(fā)明的有益效果是：利用3D打印技術(shù)制作出符合臨床要求的結(jié)構(gòu)，精度高、表面質(zhì)量好、制作周期短，更符合臨床要求。

本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于動(dòng)態(tài)法測(cè)量火焰溫度的熱電偶，包括兩根熱電偶絲、偶絲結(jié)點(diǎn)、絕緣套管、保護(hù)套管和補(bǔ)償導(dǎo)線，偶絲結(jié)點(diǎn)由兩根熱電偶絲焊接而形成，偶絲結(jié)點(diǎn)呈圓片狀；兩根熱電偶絲分別為上熱電偶絲和下熱電偶絲；上熱電偶絲和下熱電偶絲與偶絲結(jié)點(diǎn)接觸點(diǎn)的切線的夾角為 30～60°；上熱電偶絲和下熱電偶絲分別穿過(guò)絕緣套管的兩個(gè)進(jìn)絲孔后與保護(hù)套管上的兩補(bǔ)償導(dǎo)線連接。本發(fā)明采用圓片狀的偶絲結(jié)點(diǎn)，能降低熱電偶絲的導(dǎo)熱損失，減小偶絲結(jié)點(diǎn)的熱慣性及溫度不均勻性，減少熱電偶對(duì)火焰的干擾以及火焰內(nèi)顆粒在熱電偶表面的沉積，提高測(cè)溫的準(zhǔn)確度和靈敏度，以便快速準(zhǔn)確地得到火焰溫度。

本發(fā)明公開(kāi)一種超大長(zhǎng)徑比深孔類零件的金屬增材制造方法， 首先通過(guò)金屬增材制造沉積一層金屬，然后銑削成平面，最后鉆孔加 工孔徑，形成“沉積金屬，銑削平面，鉆孔成形”的工藝過(guò)程。其特 點(diǎn)是在增材制造每層金屬的過(guò)程中進(jìn)行深孔的加工，變深孔加工為厚 度約 1～3mm 的淺孔加工，因而可以有效地解決直徑小到 1mm 的超大 長(zhǎng)徑比深孔無(wú)法加工的問(wèn)題，避免了傳統(tǒng)深孔加工中切削散熱難、刀 具易走偏等技術(shù)難題，制造成本較低，零件成形

本發(fā)明公開(kāi)了一種激光重熔掃描碳化物彌散增強(qiáng)鋁合金的快速 制造方法，包括以下步驟：(1)在計(jì)算機(jī)上建立零件三維模型，然后將 所述零件三維模型轉(zhuǎn)成 STL 格式并導(dǎo)入到激光選區(qū)熔化成形設(shè)備中； (2)將鋁合金粉末和碳化物粉末混合，然后采用球磨機(jī)進(jìn)行球磨混合均 勻；(3)將球磨后的混合粉末轉(zhuǎn)移到激光選區(qū)熔化成形設(shè)備里，在惰性 氣體保護(hù)下，根據(jù)三維模型數(shù)據(jù)對(duì)混合粉末進(jìn)行成形；(4)采用線切割 工藝將成形的零件從所述基板上分離

本發(fā)明公開(kāi)了一種短纖維增強(qiáng)熱固性樹(shù)脂復(fù)合產(chǎn)品的 3D 打印制 造方法，包括以下步驟：1)制備適用于選擇性激光燒結(jié) 3D 打印技術(shù)的 復(fù)合粉末；2)采用選擇性激光燒結(jié)技術(shù)成形具有孔隙的形坯；3)將形坯 放入液態(tài)熱固性樹(shù)脂前驅(qū)體中進(jìn)行浸滲后處理：3.1)配制粘度在 100mPa·s 以下的液態(tài)熱固性樹(shù)脂前驅(qū)體；3.2)將形坯浸入液態(tài)熱固性 樹(shù)脂前驅(qū)體中，讓形坯的上端露出液面，以使形坯孔隙中的氣體排出； 4)從液態(tài)熱固性樹(shù)

1. 痛點(diǎn)問(wèn)題 化學(xué)工業(yè)是我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的支柱產(chǎn)業(yè)，集中于生產(chǎn)基礎(chǔ)和大宗化工原料，而面向高端制造業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品，其比重不足10%。化工產(chǎn)業(yè)正受到國(guó)外技術(shù)壁壘和國(guó)內(nèi)消費(fèi)結(jié)構(gòu)升級(jí)及生態(tài)環(huán)境保護(hù)要求提高的多重壓力，需要加快轉(zhuǎn)型升級(jí)，邁向高端化和綠色化。 針對(duì)傳統(tǒng)醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)革新的研究方向，微反應(yīng)器和微流控技術(shù)的研究和應(yīng)用成為國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)的研究熱點(diǎn)。微反應(yīng)器和微流控技術(shù)自上世紀(jì)九十年代提出，就受到學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。微反應(yīng)連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)是一項(xiàng)在新世紀(jì)中具有革命性的技術(shù)，是生物、化學(xué)、化工等交叉前沿的方向；2009年，25家國(guó)際著名跨國(guó)公司和研究機(jī)構(gòu)將微化工技術(shù)列入化工產(chǎn)業(yè)發(fā)展新方向，聯(lián)合啟動(dòng)了構(gòu)建所謂靈活、快速、未來(lái)化工廠的“F3計(jì)劃”。醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工產(chǎn)品由于產(chǎn)量小，目前普遍采用傳統(tǒng)的反應(yīng)釜等設(shè)備，單批次生產(chǎn)，存在原料利用率低、污染排放量大,生產(chǎn)過(guò)程安全性較差，難以適應(yīng)可持續(xù)發(fā)展的需要。解決醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工生產(chǎn)的環(huán)保、安全、效率等問(wèn)題，是目前廣大中小型生產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵。 2. 解決方案 微反應(yīng)器/微流控技術(shù)：以微結(jié)構(gòu)元件為核心，在微米或亞毫米受限空間內(nèi)進(jìn)行的流動(dòng)、傳遞和反應(yīng)過(guò)程，它通過(guò)減小體系的分散尺度強(qiáng)化混合、分散與傳遞，提高過(guò)程可控性和效率，以“數(shù)量放大”為基本準(zhǔn)則，將實(shí)驗(yàn)室成果可靠地運(yùn)用于工業(yè)過(guò)程，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。 目前，微反應(yīng)器/微流控技術(shù)已經(jīng)從研究階段向工業(yè)化生產(chǎn)階段發(fā)展，相關(guān)技術(shù)及產(chǎn)品的應(yīng)用正處于快速增長(zhǎng)的階段，在生物醫(yī)藥、化妝品、環(huán)保等領(lǐng)域，都有著廣泛的應(yīng)用需求。采用微反應(yīng)器成套技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)化學(xué)品生產(chǎn)的連續(xù)化同時(shí)，具有低能耗，高效率，低排放，高安全性等一系列優(yōu)勢(shì)。 1) 本項(xiàng)成果基于微化工技術(shù)，結(jié)合先進(jìn)的生產(chǎn)裝備自動(dòng)化技術(shù)，提供面向生物醫(yī)藥制造領(lǐng)域的綠色高效的微流控技術(shù)生產(chǎn)方案。 2) 同時(shí)，結(jié)合先進(jìn)智能制造技術(shù)，可以構(gòu)建全自動(dòng)的集成化工藝平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)智能化、綠色化的生產(chǎn)工藝及裝備的整體應(yīng)用。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????